会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 49. 发明公开
    • SOC-STACK-INTERKONNEKTOR SOWIE SOC-STACK-ANORDNUNG
    • EP4047696A1
    • 2022-08-24
    • EP21158625.0
    • 2021-02-23
    • SunFire GmbH
    • Strohbach, ThomasSchade, Christoph
    • H01M8/0232C25B11/032H01M8/0245H01M8/0258H01M8/0263H01M8/124
    • Die Erfindung betrifft einen SOC-Stack-Interkonnektor zur Gasverteilung für eine Brennstoff- und/oder eine Elektrolysezellenanordnung aufweisend
      - eine Basisplatte, die auf einer ersten Seite mit einer Membranelektrodenanordnung kontaktierbar ist,
      - eine auf der zweiten Seite der Basisplatte angeordnete Plattenstruktur, wobei die Plattenstruktur mit einer ersten Seite mit der Basisplatte und mit einer zweiten Seite mit einer weiteren Membranelektrodenanordnung kontaktierbar ist,
      wobei die Plattenstruktur eine erste Platte und eine zweite Platte umfasst, die übereinander angeordnet sind, und die erste Platte und die zweite Platte eine gemeinsame Verteilungsstruktur zur Gasverteilung ausbilden,
      wobei die erste und die zweite Platte sowie die Basisplatte jeweils einen Gaseinlass und einen Gasauslass aufweisen,
      und wobei sich die Hauptrichtung eines Fluidflusses durch die gemeinsame Verteilungsstruktur in einer linearen Richtung zwischen dem Gaseinlass und dem Gasauslass erstreckt, und die gemeinsame Verteilungsstruktur Verbindungen zu dem Gaseinlass und Verbindungen zu dem Gasauslass aufweist,
      wobei
      - die erste Platte als Teil der gemeinsamen Verteilungsstruktur ein erstes Lochmuster mit einer Vielzahl von Löchern in parallel angeordneten entlang der Hauptrichtung des Fluidflusses ausgerichteten Lochreihen aufweist und kanalfrei ausgebildet ist;
      - die zweite Platte als Teil der gemeinsamen Verteilungsstruktur ein zweites Lochmuster mit einer Vielzahl von Löchern in parallel angeordneten entlang der Hauptrichtung des Fluidflusses ausgerichteten Lochreihen aufweist und kanalfrei ausgebildet ist; und
      - das erste Lochmuster zu dem zweiten Lochmuster in Hauptrichtung des Fluidflusses versetzt ausgebildet ist, wobei eine Kanalstruktur in Hauptrichtung des Fluidflusses bei der Übereinanderanordnung der ersten und der zweiten Platte ausgebildet wird, die zwischen der ersten und der zweiten Platte in Hauptrichtung des Fluidflusses alterniert.
      Ferner betrifft die Erfindung eine SOC-Stack-Anordnung.