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    • 21. 发明公开
    • PROCEDE DE COMPENSATION EN TEMPERATURE D'UN DETECTEUR D'IMAGE
    • 程序温度修正在图像传感器
    • EP1243131A1
    • 2002-09-25
    • EP00990831.0
    • 2000-12-28
    • Trixell S.A.S.
    • DUCOURANT, ThierryThomson-CSF Propr. Intellect.
    • H04N5/217
    • H04N5/361H04N5/3597H04N5/3655H04N5/374
    • The invention concerns a method for temperature compensation in an image sensor comprising photosensitive points (O1 to O6, R1 to R9) sensitive to room temperature, each connected to a line conductor (Y1 to Y3) and a column conductor (W1, W2, Z1 to Z3). Each of the photosensitive points is connected by one of its conductors to a reading circuit (30a, 30b). The photosensitive points are divided into sensing photosensitive points (R1 to R9) designed to be exposed to a light information translating the image to be detected, the reading circuits (30b) associated with said photosensitive points delivering each a measurement voltage representing the image to be detected and into blind photosensitive points (O1 to O6) protected from the light information, the reading circuits (30a) associated with said blind sensitive points delivering each a darkness voltage enabling temperature compensation. When an image is detected, the method consists in collecting darkness voltages derived from one or several detected images and in using the average correction value to generate a correction voltage (VDR) to be applied, when a subsequent image is detected, to the reading circuits (30b) associated with the sensing photosensitive points (R1 to R9) so that they deliver a substantially temperature-independent measurement voltage. The invention is particularly applicable to radiological image detectors.
    • 30. 发明公开
    • Circuit de lecture de charges protégé contre des surcharges provenant de charges de polarité non desirée
    • 电荷读取电路保护,防止造成不必要的收费极性超载
    • EP1109171A1
    • 2001-06-20
    • EP00403491.4
    • 2000-12-12
    • Trixell S.A.S.
    • Ducourant, Thierry, Thomson-CSF Prop. Intell.
    • G11C27/02
    • G11C27/026
    • La présente invention est un circuit de lecture de charges injectées à son entrée (E) comportant un transistor MOS de lecture (M1) dont le type conditionne la polarité des charges que le circuit de lecture est capable de lire sans se bloquer, et un condensateur d'intégration (C) monté entre une première électrode de la paire drain-source du transistor MOS de lecture (M1) et un potentiel de référence (VDR). L'entrée (E) du circuit se trouve au niveau de la seconde électrode de la paire drain-source du transistor MOS de lecture (M1). Les charges injectées doivent traverser le transistor MOS de lecture (M1) pour être intégrées par le condensateur (C). Le transistor MOS de lecture (M1) est commandé par une tension de contrôle (V1 ) variant de manière sensiblement inversement proportionnelle par rapport à la tension (Ve) à l'entrée. Il comporte des moyens (A2) pour détecter, l'arrivée à l'entrée (E) de charges de polarité opposée à celles qu'il est capable de lire et des moyens (M2) pour imposer à la tension à l'entrée, après une telle détection, une valeur d'équilibre (VDRN) égale ou proche d'une valeur de base (Vb) qu'elle prend entre deux intégrations successives de charges de la polarité désirée, de manière à éviter un blocage prolongé du transistor MOS de lecture (M1) lors de l'arrivée de charges de polarité désirée.
    • 电荷读取电路(300)具有在未遮挡使用均衡值的哪一个(VDRN)约等于基本值(Vb)中被施加到输入电压MOS晶体管(M2)(VE)当检测到的与不希望的极性的电荷接收 由反相器放大器(A2)。 放大器(A2)检测的与不希望的极性的电荷在所述输入端(E)当控制电压(V1),所有这些是反比于输入电压的到来,从选择切换阈值而不同。 由反相器放大器(A2)的输出来控制所述解封MOS晶体管(M2),规定了平衡值的输入电压,以防止读出MOS晶体管(M1)的延长的阻塞。