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1. 发明公开

EP0889516A3 Formation of sublithographic features 失效
标题翻译： Herstellung von sub-lithographischen Strukturen
公开(公告)号：EP0889516A3
公开(公告)日：1999-10-13
申请号：EP98109829.6
申请日：1998-05-29
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Ploessl, Robert
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76801 , H01L21/76816
摘要： A method of forming very small diameter metal lines in a substrate comprising forming an opening in a substrate using photolithographic techniques, filling the opening with a dielectric material and planarizing the substrate using chemical metal polishing techniques, which are continued so as to form small trenches on either side of the dielectric material, filling in the trenches with metal and planarizing the metal layer using chemical metal polishing.
摘要翻译：一种在衬底中形成非常小直径的金属线的方法，包括使用光刻技术在衬底中形成开口，用电介质材料填充开口并且使用化学金属抛光技术平坦化衬底，所述技术继续以形成小的沟槽介电材料的任一侧，用金属填充沟槽，并使用化学金属抛光使金属层平坦化。

2. 发明公开

EP0864862A3 Kondensatabscheider mit Kondensatabführung 失效
标题翻译：凝结物捕集器与冷凝水排水
公开(公告)号：EP0864862A3
公开(公告)日：1999-07-28
申请号：EP98103005.9
申请日：1998-02-20
申请人： Testo GmbH & Co.
发明人： Senn, Jürgen
IPC分类号： G01N33/00 , B01D5/00
CPC分类号： G01N33/0014 , B01D5/009
摘要： Kondensatabscheider, insbesondere für eine transportable (Rauch-)Gasanalyseeinrichtung, mit einem Abscheideraum (26), der im Inneren eines Gehäuses (20) gebildet ist und vom Meßgas durchströmt wird, einem Gaszuführungselement (30), das in den Abscheideraum (26) hineingeführt ist, einem Gasabführungselement (40), das aus dem Abscheideraum (26) herausgeführt ist, einem Kondensatsammelraum (99), der in kommunizierender Verbindung zu dem Abscheideraum (26) vorgesehen ist, wobei der Kondensatsammelraum (99) zumindest teilweise mit flüssigkeitsaufnehmendem Material (100) gefüllt ist, und weiterhin ein Kondensatabführungselement (92) vorgesehen ist, das aus dem Kondensatsammelraum (99) herausgeführt ist.

3. 发明公开

EP0849601A3 Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung des Vorzeichens einer Phasenverschiebung zweier elektrischer Signale 失效
标题翻译：装置和方法用于确定两个电信号的相移的符号
公开(公告)号：EP0849601A3
公开(公告)日：1999-07-28
申请号：EP97120612.3
申请日：1997-11-25
申请人： Ch. Beha GmbH Technische Neuentwicklungen
发明人： Hofstetter, Christoph
IPC分类号： G01R29/18
CPC分类号： G01R29/18
摘要： Die vorliegende Erfindung schafft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Bestimmung des Vorzeichens einer Phasenverschiebung eines ersten und zweiten im wesentlichen identischen periodischen elektrischen Signals auf einem entsprechenden ersten und zweiten elektrischen Leiter L1, L2, insbesondere zur Bestimmung der Drehfeldrichtung in einem Dreiphasennetz. Die erfindungsgemäße Vorrichtung weist eine Abgriffseinrichtung zum Abgreifen des ersten Signals vom ersten Leiter L1 und des zweiten Signals vom zweiten Leiter L2; eine Triggereinrichtung 25 zum Empfangen des abgegriffenen ersten Signals und Festlegen eines zeitlichen Bezugspunkts und/oder eines zeitlichen Bezugsfensters innerhalb der Signalperiode des ersten Signals und Ausgeben eines entsprechenden Triggersignals; und eine Bestimmungseinrichtung 31, 32, 33 zum Empfangen des Triggersignals und des abgegriffenen zweiten Signals und zum Bestimmen des Vorzeichens der Phasenverschiebung unter Berücksichtigung von zumindest dem Wert des zweiten Signals am zeitlichen Bezugspunkt und/oder dem Verlauf des zweiten Signals innerhalb des zeitlichen Bezugsfensters auf.

4. 发明公开

EP0902367A2 Data processing unit with debug capabilities 有权
标题翻译： Datenverarbeitungbeitungheit featFehlerbeseitungsmöglichkeiten
公开(公告)号：EP0902367A2
公开(公告)日：1999-03-17
申请号：EP98117015.2
申请日：1998-09-09
申请人： Siemens Microelectronics, Inc.
发明人： Chesters, Eric , Arnold, Roger D. , Fleck, Rod G.
IPC分类号： G06F11/00
CPC分类号： G06F11/3636 , G06F11/3656
摘要： The present invention relates to a data processing unit (1), comprising a central processing unit (7), a bus (13) coupled with the central processing unit to access a device via address and data lines coupled with the bus, a debug unit (11) being coupled to said bus, a protection unit (12) coupled with the bus and with the debug unit for protecting access on the bus. The protection unit is programmable to operate in a protecting mode in which the bus can be protected and in a debug mode in which a signal is sent to the debug unit, whereupon the debug unit generates a debug signal.
摘要翻译：本发明涉及一种数据处理单元（1），包括中央处理单元（7），与中央处理单元耦合的总线（13），用于经由地址和数据线与总线相连接来访问设备;调试单元（11）耦合到所述总线，与总线耦合的保护单元（12）和用于保护总线上的访问的调试单元。保护单元可编程为在保护模式下工作，其中总线可以被保护，并且在调制模式中，信号被发送到调试单元，调试单元产生调试信号。

5. 发明公开

EP0901076A2 Dimension programmable fusebanks and methods for making the same 有权
标题翻译：维度可编程熔丝银行及其制备工艺
公开(公告)号：EP0901076A2
公开(公告)日：1999-03-10
申请号：EP98115474.3
申请日：1998-08-18
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Berger, Christian A.
IPC分类号： G06F11/20
CPC分类号： G11C29/785 , G11C29/808
摘要： Disclosed is a repairable semiconductor memory array. The repairable semiconductor memory array includes a main memory array 210. A set of redundant rows 212 and a set of redundant columns 214 for repairing a row element or a column element of the main memory array. A fusebank group 216 that is electrically wired to the set of redundant rows and the set of redundant columns. The repairable semiconductor memory array further includes a plurality of fusebanks 218 contained within the fusebank group. Each of the plurality of fusebanks are programmable to address the column element or the row element of the main memory array, and the addressed column element or row element being replaced with one of the set of redundant rows or one of the set of redundant columns.

6. 发明公开

EP0773041A3 Gerät zur fotodynamischen Bestrahlung 失效
标题翻译：设备光动力照射
公开(公告)号：EP0773041A3
公开(公告)日：1999-03-10
申请号：EP96114426.8
申请日：1996-09-10
申请人： Herbert Waldmann GmbH & Co.
发明人： Waldmann, Gerhard
IPC分类号： A61N5/06
CPC分类号： F21V29/67 , A61N5/062 , A61N2005/0644 , F21V9/00
摘要： Gerät zur fotodynamischen Bestrahlung mit einer in einem Reflektor (18) sitzenden Lampe (16) und einer im Strahlenweg angeordneten Filtereinheit (40). Das Gerät weist eine Dosiereinrichtung zur genauen Dosierung der vom Gerät an einen Patienten abgegebenen Strahlungsenergie auf, die vorzugsweise eine zeituhr- oder rechnergesteuerte, den Strahlenweg versperrende Abblendeinrichtung (46) aufweist.

7. 发明公开

EP0895283A2 Method of forming multi-level coplanar metal/insulator films using dual damascene with sacreficial flowable oxide 失效
标题翻译：一种用于使用镶嵌工艺可流动Opferoxyd产生共平面的金属/绝缘多层膜过程
公开(公告)号：EP0895283A2
公开(公告)日：1999-02-03
申请号：EP98110307.0
申请日：1998-06-05
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Feldner, Klaus , Grewal, Virinder , Vollmer, Bernd , Schnabel, Rainer Florian
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76808
摘要： An improved method of performing a dual damascene etch through a layer stack disposed above a substrate. The layer stack includes an underlying device layer and an insulating layer disposed above the underlying device layer. The method includes forming a trench in a top surface of the insulating layer such that the trench is positioned over the underlying device layer and separated therefrom by insulating material at a bottom of the trench. The method also includes, depositing flowable oxide over the top surface of the insulating layer and into the trench followed by planarizing the flowable oxide down to about a level of the top surface of the insulating layer. Further, the method includes, etching through the flowable oxide within the trench and through insulating material at the bottom of the trench down to the underlying device layer to form a via.
摘要翻译：通过上述一个基板设置在层堆叠进行双镶嵌刻蚀的改进的方法。层堆叠包括下器件层和上绝缘下器件层之上设置的层。该方法包括：在检测所述绝缘层的顶表面上形成沟槽并在沟槽位于下器件层上且通过在所述沟槽的底部的绝缘材料从那里分离。因此，该方法包括，在绝缘层的顶部表面并进入接下来的约绝缘层的顶表面的水平降低到可流动氧化物平坦化所述沟槽中沉积的可流动氧化物。此外，该方法包括，通过在沟槽内的可流动氧化物和通过在沟槽底部的绝缘材料向下到下器件层，以形成通过蚀刻。

8. 发明公开

EP0887858A3 Protection layer for laser blown fuses in semiconductor devices 失效
标题翻译：半导体器件激光熔断保护层
公开(公告)号：EP0887858A3
公开(公告)日：1999-02-03
申请号：EP98110309.6
申请日：1998-06-05
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Gall, Martin , Mitwalsky, Alexander R. , Dinkel, Bettina
IPC分类号： H01L23/525
CPC分类号： H01L23/5258 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A protective layer protects a fuse in an integrated circuit from incidental damage during laser deleting of an adjacent fuse. This approach allows very small fuse pitch applications, e.g., for redundancy activation.
摘要翻译：保护层保护集成电路中的保险丝免受激光删除相邻保险丝期间的意外损坏。这种方法允许非常小的保险丝间距应用，例如用于冗余激活。

9. 发明公开

EP0893515A1 Preconditioned crystals of lithium niobate and lithium tantalate and methods of preparing the same 无效
标题翻译：预处理晶体铌酸锂和锂及其制备方法
公开(公告)号：EP0893515A1
公开(公告)日：1999-01-27
申请号：EP98111849.0
申请日：1998-06-26
申请人： CRYSTAL TECHNOLOGY, INC.
发明人： Bordui, Peter Frank , Norwood, Richard Gregory , Jundt, Dieter Hans , Standifer, Eugene Michael
IPC分类号： C30B29/30 , C30B33/00
CPC分类号： C30B33/00 , C30B29/30
摘要： Crystals of lithium niobate and lithium tantalate are preconditioned to intentionally increase their electrical conductivity, thus providing crystals with an increased ability to reduce surface charging. Reducing surface charging reduces the risk that the crystals may catastrophically discharge, and adversely affect the performance of devices in which the crystal is incorporated.
摘要翻译：铌酸锂和钽酸锂的晶体预处理以有意增加其导电性，在增加，以减少表面的带电性，从而提供与晶体。减少表面充电降低了风险并晶体可能灾难性地放电，并且其中所述晶体被并入装置的性能产生不利影响。

10. 发明公开

EP0889592A2 OCD With low output capacitance 失效
标题翻译： IC-Treiber mit niedrigerAusgangskapazität
公开(公告)号：EP0889592A2
公开(公告)日：1999-01-07
申请号：EP98110289.0
申请日：1998-06-05
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Poechmueller, Peter
IPC分类号： H03K19/00
CPC分类号： H03K19/00361 , H03K17/164 , H03K19/00315 , H03K19/018571
摘要： An OCD circuit with stacked transistor that is gated to switch on prior to the switching on of the transistors which the stacked transistor protects. The gating of the stacked transistor results in the reduction of the total OCD output capacitance.
摘要翻译：具有堆叠晶体管的OCD电路，其被门控以在层叠晶体管保护的晶体管的接通之前导通。堆叠晶体管的选通导致总OCD输出电容的减小。

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