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51. 发明公开

EP1768162A3 Multiple electron beam device 审中-公开
标题翻译： Mehrfach-Elektronenstrahleinrichtung
公开(公告)号：EP1768162A3
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：EP06026468.6
申请日：2001-10-05
申请人： ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik Mbh
发明人： Winkler, Dieter , Adamec, Pavel , Göhl, Achim , Banzhof, Helmut
IPC分类号： H01J37/304 , H01J37/28 , H01J37/21
CPC分类号： H01J37/28 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/21 , H01J37/304 , H01J37/3174 , H01J2237/216 , H01J2237/2446 , H01J2237/2826 , H01J2237/30433 , H01J2237/3045
摘要： The invention provides electron multiple beam devices 1 for probing or structuring a non-transparent specimen 20 with primary electron beams 14 with an array of electron beam sources 3 to generate multiple primary electron beams 14, an electron sensor 12 with electron sensor segments 12a to detect electrons of the primary electron beams 14 and at least one anode 7 to direct the primary electron beams 14 towards the electron sensor 12. The electron sensor 12 serves to inspect the primary electron beams 14, calibrate the positions of the primary electron beams 14 and possibly adjust final focus lengths 13 and currents of the primary electron beams before or after a probing or structuring the upper surface 20a of a non-transparent specimens 20. Further, methods to inspect primary electron beams 14, to adjust final focus lengths 13 and to calibrate the multiple electron beam device 1 are provided.
摘要翻译：本发明提供电子多光束装置1，用于探测或构造具有电子束源阵列3的一次电子束14的非透明试样20，以产生多个一次电子束14，具有电子传感器段12a的电子传感器12以检测一次电子束14的电子和至少一个阳极7，以将一次电子束14引向电子传感器12.电子传感器12用于检查一次电子束14，校准一次电子束14的位置，并且可能在探测或构造不透明标本20的上表面20a之前或之后调整最终聚焦长度13和一次电子束的电流。此外，检查一次电子束14，调整最终聚焦长度13并校准的方法设置多个电子束装置1。

52. 发明公开

EP1699067A2 Procédé de réglage d'un faisceau d'ions 有权
标题翻译：埃菲尔罕
公开(公告)号：EP1699067A2
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：EP06100810.8
申请日：2002-03-26
申请人： CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)
发明人： Gierak, Jacques , Lagadex, Yvon , Septier, Albert
IPC分类号： H01J27/22 , H01J27/02
CPC分类号： H01J27/26 , B82Y30/00 , H01J27/022 , H01J27/22 , H01J37/08 , H01J37/09 , H01J37/3007 , H01J37/3045 , H01J37/3056 , H01J2237/024 , H01J2237/0805 , H01J2237/1501 , H01J2237/1502 , H01J2237/30433 , H01J2237/3174
摘要： Ce procédé de réglage d'un faisceau d'ions, qui est émis par un dispositif de génération de faisceau d'ions vers une cible et qui est apte à éroder cette cible, comprend une étape de gravure d'un motif de test sur la cible, selon un motif de référence prédéterminé numérisé, une étape de formation d'une image numérisée du motif de test gravé et une étape de différenciation entre cette image numérisée du motif de test gravé et l'image numérisée du motif de référence prédéterminé, et l'on répète ces étapes après modification d'au moins un paramètre de réglage du dispositif, jusqu'à l'obtention d'un réglaçe convenable.
L'invention s'applique notamment à la fabrication de nano-structures.
摘要翻译：装置包括离子源（2），用于提取发射离子的装置（6），用于加速提取的离子的装置（8），用于选择加速离子的装置（34）和用于聚焦离子的静电透镜系统（10）第一轴（Z1）。用于在离子源和离子提取器之间沿平行于第一轴线的第二轴线（Z）改变距离（D）的装置（F）。轴（Z）构成离子束（14）的轴线。

53. 发明公开

EP1382411A3 Verfahren zum Vermessen des Intensitätsprofils eines Elektronenstrahls, insbesondere eines Strahls eines Elektronenstrahlbearbeitungsgeräts, und/oder zum Vermessen einer Optik für einen Elektronenstrahl und/oder zum Justieren einer Optik für einen elektronenstrahl, Messstruktur für ein solches Verfahren und Elektronenstrahlbearbeitungsgerät 有权
标题翻译：测量的电子束的强度分布，特别是电子束加工装置的光束，和/或用于测量电子束的光学系统和/或用于调节光学系统，用于电子束，测量结构为这样的方法和电子束加工装置的方法
公开(公告)号：EP1382411A3
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：EP03015282.1
申请日：2003-07-07
申请人： pro-beam AG & Co. KGaA
发明人： Löwer, Thorsten
IPC分类号： B23K15/00 , H01J37/304 , G01T1/28
CPC分类号： H01J37/315 , B23K15/00 , H01J37/304 , H01J2237/30433 , H01J2237/30455 , H01J2237/30477
摘要： Zur Messung des Intensitätsprofils eines Elektronenstrahls wird der Elektronenstrahl (10) auf eine Meßstruktur (16) geleitet, die Stellen (20, 22) mit unterschiedlichen Rückstreueigenschaften aufweist, und Rückstreuelektronen (24), die bei einer Abrasterung der Meßstruktur (16) durch den Elektronenstrahl (10) mittels einer Ablenkeinheit (14) entstehen, werden von einem Sensorring (26) gemessen. Die Meßstruktur (16) ist vorzugsweise in ein Elektronenstrahlschweißgerät ein- und ausbaubar und besteht aus einer Graphitplatte (18), von der eine Wolframnadel (22) senkrecht wegsteht.

54. 发明公开

EP1382411A2 Verfahren zum Vermessen des Intensitätsprofils eines Elektronenstrahls, insbesondere eines Strahls eines Elektronenstrahlbearbeitungsgeräts, und/oder zum Vermessen einer Optik für einen Elektronenstrahl und/oder zum Justieren einer Optik für einen elektronenstrahl, Messstruktur für ein solches Verfahren und Elektronenstrahlbearbeitungsgerät 有权
标题翻译：测量的电子束的强度分布，特别是电子束加工装置的光束，和/或用于测量电子束的光学系统和/或用于调节光学系统，用于电子束，测量结构为这样的方法和电子束加工装置的方法
公开(公告)号：EP1382411A2
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：EP03015282.1
申请日：2003-07-07
申请人： pro-beam AG & Co. KGaA
发明人： Löwer, Thorsten
IPC分类号： B23K15/00 , H01J37/304 , G01T1/28
CPC分类号： H01J37/315 , B23K15/00 , H01J37/304 , H01J2237/30433 , H01J2237/30455 , H01J2237/30477
摘要： Zur Messung des Intensitätsprofils eines Elektronenstrahls wird der Elektronenstrahl (10) auf eine Meßstruktur (16) geleitet, die Stellen (20, 22) mit unterschiedlichen Rückstreueigenschaften aufweist, und Rückstreuelektronen (24), die bei einer Abrasterung der Meßstruktur (16) durch den Elektronenstrahl (10) mittels einer Ablenkeinheit (14) entstehen, werden von einem Sensorring (26) gemessen. Die Meßstruktur (16) ist vorzugsweise in ein Elektronenstrahlschweißgerät ein- und ausbaubar und besteht aus einer Graphitplatte (18), von der eine Wolframnadel (22) senkrecht wegsteht.
摘要翻译：用于测量电子束处理装置的电子束（10）的强度分布和/或在电子束测量透镜（15）和/或在电子束调节透镜，用于处理包含相对移动所述电子束在不同的位置（20，22）相对于一个测量结构中，具有不同后向散射特性的位置。电子流被测量从该结构中散射电子（24）依赖于电子束的相对运动和测量的结构的一个向后的方向进行测定。因此独立权利要求中包括了以下内容：用于补偿偏离误差（1）处理; （2）在使用过程中测得的结构; 和（3）电子束处理设备。

55. 发明公开

EP1300870A1 Multiple electron beam device 有权
标题翻译： Elektronenstrahlvorrrichtung mit Mehrfachstrahl
公开(公告)号：EP1300870A1
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：EP01123855.7
申请日：2001-10-05
申请人： ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH
发明人： Winkler, Dieter , Adamec, Pavel , Göhl, Achim , Banzhof, Helmut
IPC分类号： H01J37/304
CPC分类号： H01J37/28 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/21 , H01J37/304 , H01J37/3174 , H01J2237/216 , H01J2237/2446 , H01J2237/2826 , H01J2237/30433 , H01J2237/3045
摘要： The invention provides electron multiple beam devices 1 for probing or structuring a non-transparent specimen 20 with primary electron beams 14 with an array of electron beam sources 3 to generate multiple primary electron beams 14, an electron sensor 12 with electron sensor segments 12a to detect electrons of the primary electron beams 14 and at least one anode 7 to direct the primary electron beams 14 towards the electron sensor 12. The electron sensor 12 serves to inspect the primary electron beams 14, calibrate the positions of the primary electron beams 14 and possibly adjust final focus lengths 13 and currents of the primary electron beams before or after a probing or structuring the upper surface 20a of a non-transparent specimens 20. Further, methods to inspect primary electron beams 14, to adjust final focus lengths 13 and to calibrate the multiple electron beam device 1 are provided.
摘要翻译：本发明提供电子多光束装置1，用于探测或构造具有电子束源阵列3的一次电子束14的非透明试样20，以产生多个一次电子束14，具有电子传感器段12a的电子传感器12以检测一次电子束14的电子和至少一个阳极7，以将一次电子束14引向电子传感器12.电子传感器12用于检查一次电子束14，校准一次电子束14的位置，并且可能在探测或构造不透明标本20的上表面20a之前或之后调整最终聚焦长度13和一次电子束的电流。此外，检查一次电子束14，调整最终聚焦长度13并校准的方法设置多个电子束装置1。

56. 发明公开

EP0641012A1 Elektronenoptisches Abbildungssystem mit regelbarem Elementen 失效
标题翻译： Elektronenoptisches Abbildungsystem mit regelbarem Elementen。
公开(公告)号：EP0641012A1
公开(公告)日：1995-03-01
申请号：EP94108174.7
申请日：1994-05-27
申请人： Carl Zeiss , CARL ZEISS-STIFTUNG HANDELND ALS CARL ZEISS
发明人： Weimer, Eugen, Dr. , Benner, Gerd, Dr. , Ross-Messemer, Dr. , Frey, Josef
IPC分类号： H01J37/26
CPC分类号： H01J37/265 , H01J2237/30411 , H01J2237/30433
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein elektronenoptisches Abbildungssystem, insbesondere für Elektronenmikroskope, mit Magnetlinsen (11-14,16-19), zugehörigen Strom- bzw. Spannungsquellen (20-29), einem Rechner (31), einem Festplattenspeicher (32) und einem Bedienfeld (7). Das Elektronenmikroskop wird bei der erstmaligen Inbetriebnahme in einer diskreten Folge unterschiedlicher Betriebsbedingungen manuell abgeglichen. An die experimentell abgeglichenen Parameterwerte für die Linsenströme werden Polynome zweiten Grades angepaßt. Die berechneten Polynomkoeffizienten werden im Plattenspeicher (32) abgelegt. Über ein Tastenfeld (7) am Bedienpult des Elektronenmikroskops sind Betriebszustände einstellbar, die zwischen den abgeglichenen Betriebsbedingungen liegen. Die in diesen Betriebszuständen erforderlichen Linsenströme werden im Rechner (31) anhand der im Speicher (32) abgespeicherten Funktionskoeffizienten berechnet und vom Rechner (31) anschließend an die Stromquellen (21-29) ausgegeben. Die Schrittweite, in der die Betriebszustände einstellbar sind, ist dabei über eine Tastatur (5) unabhängig von der Lage der abgeglichenen Betriebsbedingungen vorwählbar.
摘要翻译：本发明涉及一种电子光学成像系统，特别是电子显微镜，具有磁性透镜（11-14,16-19），相关电流或电压源（20-29），计算机（31），硬磁盘存储器（32）和操作面板（7）。在调试期间，电子显微镜在不同操作条件的离散序列中手动校准（调整，校正）。二次多项式与透镜电流实验校准的参数值相匹配。计算出的多项式系数存储在磁盘存储器（32）中。操作状态可以通过电子显微镜操作台上的键盘面板（7）进行设置，操作状态位于校准的操作条件之间。在计算机（31）中使用存储在存储器（32）中的功能系数来计算在这些操作状态下所需的镜头电流，并且随后由计算机（31）向当前源（21-29）发出。在这种情况下，可以通过键盘（5）预先选择可以设置操作状态的步长（间距），并独立于校准的操作条件的位置。

57. 发明公开

EP0333098A2 A silicon grid as a reference and calibration standard in a particle beam lithography system 失效转让
标题翻译：硅酸盐岩和石灰岩 - 标准在einem Partikelstrahl-Lithographies系统。
公开(公告)号：EP0333098A2
公开(公告)日：1989-09-20
申请号：EP89104398.6
申请日：1989-03-13
申请人： Etec Systems, Inc.
发明人： Young, Lydia J.
IPC分类号： H01J37/304 , H01J37/317 , G03F7/20
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/304 , H01J37/3174 , H01J2237/30433
摘要： A reference and calibration grid (44a or 44b) of silicon is incorporated into a particle beam lithography system (10) and used to calibrate the system (10). The grid (44a or 44b) is formed in a silicon die (50) of much thicker structure and with square holes (64) and with a period to enable direct coordination with binary electronics. The grid (44a or 44b) is coated with a suitable material, preferably gold (72), to prevent charged particles or electrons from passing through the solid portions of the grid and the grid is preferably mounted on a grid holder (52) which can be aligned to the X-Y reference on the workpiece stage (32) and may be adjusted in tilt and in height (Z direction). The crystallography of silicon provides accuracies in orthogonality, corner radii, and edge roughness required for grids used as fiducials for particle beam lithography. In addition, as part of a thicker structure (silicon die 50), the grid (44a or 44b) can easily be handled and hence mounting and alignment procedures can be markedly simplified. The flatness of the grid (44a or 44b) is consistent over the whole surface.
摘要翻译：硅的参考和校准网格（44a或44b）被并入到粒子束光刻系统（10）中，并用于校准系统（10）。格栅（44a或44b）形成在具有更厚结构并具有方形孔（64）的硅模具（50）中，并且具有能够与二元电子器件直接协调的周期。栅格（44a或44b）涂覆有合适的材料，优选金（72），以防止带电粒子或电子通过栅格的固体部分，并且栅格优选地安装在栅格保持器（52）上，栅格保持器与工件台（32）上的XY基准对齐，并可以倾斜和高度（Z方向）进行调整。硅的晶体学提供了用作粒子束光刻基准的网格所需的正交性，角半径和边缘粗糙度的精度。此外，作为较厚结构（硅模50）的一部分，格栅（44a或44b）可以容易地被处理，因此可以显着简化安装和对准过程。网格（44a或44b）的平整度在整个表面上是一致的。

58. 发明公开

EP0121412A3 Method of forming by projection an integrated circuit pattern on a semiconductor wafer 失效
标题翻译：通过投影在半导体波长上形成集成电路图案的方法
公开(公告)号：EP0121412A3
公开(公告)日：1988-01-20
申请号：EP84302124
申请日：1984-03-28
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： Gotou, Mineo , Sano, Shunichi
IPC分类号： G03B41/00
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/70433 , G03F7/7045 , G03F7/706 , H01J37/3045 , H01J37/3174 , H01J2237/30433
摘要： Disclosed is a method of forming by projection an integrated circuit pattern on a first semiconductor wafer. A plurality of reference marks are projected onto a second semiconductor wafer (44) by the irradiation of radiant rays from a projector apparatus used to form the integrated circuit pattern onto the first semiconductor wafer. The positions of the reference marks projected onto the second semiconductor wafer (44) are measured, thereby measuring the projection distortion peculiar to the projector apparatus. As the next step, a projection mask (68) used to form the integrated circuit pattern is produced with the use of the measured projection distortions which has a distortion opposite that of the projector so as to offset its projection distortion. The mark is mounted in the projector apparatus, and the radiant rays are irradiated onto the mask thus projecting the integrated circuit pattern onto the first semiconductor wafer.

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