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1. 发明授权

CN114203902B 一种利用钙钛矿微米晶实现室温下负微分电阻的方法有权
公开(公告)号：CN114203902B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202010975692.7
申请日：2020-09-16
申请人：南开大学
发明人：向东 , 赵智宾 , 倪立发 , 李跃龙 , 王文铎 , 尹凯凯
IPC分类号： H01L47/00
摘要：一种利用钙钛矿微米晶实现室温下负微分电阻（NDR）的方法，通过使用镓铟合金（EGaIn）针尖，CH3NH3PbBr3钙钛矿微米晶，和硅基底上的单层石墨烯组成三明治结构，在405nm紫光照射下，由于离子在电极/钙钛矿界面处的分离和累积产生的补偿电场屏蔽了外部施加的电场并增强了光生载流子的重组，使得I‑V曲线呈现出负微分电阻效应。该技术对未来新型集成半导体器件在室温高电压下能够稳定正常地工作提供了新的方法手段。

2. 发明授权

CN108598258B 一种具有静态负微分电阻特性的太赫兹器件失效
公开(公告)号：CN108598258B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201810394455.4
申请日：2018-04-27
申请人：华南师范大学
发明人：王越 , 许坤远 , 王剑莹
IPC分类号： H01L47/02 , H01L47/00
摘要：本发明涉及一种具有静态负微分电阻特性的太赫兹器件，包括绝缘衬底层、二维半导体导电层、绝缘保护层、穿透所述二维半导体导电层的绝缘刻槽、输入电极和输出电极；所述绝缘刻槽包括第一绝缘刻槽和第二绝缘刻槽，所述第一绝缘刻槽和第二绝缘刻槽间隔设置，两者之间形成纳米沟道，并将二维半导体导电层除纳米沟道以外的区域分隔成第一低电阻区域和第二低电阻区域；所述纳米沟道与输入电极、输出电极相互平行；所述第一低电阻区域和第二低电阻区域分别与输入电极和输出电极相连，且通过纳米沟道相互导通。本发明器件可以产生明显的静态负微分电阻效应，基于该效应可实现宽频带的太赫兹辐射。

3. 发明授权

CN107819071B 一种平面耿氏毫米波、太赫兹功率放大器及其制备方法失效
公开(公告)号：CN107819071B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201711046073.4
申请日：2017-10-31
申请人：山东大学
发明人：宋爱民 , 王汉斌 , 张翼飞 , 王卿璞
IPC分类号： H01L47/02 , H01L47/00
摘要：本发明涉及一种平面耿氏毫米波、太赫兹功率放大器及其制备方法，由下至上依次包括衬底、沟道层及共平面波导电极，沟道层的载流子浓度为1×1014～1×1017cm‑3，沟道层的长度为1～10μm，沟道层的载流子浓度与沟道层的长度的乘积N的取值范围为1×1011cm‑2＜N＜1×1014cm‑2。本发明设计平面结构的耿氏功率放大器，器件具有明显的负微分电阻效应，能够实现微波到太赫兹频率的功率放大。有利于平面耿氏器件作为微波或太赫兹放大器在微波及太赫兹通信、雷达、成像等领域的应用。

4. 发明公开

CN107819071A 一种平面耿氏毫米波、太赫兹功率放大器及其制备方法失效
公开(公告)号：CN107819071A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711046073.4
申请日：2017-10-31
申请人：山东大学
发明人：宋爱民 , 王汉斌 , 张翼飞 , 王卿璞
IPC分类号： H01L47/02 , H01L47/00
摘要：本发明涉及一种平面耿氏毫米波、太赫兹功率放大器及其制备方法，由下至上依次包括衬底、沟道层及共平面波导电极，沟道层的载流子浓度为1×1014～1×1017cm-3，沟道层的长度为1～10μm，沟道层的载流子浓度与沟道层的长度的乘积N的取值范围为1×1011cm-2＜N＜1×1014cm-2。本发明设计平面结构的耿氏功率放大器，器件具有明显的负微分电阻效应，能够实现微波到太赫兹频率的功率放大。有利于平面耿氏器件作为微波或太赫兹放大器在微波及太赫兹通信、雷达、成像等领域的应用。

5. 发明授权

CN104681721B 基于notch结构的GaN耿氏二极管及制作方法有权转让
公开(公告)号：CN104681721B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201510117491.2
申请日：2015-03-15
申请人：西安电子科技大学
发明人：杨林安 , 许详 , 张进成 , 郝跃
IPC分类号： H01L47/02 , H01L47/00
摘要：本发明公开了一种基于notch结构的GaN耿氏二极管及其制作方法，主要解决现有耿氏器件中渡越层位错浓度高、散热性差的问题。该二极管自下而上为：SiC衬底、AlN成核层、下n+GaN阴极欧姆接触层、AlGaN电子发射层、上n+GaN阴极欧姆接触层、GaN notch层、n‑GaN渡越层和n+GaN阳极欧姆接触层的多层结构，Al组分自下而上由0％线性渐变到20％。在下n+GaN阴极欧姆接触层的上方和SiC衬底的下方分别设有环形电极和衬底电极，n+GaN阳极欧姆接触层的上方为圆形电极，环形电极和圆形电极上方设有钝化层。本发明能显著降低位错浓度，减小“死区”长度，适用于太赫兹频段工作。

6. 发明公开

CN102738392A 一种耿氏二极管、其制备方法及毫米波振荡器有权转让
公开(公告)号：CN102738392A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210233913.9
申请日：2012-07-06
申请人：中国科学院微电子研究所
发明人：武德起 , 贾锐 , 金智 , 刘新宇 , 叶甜春
IPC分类号： H01L47/02 , H01L47/00 , H01P7/00
摘要：本发明公开了一种耿氏二极管、其制备方法及功率合成毫米波振荡器，属于半导体器件技术领域。该耿氏二极管由下至上依次包括集成热沉、金属电极、渡越层、第二接触层、顶电极和金加厚电极。该制备方法包括：在半导体衬底上依次生长第一接触层、渡越层及第二接触层，在样品表面腐蚀深槽，蒸发电极并电镀热沉，去除衬底，蒸发顶电极，干法刻蚀形成耿氏二极管。该毫米波振荡源将上述制备的一致性很好的耿氏二极管成对封于波导腔内的共振帽下、间隔λg/2前后排开。该方法减小了材料加工易碎性；改善了器件的散热性能；减少了器件性能差异。该毫米波振荡器是多个耿氏二极管耦合后射频输出，成倍增大输出功率。

7. 发明授权

CN101346829B 使用半导体微影技术制备单电子晶体管的方法失效
公开(公告)号：CN101346829B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200680049326.7
申请日：2006-12-29
申请人：林明农 , 陈崇钦
发明人：林明农
IPC分类号： H01L47/00 , H01L29/06
CPC分类号： C23C14/044 , B82Y10/00 , C23C14/042 , C23C14/225 , G03F7/40 , H01L29/66439 , Y10S438/962 , Y10S977/762 , Y10S977/771 , Y10S977/774 , Y10S977/938
摘要：本发明提供一种使用半导体微影技术制备单电子晶体管的方法，其步骤包含：(a)在既定成型于基材(substrate)上的纳米结构筒状细孔(pore)的顶部开口上，以原子或分子态的材料堆积黏着于该顶部开口，使其顶部开口的口径逐渐缩小而形成一较原有顶部开口口径为小的纳米缩小口(reduced nano-aperture)；(b)将基材固定在水平方向，再以气体分子或原子型态的镀源材料垂直正对于该纳米缩小口，使该镀源材料穿透该纳米缩小口后，即会直接在纳米结构筒状细孔的底部基材表面上，镀着形成一个与该纳米缩小口的口径尺度相同的浮栅纳米量子点；(c)先令基材以纳米缩小口为中心向右倾斜一倾斜角度，且镀源材料输出方向不变，再次将该镀源材料穿透该纳米缩小口，即会在该浮栅纳米量子点的右侧位置的基材表面上，镀着出一漏极纳米量子点；(d)再令基材以纳米缩小口为中心向左倾斜一倾斜角度，且镀源材料输出方向不变，再次将该镀源材料穿透该纳米缩小口，即会在该浮栅纳米量子点的左侧位置的基材表面上，镀着出一源极纳米量子点；(e)以纳米缩小口的中心线作为轴心，并配合一倾斜角度而旋转一旋转角度，且镀源材料输出方向不变，即会在该浮栅的前侧位置的基材表面上，镀着出一栅极纳米量子点；(f)最后以溶剂洗涤(即湿式蚀刻wet etching)或气体腐蚀(即干式蚀刻dry etching)等方式将基材阻剂上的纳米结构筒状细孔消除，即可在基材上制备出具有纳米尺度的浮栅纳米量子点、漏极纳米量子点、源极纳米量子点与栅极纳米量子点结构的单电子晶体管。

8. 发明授权

CN1243371C 一种高反压低负阻硅晶体管的制造方法失效
公开(公告)号：CN1243371C
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN03112410.0
申请日：2003-06-10
申请人：山东师范大学
发明人：裴素华
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/331 , H01L47/00
摘要：高反压低负阻硅晶体管的制造方法，属于高反压晶体三极管的制造技术领域。包括N型抛光硅片的清洁处理，一次氧化，基区开管扩镓，一次光刻及后序常规工艺，在开管扩镓之后，一次光刻之前，采用低压气相沉积的方法在SiO2上面生长厚度为1000的氮化硅Si3N4薄膜。在开管扩镓时，为了保证产品的高电压和大电流输出特性，本发明采用低浓度掺杂、结深推移和后表面高浓度掺杂，且在同一炉内连续完成，以形成P型Ga基区。本发明利用Si3N4薄膜掩蔽镓元素扩散的特性来阻止磷扩散再分布过程中近硅表面杂质Ga的外扩散，改善与提高了小注入情况下的放大性能，大幅度减小了Ga基区晶体管的负阻效应。

9. 发明公开

CN1067765A 阈值开关器件失效
公开(公告)号：CN1067765A
公开(公告)日：1993-01-06
申请号：CN92103131.9
申请日：1992-04-30
申请人：埃克森化学专利公司
发明人：凯瑟·威托恩·米歇尔 , 尤多·C·湃尔尼兹
IPC分类号： H01L45/00 , H01L47/00
CPC分类号： H01L45/1608 , G06N3/063 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/145 , Y10T428/265 , Y10T428/31678
摘要：本发明涉及一种形成呈现负微分电阻特性的阈值开关器件的方法，以及用该方法形成的器件。该方法包括：将从硅倍半烷树脂获得的二氧化硅膜淀积在至少两个电极之间，并在电极之间施加一个高于阈值电压的电压。

10. 发明公开

CN112331769A 基于局部碰撞电离的负阻和非饱和磁阻效应共存的器件有权
公开(公告)号：CN112331769A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011156234.7
申请日：2020-10-26
申请人：华中科技大学
发明人：何雄 , 夏正才
IPC分类号： H01L47/00 , H01L43/08
摘要：本发明公开了基于局部碰撞电离的负阻和非饱和磁阻效应共存的器件，属于半导体器件技术领域，包括半导体基体和两个金属电极；两个金属电极设置于半导体基体的同一表面且至少有一个金属电极位于半导体基体表面的边缘；向金属电极施加持续增大的电流，半导体基体内形成的局部非均匀电场的电场强度增强，局部碰撞电离的发生，产生等效的载流子注入效应，使器件形成负阻效应；器件置于磁场中，半导体基体内部载流子由于洛伦兹力作用发生非均匀性变化，呈现出非饱和磁阻效应，实现负阻效应和非饱和磁阻效应共存于器件。本发明结构简单、性能测量方法成熟，可应用于发展新型多功能器件，比如具有高磁敏特性的脉冲发生器、新型多功能磁存储器件。

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