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    • 61. 发明公开
    • Solarzelle vom Schottkytyp mit plasmonisch aktiven Nanopartikeln
    • Nanopartikeln的Solarzelle vom Schottkytyp mit plasmonisch
    • EP2698826A2
    • 2014-02-19
    • EP13179110.5
    • 2013-08-02
    • Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH
    • Lublow, MichaelLörgen, MarcusNüsse, Nils Christian
    • H01L31/0216H01L31/028H01L31/07
    • H01L31/02167H01L31/028H01L31/07Y02E10/547
    • Solarzellen vom Schottkytyp erfahren eine Effizienzsteigerung durch eine Vielzahl von nanostrukturierten Emitterkontakten, die in die Absorberschicht hineinragen und zu einer geringeren Verschattung der Absorberschicht beitragen. Ansonsten werden nur rein optische Verbesserungsmaßnahmen durchgeführt. Bei der erfindungsgemäßen Solarzelle (00, 11) wird auch noch eine elektronische Effizienzverbesserung dadurch erreicht, dass zwischen den Emitterkontakten (03), die aus einem Metall mit keiner oder nur geringer plasmonischen Aktivität bestehen, plasmonisch hochaktive Nanopartikel (04) auf der Oberfläche der Absorberschicht (01) vorgesehen sind, die zu einer erhöhten Lichteinkopplung und zu einer verbesserten Lichtabsorption führen. Emitterkontakte (03) und plasmonisch aktive Nanopartikel (04) sind in eine transparente, elektrisch isolierende Isolationsschicht (02) auf der Absorberschicht (01) eingebettet, wobei die Nanopartikel (04) auch von dieser überdeckt sind und nicht in die Absorberschicht (01) hineinragen. Weiterhin ist unterhalb der plasmonisch aktiven Nanopartikel (04) einen gegenüber der Dotierkonzentration (N 2 D ) der Absorberschicht (01) erhöhte Dotierkonzentration (N 1 D ) vorgesehen ist, sodass in der Absorberschicht (01) ein laterales und vertikales Dotierprofil aufgebaut ist, dass zu einer verbesserten Ladungsträgerabfuhr über die Emitterkontakte (03) führt.
    • 太阳能电池(00)具有配置在晶体硅吸收层(01)上的发射极接触部分(03)之间的等离子体活性纳米颗粒(04)。 纳米颗粒被绝缘层(02)包围。 将具有特定电荷载流子的一次吸收体区域的掺杂浓度(N1D)设定为高于吸收层内的纳米粒子以下的二次吸收体区域的掺杂浓度(N2D)。 次级吸收器区域的掺杂浓度(N2D)在发射极接触部分之下不变。