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    • 22. 发明授权
    • BLOCK WRITE CIRCUIT AND METHOD FOR WIDE DATA PATH MEMORY DEVICES
    • 方法与电路中的分组写作STORE宽总线
    • EP1116237B1
    • 2004-12-22
    • EP99968268.5
    • 1999-08-25
    • MICRON TECHNOLOGY, INC.
    • MERRITT, Todd, A.BUNKER, Layne
    • G11C7/00G11C11/409
    • G11C7/1048G11C7/1006G11C11/4096G11C2207/002G11C2207/104G11C2207/108G11C2207/229
    • A block write circuit in a memory device having a wide internal data path performs block write and data masking functions. The memory device includes a plurality of data terminals adapted to receive respective data signals, and a plurality of array groups each including a plurality of arrays and each array includes a plurality of memory cells. A plurality of input/output line groups each include a plurality of input/output lines coupled to the arrays of an associated array group. The block write circuit comprises a plurality of write driver groups, each write driver group including a plurality of write driver circuits having outputs coupled to respective data lines in an associated data line group. Each write driver circuit includes an input and develops a data signal on its output responsive to a data signal applied on its input. A multiplexer circuit includes a plurality of inputs coupled to respective data terminals, and a plurality of output subgroups. Each output subgroup is associated with a respective input, and each output group includes a plurality of outputs coupled to the write driver circuits in an associated write driver group. The multiplexer circuit operates responsive to a control in a block write mode to couple each of its inputs to the outputs in the associated output subgroup. A masking circuit may also mask data from respective input/output lines responsive to masking signals.
    • 23. 发明公开
    • ELECTRIC POWER STEERING APPARATUS CONTROL APPARATUS
    • 电动转向装置控制装置
    • EP1470987A1
    • 2004-10-27
    • EP03700482.7
    • 2003-01-08
    • NSK Ltd.
    • ENDO, Shuji, NSK LTD.RIJANTO, Estiko, NSK LTD.CHEN, Hui, NSK LTD.
    • B62D5/04B62D6/00
    • B62D5/0463B62D6/008
    • In the electric power steering apparatus which controls a motor that gives a steering assisting force to a steering mechanism based on an electric current controlling value which is computed from a steering assisting command value which has been computed by a computing device based on a steering torque generated in a steering shaft and an electric current value of the motor, provided are a self-aligning torque estimating section which estimates a self-aligning torque by a disturbance observer constitution and a steering torque feedback section which performs definition of a steering reaction force based on a self-aligning torque estimated value which has been estimated by the self-aligning torque estimating section and feeds the steering reaction force back to the steering torque.
    • 在基于根据由计算装置基于产生的转向转矩计算出的转向辅助指令值计算出的电流控制值来控制对转向机构赋予转向辅助力的电动机的电动动力转向装置 在转向轴和电动机的电流值中,设置有自动回正转矩估计部,该自动回正转矩估计部通过干扰观察器构成来估计自动回正转矩,并且基于转向反力的定义来进行转向反力的定义 已经由自动回正转矩估计部分估计的自动回正转矩估计值并将转向反作用力反馈给转向转矩。
    • 26. 发明公开
    • In einer integrierten Halbleiterschaltung gebildeter weitgehend spannungsunabhängiger elektrischer Widerstand
    • 在基本上形成在半导体集成电路与电压无关的电抗性
    • EP1045445A3
    • 2004-09-15
    • EP00107870.8
    • 2000-04-12
    • STMicroelectronics GmbH
    • Viebach, Michael
    • H01L27/08
    • H01L27/0802
    • In einer integrierten Halbleiterschaltung integrierter elektrischer Widerstand, aufweisend: einen Nutzwiderstand mit zwei voneinander beabstandeten Nutzwiderstandsanschlußkontaktzonen (21,27) und einer dazwischen befindlichen Nutzwiderstandszone (17,19) aus Halbleitermaterial; und einen Hilfswiderstand mit zwei voneinander beabstandeten Hilfswiderstandsanschlußkontaktzonen (29,29a) und einer dazwischen befindlichen Hilfswiderstandszone (13); wobei die Hilfswiderstandszone (13) in unterhalb der Nutzwiderstandszone (17,19) befindlichem Halbleitermaterial gebildet ist; zwischen Nutzwiderstandszone (17,19) und Hilfswiderstandszone (13) eine Zwischenzone (41,43) vorhanden ist; die Nutzwiderstandszone (17,19) und die Hilfswiderstandszone (13) eine im wesentlichen übereinstimmende Topographie aufweisen; und die Hilfswiderstandsanschlußkontaktzonen (29, 29a) und die Nutzwiderstandsanschlußkontaktzonen (21, 27) derart beschaltet sind, daß bei Anschluß der Halbleiterschaltung an eine Versorgungsspannungsquelle die Hilfswiderstandsanschlußkontaktzone (29) an einem Ende der Hilfswiderstandszone (13) und die Hilfswiderstandsanschlußkontaktzone (29a) am anderen Ende der Hilfswiderstandszone (13) je die gleiche Potentialdifferenz gegenüber der je benachbarten Nutzwiderstandsanschlußkontaktzone (21, 27) aufweisen.
    • 电阻具有半导体材料的两个间隔开的接触区(21,27)之间和辅助电阻区(13)的有用性区(17,19),带有辅助接触电阻区域(29,29a),在所形成的 半导体材料是有用的电阻带,在有用的和辅助电阻区之间的中间区(41,43)。 两者auxili电阻接触区具有潜在的相对相同的差到相邻的有用电阻接触区当半导体电路以AC源极耦合到。 所以被包括为以下权利要求独立:在集成半导体电路(a)中的电阻链; (B)到音频信号使用阻尼电路到集成电路电阻链