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41. 发明授权

EP0247528B1 Polykristalline Sinterkörper auf Basis von Siliciumnitrid mit hoher Bruchzähigkeit und Härte 失效
标题翻译：基于具有高破裂强度和硬度的硅氮化物的多晶烧结文章
公开(公告)号：EP0247528B1
公开(公告)日：1990-02-21
申请号：EP87107429.0
申请日：1987-05-22
申请人： Elektroschmelzwerk Kempten GmbH
发明人： Steinmann, Detlef, Dr. Dipl.-Ing. , Lipp, Alfred, Dr. Dipl.-Chem. , Thaler, Hubert, Dipl.-Ing. (FH) , Lange, Dietrich, Dr. Dipl.-Ing.
IPC分类号： C04B35/58
CPC分类号： C04B35/593 , C04B35/584 , C04B35/5935

42. 发明公开

EP0351805A2 Verfahren zur Herstellung von Grünkörpern durch Formgebung von sinterfähigen keramischen Massen auf Basis von Siliciumnitrid 失效
标题翻译：一种用于通过基于氮化硅烧结陶瓷材料的成型制备生坯的过程。
公开(公告)号：EP0351805A2
公开(公告)日：1990-01-24
申请号：EP89113198.9
申请日：1989-07-19
申请人： Elektroschmelzwerk Kempten GmbH
发明人： Thaler, Hubert, Dipl.-Ing. (FH) , Lange, Dietrich, Dr. Dipl.-Ing. , Schwetz, Karl Alexander, Dr. Dipl.-Ing.
IPC分类号： C04B35/58
CPC分类号： C04B35/584
摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von Grünkörpern nach dem Schlickerguß-, Spritzguß- oder Strangpreßverfahren aus sinterfähigen Massen auf Basis von Siliciumnitrid, gegebenenfalls Aluminiumnitrid und/oder Aluminiumoxid und andere Oxide als Sinterhilfsmittel enthaltenden Ausgangspulvergemischen. Als Dispersions- und Bindemittel wird ein Magnesiumchloridhydrat im Gemisch mit Magnesiumoxid und Wasser verwendet und die Massen werden nach der Formgebung bei Temperaturen von 30° bis 60°C ausgehärtet. Zusätzlich können keramische Fasern, wie Siliciumcarbid als Füllstoffe mitverarbeitet werden. Die so erzeugten Grünkörper sind ausreichend standfest, sodaß sie mechanisch bearbeitet werden können.
摘要翻译：本发明涉及一种用于根据从基于氮化硅，任选的氮化铝和/或氧化铝和其他氧化物为含有起始粉末混合物烧结助剂烧结组合物中的粉浆浇铸，注射成型或挤出成型制造的生坯的方法。分散剂和粘合剂，在该混合物中氯化镁水合物使用具有氧化镁和水的组合物在30℃的温度下成形至60℃后固化此外，陶瓷纤维，如碳化硅可被处理，以及填料。由此获得的生坯具有足够的稳定，使得它们可以被加工。

43. 发明公开

EP0237072A3 Praktisch porenfreie Formkörper aus polykristallinem Aluminiumnitrid und Verfahren zu ihrer Herstellung ohne Mitverwendung von Sinterhilfsmitteln 失效
标题翻译：实际无孔多晶氮化铝体及其制造方法，不使用烧结艾滋病
公开(公告)号：EP0237072A3
公开(公告)日：1989-09-27
申请号：EP87103602.6
申请日：1987-03-12
申请人： Elektroschmelzwerk Kempten GmbH
发明人： Schwetz, Alexander, Dr. Dipl.-Ing. , Grellner, Wolfgang, Dr. Dr.-Ing. , Hunold, Klaus, Dr. Dipl.-Ing. , Mohr, Max, Dipl.-Ing. , Lipp, Alfred, Dr. Dipl.-Chem.
IPC分类号： C04B35/58
CPC分类号： C04B35/581
摘要： Gegenstand der Erfindung sind praktisch porenfreie Formkörper aus polykristallinem Aluminiumnitrid mit einer Dichte von mindestens 99,8 % TD, die aus
mindestens 99 Gew..% AIN bis zu 0.35 Gew.-% Restsauerstoff bis zu 0.35 Gew.-% Restkohlenstoff und bis zu 0.30 Gew.-% metallischen Verunreinigungen (Fe,Si,Ca,Mg) insgesamt bestehen. In diesen Formkörpern liegt das Aluminiumnitrid in Form einer einphasigen,homogenen,isotropen Mikrosturktur vor mit Korngrößen von maximal 5 µm. Der Restsauerstoff und der Restkohelnstoff sind in Form einer festen Lösung im Aluminiumnitridgitter vorhanden und sind bis zu 2400- facher Vergrößerung nicht als getrennte Phase(n) nachweisbar. Die Formkörper haben eine Biegebruchfestigkeit, gemessen nach der 4-Punkt-Methode, bei Raumtemperatur und bis zu 1400°C von mindestens 500 N/mm2, einen überwiegend transkristallinen Bruchmodus und eine Wärmeleitfähigkeit bei 300 K von mindestens 150 W/mK. Die Formkörper sind aus porösen, desoxidierten Grünkörpern mit einer Dichte von maximal 70 % TD und gleicher chemischer Zusammensetzung wie die Endprodukte, durch isostatische Heißpressen in einer vakuumdicht geschlossenen Hülle bei einer Temperatur von 1700° bis 2100°C und einem Druck von 100 bis 400 MPa im Hochdruckautoklaven unter Verwendung eines inerten Gases als Druckübertragungsmedium hergestellt worden.

44. 发明公开

EP0321975A1 Polykristalline Sinterkörper auf Basis von Aluminiumnitrid und Verfahren zu ihrer Herstellung 失效
标题翻译：基于氮化铝，和其制备方法的多晶烧结体。
公开(公告)号：EP0321975A1
公开(公告)日：1989-06-28
申请号：EP88121490.2
申请日：1988-12-22
申请人： Elektroschmelzwerk Kempten GmbH
发明人： Hunold, Klaus, Dr. Dipl.-Chem. , Kempf, Thomas, Dipl.-Ing.(FH) , Lipp, Alfred, Dr. Dipl.-Chem
IPC分类号： C04B35/58
CPC分类号： C04B35/581
摘要： Gegenstand der Erfindung sind polykristalline Sinterkörper auf Basis von Aluminiumnitrid mit einer Dichte von mindestens 95 % der theoretisch möglichen Dichte, die aus mindestens 90 Gew.-% einer kristallinen Hauptphase aus AlN und mindestens einer kristallinen Korngrenzenphase bestehen. Die Korngrenzenphasen bestehen ausschließlich aus mindestens einer kristallinen Aluminatphase, in welcher das Aluminat aus den dreiwertigen Kationen von Lanthan und den Lanthaniden gebildet ist. Mindestens eine dieser kristallinen Aluminatphasen enthält zusätzlich im wesentlichen den gesamten Sauerstoff aus dem Aluminiumnitrid-Ausgangsmaterial gebunden.
Die polykristallinen Sinterkörper auf Basis von Aluminiumnitrid können durch drucklose Sinterung von Pulvergemischen aus AlN und Sinteradditiven bei Temperaturen bis zu 1900°C und gegebenenfalls anschließender heißisostatischer Nachverdichtung hergestellt werden, wobei als Sinteradditive kristalline Aluminatpulver aus Verbindungen der allgemeinen Formel

mMe₂O₃ x nAl₂O₃

worin Me = La oder Lanthaniden, m = 2 oder 1 und n = 1, verwendet werden, die vor dem Vermischen mit den übrigen Bestandteilen und vor der Sinterung aus Lanthanoxid oder einem Oxid der Lanthaniden mit Aluminiumoxid im Molverhältnis 2:1 bis 1:1 durch Erhitzen auf Temperaturen von 1700° bis 1900°C hergestellt worden sind.
摘要翻译：本发明涉及基于氮化铝，并且具有的理论上可能的密度，其以重量计的AlN的结晶主相和至少一种晶体晶界相包括至少90％的至少95％的密度的多晶烧结制品，的晶界相由独占至少一种结晶铝酸盐相，其中，所述铝已经从镧的三价阳离子和镧系元素形成。合成的结晶铝相的至少一个另外本质上包含从氮化铝的结合形式原料整体的氧。基于氮化铝多晶烧结制品可以通过AlN的粉末混合物的未加压烧结和烧结添加剂在温度来产生高达1900℃和，如果有必要，随后的热等静压再压实，烧结助剂使用的通式mMe2O3 X nAl2O3的化合物为结晶铝酸盐粉末，其中Me = La和镧系元素中，m = 2或1且n = 1，已经制备，与其它成分和烧结之前以2:1的摩尔比混合，从氧化镧或铝氧化物的镧系元素的氧化物的前：1至1：1，通过加热从1700℃到最高温度至1900℃ ，

45. 发明公开

EP0213556A3 Apparatus for the continuous evaporation of inorganic compounds using a photon-producing thermal-radiation source 失效
标题翻译：使用光子产生的热辐射源连续蒸发无机化合物的装置
公开(公告)号：EP0213556A3
公开(公告)日：1988-11-09
申请号：EP86111560
申请日：1986-08-21
申请人： Elektroschmelzwerk Kempten GmbH
发明人： de Rudnay, André, Dr.
IPC分类号： C23C14/56 , C23C14/28
CPC分类号： C23C14/246 , C23C14/28
摘要： Gegenstand der Erfindung ist eine Vorrichtung für das Aufdampfen von anorganischen Verbindungen mittels einer Photonenerzeugenden thermischen Strahlungsheizquelle in kontinuierlich betriebenen Vakuumbedampfungsanlagen. Die Vorrichtung besteht aus dem Aufdampfgut, das aus pul verförmigen anorganischen Verbindungen mit Schmelzpu nkten > 1000°C, gegebenenfalls im Gemisch mit Elementen mit Schmelzpunkten > 1000°C durch Vermischen unter Form gebung hergestellt worden ist und aus der thermischen Strah lungsheizquelle, wobei Aufdampfgut und thermische Strahl ungsheizquelle kontaktlos verbunden sind. Das Aufdampfgut ist als mindestens ein vorzugsweise poröser Festkörper ausgebildet und Festkörper und/oder thermische Strahlung sheizquelle sind beweglich angeordnet. Die Bewegung des Aufdampfgutes kann dadurch bewerkstelligt werden, daß dieses entweder auf einem Träger beweglich angeordnet oder mit einem beweglich angeordneten Trager verbunden ist, derart, daß der unbeweglich angeordneten thermischen Strahlungsheizquelle kontinuierlich unverbrauchtes Aufdam pfgut nachgeliefert wird. Mit Hilfe dieser Vorrichtung können beliebige Substrate insbesondere Folien in kontinuierlichen Vakuumbedampfungsanlagen mit hochsmelzenden an organischen Verbindungen durch einfaches oder reaktives Aufdampfen mit hoher Aufdampfrate gleichmäßig be schichtet werden.

46. 发明公开

EP0199297A3 Process for producing shaped articles of reaction bonded silicon nitride by nitriding under high nitrogen gas pressure 失效
标题翻译：通过在高氮气压力下硝化生产反应结合的硅氮化物的形状方法
公开(公告)号：EP0199297A3
公开(公告)日：1987-11-19
申请号：EP86105361
申请日：1986-04-17
申请人： Elektroschmelzwerk Kempten GmbH
发明人： Hunold, Klaus, Dr. Dipl.-Ing. , Lipp, Alfred, Dr. Dipl.-Chem. , Reinmuth, Klaus, Dr. Dipl.-chem. , Arnold, Peter , Napholcz, Johannes
IPC分类号： C04B35/58
CPC分类号： C04B35/591 , C04B35/5935 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3272 , C04B2235/3873 , C04B2235/3895 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/728 , C04B2235/77

47. 发明公开

EP0231863A2 Stabile Schlickergussmasse auf Basis von feinteiligen Aluminiumnitrid-enthaltenden Pulvern 失效
标题翻译：稳定Schlickergussmasse基于细碎含铝粉末。
公开(公告)号：EP0231863A2
公开(公告)日：1987-08-12
申请号：EP87101115.1
申请日：1987-01-27
申请人： Elektroschmelzwerk Kempten GmbH
发明人： Matje, Peter, Dr. Dipl.-Chem. , Diesch-Müller, Stefanie, Dipl.-Ing.
IPC分类号： C04B35/58 , C04B35/00
CPC分类号： C04B35/63424 , C04B35/581 , C04B35/634 , C04B2235/6027
摘要： Gegenstand der Erfindung ist eine stabile Schlickergußmasse mit einem Gesamtfeststoffgehalt von 50 bis 80 Gewichtsprozent auf Basis von feinteiligen, AINenthaltenden Pulvern. Sie enthält als flüssiges Dispersionsmedium Wasser im Gemisch mit einem wasserlöslichen, aliphatischen, mehrwertigen Alkohol und Zusätze für die Regelung der zum Schlickergießen erforderlichen Viskosität. Das flüssige Dispersionsmedium kann beispielsweise 1 bis 20 Gewichtsprozent des Alkohols, wie Glyzerin, bezogen auf das Gesamtgewicht von Wasser und Alkohol enthalten.
摘要翻译：本发明是一种稳定的Schlickergußmasse为50至80重量％的总固体，基于细碎含AIN-粉末。作为液体分散介质含有水与水溶性的，脂肪族多元醇，以及用于控制用于粉浆浇铸所需要的粘度的添加剂混合。液体分散介质可以含有，例如，1至20重量％的醇，如甘油，基于水和醇的总重量。

48. 发明公开

EP0213556A2 Vorrichtung für das Aufdampfen von anorganischen Verbindungen mittels einer Photonen-erzeugenden thermischen Strahlungsheizquelle in kontinuierlich betriebenen Vakuumbedampfungsanlagen 失效
标题翻译：通过在连续操作的热真空气相沉积法的光子产生辐射热的装置，用于无机化合物的蒸镀装置。
公开(公告)号：EP0213556A2
公开(公告)日：1987-03-11
申请号：EP86111560.8
申请日：1986-08-21
申请人： Elektroschmelzwerk Kempten GmbH
发明人： de Rudnay, André, Dr.
IPC分类号： C23C14/56 , C23C14/28
CPC分类号： C23C14/246 , C23C14/28
摘要： Gegenstand der Erfindung ist eine Vorrichtung für das Aufdampfen von anorganischen Verbindungen mittels einer Photonenerzeugenden thermischen Strahlungsheizquelle in kontinuierlich betriebenen Vakuumbedampfungsanlagen. Die Vorrichtung besteht aus dem Aufdampfgut, das aus pulverförmigen anorganischen Verbindungen mit Schmelzpunkten > 1000°C, gegebenenfalls im Gemisch mit Elementen mit Schmelzpunkten > 1000°C durch Vermischen unter Formgebung hergestellt worden ist und aus der thermischen Strahlungsheizquelle, wobei Aufdampfgut und thermische Strahlungsheizquelle kontaktlos verbunden sind. Das Aufdampfgut ist als mindestens ein vorzugsweise poröser Festkörper ausgebildet und Festkörper und/oder thermische Strahlungsheizquelle sind beweglich angeordnet. Die Bewegung des Aufdampfgutes kann dadurch bewerkstelligt werden, daß dieses entweder auf einem Träger beweglich angeordnet oder mit einem beweglich angeordneten Trager verbunden ist, derart, daß der unbeweglich angeordneten thermischen Strahlungsheizquelle kontinuierlich unverbrauchtes Aufdampfgut nachgeliefert wird. Mit Hilfe dieser Vorrichtung können beliebige Substrate insbesondere Folien in kontinuierlichen Vakuumbedampfungsanlagen mit hochschmelzenden anorganischen Verbindungen durch einfaches oder reaktives Aufdampfen mit hoher Aufdampfrate gleichmäßig beschichtet werden.
摘要翻译：本发明通过在连续操作的热真空气相沉积的光子产生辐射热的装置涉及一种用于无机化合物的蒸镀装置。该装置由具有与通过将具有> 1000℃的熔点的元素，与成形和来自热辐射热源> 1000℃下，在混合，其中Aufdampfgut和热辐射加热源连接无接触的熔点被任选制成粉末状无机化合物的Aufdampfgut的是。所述Aufdampfgut优选为至少一个多孔固体形成，并且所述固体和/或热辐射热源可移动地设置。所述Aufdampfgutes的移动可以通过以下事实，这是任一可移动地设置在载体上或连接到一个可移动布置的换能器，使得所述不可移动地布置的热辐射热源连续未使用的Aufdampfgut被补充来完成。使用该装置，任何衬底可以均匀地在特定的膜涂覆的连续真空蒸镀与hochsmelzenden无机化合物或简单地通过具有高沉积速率反应性溅射。

49. 发明公开

EP0166908A1 Verfahren zur Herstellung von mit Bor legierten Stählen 有权
标题翻译： Verfahren zur Herstellung von mit Bor legiertenStählen。
公开(公告)号：EP0166908A1
公开(公告)日：1986-01-08
申请号：EP85105505.3
申请日：1985-05-07
申请人： Elektroschmelzwerk Kempten GmbH
发明人： Benecke, Theodor, Dr. , Schwetz, Karl, Dr. Dipl.-Chem. , Prietzel, Siegfried, Dr. , Pfannenschmidt, Carl W., Dr. , Schmitt-Thomas, Karl-Heinz, Prof. Dr. , Meisel, Heinrich, Dr. , Barth, Albert, DI
IPC分类号： C22C33/04 , C21C7/00 , B22D11/00
CPC分类号： C22C33/00 , B22D1/00 , C21C7/0056 , C21C2007/0018
摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von mit Bor legierten Stählen, bei dem für das Einbringen von Bor unter desoxidierenden Bedingungen in die Stahlschmelze in der Pfanne vor dem Vergießen Calciumhexaborid als Borlegierungsträger verwendet wird. Das CaB 6 kann in Pulverform mit Teilchengrößen von 0,01 bis 1,00 mm mit Hilfe eines Hohldrahtes oder eines inerten Trägergases gegebenenfalls zusammen mit Desoxidationsmitteln, wie Al, Ca oder CaSi, eingeführt werden.
摘要翻译： 1.一种用于在脱铝条件下将作为硼合金载体的硼化合物或硼合金的硼以铸造形式引入钢包中的钢水中的硼合金钢的生产方法，其特征在于使用的硼合金载体为六硼化钙

50. 发明公开

EP0166412A2 Polykristalline Sinterkörper auf Basis von Siliciumnitrid und Sinteradditiven 有权
标题翻译：基于氮化硅和烧结助剂的多晶烧结体。
公开(公告)号：EP0166412A2
公开(公告)日：1986-01-02
申请号：EP85107801.4
申请日：1985-06-25
申请人： Elektroschmelzwerk Kempten GmbH
发明人： Steinmann, Detlef, Dr. Dipl. Ing. , Lipp, Alfred, Dr. Dipl.-Chem.
IPC分类号： C04B35/58
CPC分类号： C04B35/584 , C04B35/593 , C04B35/5935
摘要： Gegenstand der Erfindung sind polykristalline Sinterkörper, die aus mindestens 50 Gew.-% einer kristallinen Siliciumnitridphase, von der mindestens 90 Gew.-% in der ß-Modifikation vorliegen und aus mindestens einer sekundären, kristallinen, intergranularen Silicatphase bestehen, mit
einer Dichte von mindestens 99% der theoretisch möglichen Dichte,
einem Elastizitätsmodul bei Raumtemperatur von kleiner 300 KN/mm 2 ,
einer Kurzzeitbiegefestigkeit bei Raumtemperatur von mindestens 600 N/mm 2 , gemessen nach der 4-Punkt-Methode, die bis 1200 °C um weniger als 50% abfällt und einer Langzeitbiegefestigkeit, gemessen nach der 4-Punkt-Methode, die durch einen Zahlenwert von grösser 40 bei 1200 °C für den Rissempfindlichkeitsparameter n charakterisiert ist.
Diese polykristallinen Sinterkörper werden durch Sintern mit oder ohne Druckanwendung aus Siliciumnitridpulvern, kristallinen Silicaten natürlicher oder synthetischer Herkunft mit Schmelzpunkten im Bereich von 1350 °C bis 1950 °C als Sinteradditive und Metallcarbiden mit Schmelzpunkten ab 1500 °C als Keimbildner hergestellt. Als Ausgangsmaterial werden homogene Pulvergemische aus mindestens 50 Gew.-% Siliciumnitrid, von dem mindestens 80 Gew.-% in der a-Modifikation vorliegen, mit einem Anteil von Verunreinigungen in Form von Oxiden und freiem Kohlenstoff von nicht mehr als 4,0 Gew.-%, einer spezifischen Oberfläche von 3 bis 15 m 2 /g (gemessen nach BET), höchstens 49,5 Gew.-% der kristallinen Silicate und mindestens 0,5 Gew.-% der Carbidkeimbildner mit durchschnittlichen Teilchengrössen von
摘要翻译：本发明涉及多晶烧结体由至少50重量的结晶硅氮化物相的％，至少90重量的β-修饰的存在的％和由至少一个次级结晶晶间硅酸盐相的，具有的密度至少 99％的理论上可能的密度，在低于300 KN /平方毫米的室温弹性模量，短期在至少600牛顿/平方毫米的室温弯曲强度，如由4点方法，它下降到1200℃，以低于50％的测量和如由4点的方法，其中在1200℃下的裂纹敏感性参数n的特征在于大于40的数值测量的长期的抗弯强度。由具有或不具有在1350℃至1950℃的烧结助剂和具有1500℃作为成核剂的熔点的金属碳化物的范围内的氮化硅粉末，的天然或合成来源具有熔点的结晶硅酸盐的压力施加烧结由这些多晶烧结体。作为起始材料为至少50重量％的氮化硅的均匀的粉末混合物，其存在为至少80重量％的α-修改与杂质氧化物和不大于4.0的游离碳的形式的比例。 - ％，为3〜15米2 /克（按照BET法测定）的比表面积，Carbidkeimbildner不超过49.5重量％的结晶性硅酸盐和至少0.5重量％的使用具有<2微米的平均颗粒尺寸。

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