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    • 42. 发明公开
    • 3D IMAGE SENSOR MODULE AND ELECTRONIC APPARATUS INCLUDING THE SAME
    • 3D-BILD-SENSORMODUL UND ELEKTRONISCHE VORRICHTUNG DIESES BEINHALTEND
    • EP3007359A1
    • 2016-04-13
    • EP15177276.1
    • 2015-07-17
    • Samsung Electronics Co., Ltd
    • JEON, MyungjaePARK, YonghwaYOU, JangwooYOON, Heesun
    • H03J3/20H03B5/12H04N13/02
    • A three-dimensional (3D) image sensor device and an electronic apparatus including the 3D image sensor device are provided. The 3D image sensor device includes: a shutter driver that generates a driving voltage of a sine wave biased with a first bias voltage, from a loss-compensated recycling energy; an optical shutter that varies transmittance of reflective light reflected from a subject, according to the driving voltage, and modulates the reflective light to generate at least two optical modulation signals having different phases; and an image generator that generates 3D image data for the subject which includes depth information calculated based on a phase difference between the at least two optical modulation signals.
    • 提供三维(3D)图像传感器装置和包括3D图像传感器装置的电子设备。 3D图像传感器装置包括:快门驱动器,其从损失补偿的再循环能量产生用第一偏置电压偏置的正弦波的驱动电压; 根据驱动电压改变从被检体反射的反射光的透射率的光学快门,并且调制反射光以产生具有不同相位的至少两个光调制信号; 以及图像生成器,其生成用于所述被摄体的3D图像数据,所述3D图像数据包括基于所述至少两个光调制信号之间的相位差计算出的深度信息。
    • 47. 发明公开
    • Integrierter CMOS-Weitband-Taktgeber mit differentiellem Aufbau
    • 集成CMOS宽带用差分结构时钟
    • EP2388908A3
    • 2014-10-08
    • EP11162921.8
    • 2011-04-19
    • Maxim Integrated GmbH
    • Akbari-Dilmaghani, Rahim Dr.
    • H03B5/12
    • H03B5/1228H03B5/1215H03B5/1243
    • Differentieller Weitband-Taktgeber mit einem spannungsgesteuertem Oszillator zum Erzeugen eines differentiellen Oszillatorsignals, umfassend zwei kreuzgekoppelte PMOS-Transistoren, welche jeweils einen Source-Anschluss, einen Drain-Anschluss und einen Gate-Anschluss aufweisen, umfassend eine symmetrische Kapazitätsdiodenschaltung, welche eine durch eine Steuerspannung einstellbare Kapazität aufweist, welche zwischen den beiden Drain-Anschlüssen wirkt, umfassend eine zur Kapazitätsdiodenschaltung parallel geschaltete Induktivitätsschaltung, welche einen Mittenabgriff aufweist, und umfassend zwei Ausgangsanschlüsse zum Abgreifen des differentiellen Oszillatorsignals, welche jeweils mit einem der Drain-Anschlüsse verbunden sind, mit einem positiven Versorgungskontakt und einem negativen Versorgungskontakt und mit einer Ruhestromquelle zur Beaufschlagung des Oszillators mit einem Ruhestrom, deren erster Pol mit dem positiven Versorgungskontakt und deren zweiter Pol mit den Source-Anschlüssen der PMOS-Transistoren verbunden ist, wobei ein einstellbarer Diodenblock vorgesehen ist, der eine Vielzahl von NMOS-Transistoren umfasst, welche jeweils einen Source-Anschluss, einen Drain-Anschluss und einen Gate-Anschluss aufweisen, wobei deren Drain-Anschlüsse mit dem Mittenabgriff der Induktivitätsschaltung und deren Source-Anschlüsse mit dem einen negativen Versorgungskontakt verbunden sind, wobei jedem der NMOS-Transistoren jeweils eine Steuerschaltung zugeordnet ist, welche in Abhängigkeit eines binären Programmiersignals den jeweiligen Gate-Anschluss entweder mit dem jeweiligen Drain-Anschluss oder mit dem jeweiligen Source-Anschluss verbindet.