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91. 发明公开

EP0075589A4 GATED DIODE SWITCH. 失效
标题翻译：门控开关二极管。
公开(公告)号：EP0075589A4
公开(公告)日：1984-02-15
申请号：EP82901270
申请日：1982-03-25
申请人： WESTERN ELECTRIC CO
发明人： HARTMAN ADRIAN RALPH , RILEY TERENCE JAMES , SHACKLE PETER WILLIAM
IPC分类号： H01L29/747 , H01L21/76 , H01L29/739 , H03K17/567 , H03K17/72 , H03K17/94 , H01L29/74 , H01L27/02 , H01L27/12 , H01L27/14 , H01L29/06 , H03K3/35
CPC分类号： H03K17/941 , H01L29/7392 , H03K17/567

92. 发明公开

EP0047392A3 High-voltage semiconductor switch 失效
标题翻译：高压半导体开关
公开(公告)号：EP0047392A3
公开(公告)日：1983-07-20
申请号：EP81105991
申请日：1981-07-30
申请人： Deutsche ITT Industries GmbH , ITT INDUSTRIES INC.
发明人： Pernyeszi, Joseph
IPC分类号： H01L27/06 , H01L29/78 , H03K17/00
CPC分类号： H01L27/0722 , H01L27/0716 , H01L29/7393 , H01L29/7397 , H03K17/567

93. 发明公开

EP0075589A1 GATED DIODE SWITCH 失效
标题翻译：门控开关二极管。
公开(公告)号：EP0075589A1
公开(公告)日：1983-04-06
申请号：EP82901270.0
申请日：1982-03-25
申请人： Western Electric Company, Incorporated
发明人： HARTMAN, Adrian Ralph , RILEY, Terence James , SHACKLE, Peter William
IPC分类号： H01L29 , H01L21 , H03K17
CPC分类号： H03K17/941 , H01L29/7392 , H03K17/567
摘要： Commutateur de haute tension a l'etat solide permettant un blocage bidirectionnel. se composant d'un premier corps de semi-conducteur du type p (16) separe d'un organe de support (substrat semi-conducteur) par une couche dielectrique (14) pourvue d'une region d'anode du type p (18) situee a une extremite du corps semi-conducteur, une region de cathode du type n + (24) situee a l'autre extremite, et une region de porte du type n + (20) situee entre les regions d'anode et de cathode. Le commutateur peut commuter dans un etat 'ARRET' (blocage), portant ainsi la region de la porte a la tension de l'anode. La concentration du support de la partie en vrac du corps semi-conducteur varie entre 2 x 1012 a 2 x 1013 impuretes/cm3. Un chemin resistif (R1) peut relier les regions d'anode et de cathode. Des circuits uniques de commandes sont aussi decrits.

94. 发明公开

EP0065269A2 Switching device and circuit 失效
标题翻译：电路和开关电路。
公开(公告)号：EP0065269A2
公开(公告)日：1982-11-24
申请号：EP82104128.2
申请日：1982-05-12
申请人： Hitachi, Ltd.
发明人： Sasayama, Takao , Kato, Kazuo , Naito, Masayoshi
IPC分类号： H01L27/06 , H03K17/00
CPC分类号： H01L27/0716 , H01L27/088 , H03K17/567
摘要： A switching device and circuit comprises a bi-polar transistor (3, 3') and at least two field effect transistors (1, 2, 24, 30) for controlling the bi-polar transistor. A first field effect transistor (1, 30) has its drain and source connected across the collector-base of the bi-polar transistor and a second field effect transistor (2, 24) has its drain and source connected across the base-emitter of the bi-polar transistor. Gates of the first and second field effect transistors are connected in common and applied with a voltage signal. The first field effect transistor (1, 30) is of an enhancement type and the second field effect transistor (2, 24) is of a depletion type.

95. 发明公开

EP0055644A1 Transistor MOS à fonctionnement bipolaire en saturation 失效
标题翻译： MOS-Transistor mit bipolarer Wirkungsweise wenn inSättigungbetrieben。
公开(公告)号：EP0055644A1
公开(公告)日：1982-07-07
申请号：EP81401934.5
申请日：1981-12-04
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Rufray, Jean-Claude , Descamps, Bernard
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/06
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L27/0716 , H01L29/7304 , H01L29/7801 , H01L29/7802 , H01L29/7813 , H03K17/567
摘要： La présente invention concerne un circuit associant un transistor MOS (30) à un transistor bipolaire (31). La base (B) du transistor bipolaire est reliée à la grille (G) du transistor MOS par l'intermédiaire d'un dispositif à seuil (32). Cette base est reliée à la source du transistor MOS par l'intermédiaire d'une résistance de forte valeur (33). Ainsi, quand la tension de commande sur la borne (G), s'éléve au-dessus d'un seuil, c'est le transistor bipolaire (31) qui assure la conduction du courant entre les bornes (D et S). Ce circuit peut être réalisé en utilisant comme transistor bipolaire (31) le transistor habituellement considéré comme parasite existant dans une structure de transistor MOS de type DMOS ou VMOS.
摘要翻译：绝缘栅场效应晶体管（30）与双极晶体管（31）相连，漏极连接到集电极和源极到发射极，控制端（G）连接到栅极，其特征在于：双极晶体管的基极（B）一方面通过阈值器件（32）连接到场效应晶体管的栅极（G），另一方面连接到发射极和源极（S）之间的连接，通过高值的电阻器（33），其结果是像用于低控制电压的场效应晶体管类似于用于高于阈值器件的阈值的控制电压的双极晶体管。

96. 发明公开

EP0053113A1 CONTROL CIRCUITRY USING TWO BRANCH CIRCUITS FOR HIGH-VOLTAGE SOLID-STATE SWITCHES 失效
标题翻译：控制电路两个分支电路，用于高压开关SHALBLEITER。
公开(公告)号：EP0053113A1
公开(公告)日：1982-06-09
申请号：EP81900321.0
申请日：1980-12-22
申请人： Western Electric Company, Incorporated
发明人： DAVIS, James Alvin , MACPHERSON, William Frederick , MUSSMAN, Harry Edward , SHACKLE, Peter William
IPC分类号： H01L29 , H03K17
CPC分类号： H03K17/785 , H03K17/567 , H03K17/74
摘要： Pour commuter un premier commutateur a diode portillonnee (GDSL1) sur l'etat "OFF" il est necessaire d'appliquer une tension sur la porte qui soit plus positive que celle de l'anode ou de la cathode et une source de courant dans la porte sensiblement du meme ordre de grandeur que celui qui passe entre l'anode et la cathode du premier commutateur. Un circuit de commande, qui utilise un second commutateur a diode portillonnee (GDSC) couple par la cathode a la porte du premier commutateur (GDSL1), est utilise pour commander l'etat du premier commutateur (GDSL1). Le circuit de commande comprend aussi un premier circuit de derivation couple a l'anode du GDSC et a une premiere source de potentiel V1 et un second circuit de derivation couple a l'anode de GDSC et a une seconde source de potentiel V2 qui est d'un potentiel inferieur a V1. Le second circuit de derivation possede une haute tension et un commutateur ayant une capacite d'intensite de courant elevee en serie entre V2 et l'anode de GDSC. Le premier circuit de derivation possede une tension elevee mais un commutateur de courant modeste en serie entre V1 et l'anode de GDSC. Le second circuit de derivation est utilise pour produire un a-coup de courant si necessaire et, lorsque cela est necessaire, pendant l'operation de disjonction du courant pour placer GDSL1 sur l'etat "OFF" et le premier circuit de derivation est utilise pour maintenir l'etat du commutateur de charge. Le second circuit de derivation peut etre partage par de nombreux circuits de commande.

97. 发明公开

EP0020978A1 Dispositif de commutation et son application à une alimentation de puissance du type commuté 失效
标题翻译：开关装置和其以脉冲电源电路的应用。
公开(公告)号：EP0020978A1
公开(公告)日：1981-01-07
申请号：EP80102570.1
申请日：1980-05-09
申请人： International Business Machines Corporation
发明人： Jacquart, Christian
IPC分类号： H03K17/687 , H01L27/06 , H02M3/335
CPC分类号： H02M3/3372 , H01L27/0716 , H03K17/567
摘要： Dispositif de commutation présentant des temps de commutation réduits et une résistance faible dans l'état fermé. II comprend un transistor (21) du type V MOS par exemple et un transistor (20) du type NPN par exemple, montés en parallèle et recevant des impulsions de commande d'ouverture et de fermeture sur la grille (23) et sur la base (22). Ces impulsions sont telles que les fermetures des deux éléments (20) et (21) se produisent simultanément et que l'ouverture de (20) se produit avant celle de (21). Application aux alimentations de puis- 'sance du type commuté.

98. 发明公开

EP4401314A2 CONTACTOR DRIVES 审中-公开
公开(公告)号：EP4401314A2
公开(公告)日：2024-07-17
申请号：EP24151457.9
申请日：2024-01-11
申请人： Hamilton Sundstrand Corporation
发明人： JOYCE, Thomas P.
IPC分类号： H03K17/22 , H03K17/567 , H03K17/64 , H03K17/691 , H01H47/00 , H01H47/04 , H01H47/10 , H01H47/32 , H03K17/785
CPC分类号： H03K17/22 , H03K2017/687520130101 , H03K17/567 , H03K2217/007220130101 , H03K17/64 , H03K17/785 , H01H47/04 , H01H47/10 , H01H47/32 , H01H47/001
摘要： A low-side contactor coil drive circuit can include an input line (101) and a first solid state switch (103) having a first switch base (103b), a first switch collector (103c), and a first switch emitter (103e). The first switch collector (103c) can be connected to the input line (101) and the first switch emitter (103e) is connected to ground. The circuit can include a second solid state switch (105) having a second switch base (105b), a second switch collector (105c), and a second switch emitter (105e). The second switch emitter (105e) can be connected to the input line (101) in parallel with the first switch collector (103c). The second switch collector (105c) can be connected to the first switch base (103b). The circuit can include a third solid state switch (107) having a third switch gate (107g), a third switch source (107s), and a third switch drain (107d). The third switch drain (107d) can be connected to the second switch base (105b).

99. 发明公开

EP3409547A1 ELECTRONIC BRAKING ARRANGEMENTS 有权
公开(公告)号：EP3409547A1
公开(公告)日：2018-12-05
申请号：EP18175045.6
申请日：2018-05-30
申请人： Simmonds Precision Products, Inc.
发明人： DURKEE, Scott R.
IPC分类号： B60T8/17 , B60T13/74 , H02P27/06
CPC分类号： B64C25/44 , B60T8/1703 , B60T13/741 , F16D55/36 , F16D2121/18 , H02P27/06 , H03K17/567
摘要： An electronic braking arrangement includes a brake stack assembly, a driver circuit, a current limiter circuit, and a voltage limiter circuit. The driver circuit is operably connected to the brake stack assembly. The current limiter circuit and the voltage limiter circuit are connected in series between the driver circuit and the brake stack assembly to drive friction brake loads in the brake stack assembly with a voltage limited constant drive current.

100. 发明授权

EP2991227B1 DRIVING DEVICE AND SWITCHING CIRCUIT CONTROL METHOD 有权转让
公开(公告)号：EP2991227B1
公开(公告)日：2018-10-03
申请号：EP14788613.9
申请日：2014-03-03
申请人： TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
发明人： TOSHIYUKI, Ken , TSUTSUI, Tokuro
IPC分类号： H03K17/16 , H02M1/08 , H03K17/687 , H02M7/538 , H03K5/24 , H03K17/567 , H03K19/0175 , H03K17/30 , H02M1/00
CPC分类号： H03K17/567 , H02M1/08 , H02M7/538 , H02M2001/0048 , H03K5/24 , H03K19/017509 , H03K2017/307 , Y02B70/1491
摘要： A driving device includes a switching circuit configured to have switching elements disposed on a high side and a low side, the switching element including a first electrode, a second electrode, and a reverse conducting element disposed between the first electrode and the second electrode; and a determination part configured to determine whether to permit the switching element to turn on, based on a result obtained by detecting a voltage between the first electrode and the second electrode, in a period during which the switching elements on both sides are off.

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