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1. 发明授权

CN113451237B 扇出封装结构、扇出封装结构的制作方法及电子设备有权
公开(公告)号：CN113451237B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202110743577.1
申请日：2021-07-01
申请人：广东省科学院半导体研究所
发明人：燕英强 , 胡川 , 陈志宽 , 向迅 , 郑伟 , 陈志涛
IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/498
摘要：本发明的提供了一种扇出封装结构、扇出封装结构的制作方法及电子设备，涉及封装技术领域。其中，该扇出封装结构包括滤波器芯片、腔体保护层、密封层、包封材料层、封装线路层及封装线路保护层，密封层覆盖于腔体保护层远离滤波器芯片的一侧，密封层完全覆盖腔体保护层，并仅露出第一引脚焊盘，密封层为气密封层或水密封层。该扇出封装结构的制作方法用于制作上述的扇出封装结构。本申请扇出封装结构通过在囊括功能区的功能腔体上设置密封层，从而提高了自身的气密封性或水密封性的可靠性，进而提高采用该扇出封装结构的电子设备的工作稳定性。

2. 发明授权

CN115910821B 芯片粒精细互连封装结构及其制备方法有权
公开(公告)号：CN115910821B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310226006.X
申请日：2023-03-10
申请人：广东省科学院半导体研究所
发明人：向迅 , 胡川 , 燕英强 , 凌云志 , 陈志宽 , 陈志涛
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/52
摘要：本发明公开一种芯片粒精细互连封装结构及其制备方法，方法包括在基板的第一侧面上贴装至少二颗芯片，并在芯片的第一表面上制备临时键合层；在基板的第二侧面制备塑封层，其中，基板上制备有微孔，塑封层的塑封材料能够自所述微孔流入至基板的第一侧面与临时键合层之间，以制备形成塑封层；释放临时键合层，并在相邻的两颗芯片的第一引脚阵列上键合用于将相邻的两颗芯片电气连通的硅桥结构；在塑封层上制备积层；在积层上制备焊锡球。本发明提供的方案使得在后续的工艺中，无须去除基板，也无须对塑封层的相应位置进行研磨减薄处理，因而简化了封装的工艺步骤，降低了封装成本。

3. 发明公开

CN113785393A 扇出型封装及扇出型封装的制备方法审中-实审
公开(公告)号：CN113785393A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202180002077.0
申请日：2021-07-28
申请人：广东省科学院半导体研究所
发明人：燕英强 , 胡川 , 陈志宽 , 陈志涛
IPC分类号： H01L23/367 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要：本申请涉及芯片封装领域，提供一种扇出型封装以及扇出型封装的制备方法。扇出型封装具有一颗或两颗以上相同或不同功能的芯片、粘合材料层、散热片、包封材料层、封装线路以及对所述封装线路进行保护的封装线路保护层；所述芯片的背面通过所述粘合材料层贴装于所述散热片的芯片贴装区域；在所述芯片的正面覆盖临时保护材料；所述包封材料层通过包封材料流入并填充所述临时保护材料与所述散热片之间的间隙和/或覆盖所述散热片的与贴装有所述芯片的一侧相反的一侧，然后去除所述临时保护材料而形成，由此所述包封材料层覆盖所述芯片、所述粘合材料层和所述散热片；所述封装线路是在所述芯片的正面、所述包封材料以及所述散热片上生长而成的。能够实现散热性好、可提高器件工作功率并降低功耗、适用于高功率密度芯片。

4. 发明公开

CN113421876A 滤波器射频模组封装结构及其制作方法有权
公开(公告)号：CN113421876A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110687872.X
申请日：2021-06-21
申请人：广东省科学院半导体研究所
发明人：燕英强 , 胡川 , 向迅 , 郑伟 , 陈志涛 , 陈志宽
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/66 , H01Q1/22
摘要：本发明的实施案例提供了一种滤波器射频模组封装结构及其制作方法，涉及半导体领域。滤波器射频模组封装结构的第一滤波器芯片包括芯片主体和墙体结构，墙体结构连接于芯片主体的功能面上；墙体结构、功能面以及基板共同围成封闭的腔体，或者，墙体结构和功能面共同围成封闭的腔体；包封材料包裹第一滤波器芯片。通过令墙体结构和芯片主体形成封闭的腔体，或者令墙体结构、芯片主体和基板之间共同围成封闭的腔体，可以减少胶膜的使用，避免包封材料体积过大；同时也能够避免包封材料进入到腔体内影响芯片的功能。

5. 发明授权

CN113421876B 滤波器射频模组封装结构及其制作方法有权
公开(公告)号：CN113421876B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110687872.X
申请日：2021-06-21
申请人：广东省科学院半导体研究所
发明人：燕英强 , 胡川 , 向迅 , 郑伟 , 陈志涛 , 陈志宽
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/66 , H01Q1/22
摘要：本发明的实施案例提供了一种滤波器射频模组封装结构及其制作方法，涉及半导体领域。滤波器射频模组封装结构的第一滤波器芯片包括芯片主体和墙体结构，墙体结构连接于芯片主体的功能面上；墙体结构、功能面以及基板共同围成封闭的腔体，或者，墙体结构和功能面共同围成封闭的腔体；包封材料包裹第一滤波器芯片。通过令墙体结构和芯片主体形成封闭的腔体，或者令墙体结构、芯片主体和基板之间共同围成封闭的腔体，可以减少胶膜的使用，避免包封材料体积过大；同时也能够避免包封材料进入到腔体内影响芯片的功能。

6. 发明公开

CN113451237A 扇出封装结构、扇出封装结构的制作方法及电子设备有权
公开(公告)号：CN113451237A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110743577.1
申请日：2021-07-01
申请人：广东省科学院半导体研究所
发明人：燕英强 , 胡川 , 陈志宽 , 向迅 , 郑伟 , 陈志涛
IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/498
摘要：本发明的提供了一种扇出封装结构、扇出封装结构的制作方法及电子设备，涉及封装技术领域。其中，该扇出封装结构包括滤波器芯片、腔体保护层、密封层、包封材料层、封装线路层及封装线路保护层，密封层覆盖于腔体保护层远离滤波器芯片的一侧，密封层完全覆盖腔体保护层，并仅露出第一引脚焊盘，密封层为气密封层或水密封层。该扇出封装结构的制作方法用于制作上述的扇出封装结构。本申请扇出封装结构通过在囊括功能区的功能腔体上设置密封层，从而提高了自身的气密封性或水密封性的可靠性，进而提高采用该扇出封装结构的电子设备的工作稳定性。

7. 发明公开

CN116998010A 3D堆叠封装结构及其制造方法审中-实审
公开(公告)号：CN116998010A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280017646.3
申请日：2022-10-13
申请人：广东省科学院半导体研究所
发明人：崔银花 , 郑伟 , 王垚 , 陈志宽 , 胡川 , 陈志涛 , 王长安
IPC分类号： H01L23/52
摘要：本申请公开了3D堆叠封装结构及其制造方法。3D堆叠封装结构包括底层结构和顶层结构，顶层结构叠置在底层结构上。底层结构和顶层结构中的每一者包括：衬底层；金刚石层，该金刚石层生长于衬底层上；经注入离子的硅晶圆层，该经注入离子的硅晶圆层贴附至金刚石层；器件层，该器件层设置在硅晶圆层上。衬底层、金刚石层、经注入离子的硅晶圆层和器件层按顺序层压在一起，并且顶层结构的衬底层与底层结构的器件层接触。底层结构与顶层结构之间布置有通孔，该通孔延伸穿过顶层结构的器件层、经注入离子的硅晶圆层、金刚石层和衬底层，并且延伸穿过底层结构的器件层，该通孔中填充有导电材料。

8. 发明公开

CN116888734A 扇出型封装结构及其制备方法审中-实审
公开(公告)号：CN116888734A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202280013573.0
申请日：2022-10-24
申请人：广东省科学院半导体研究所
发明人：燕英强 , 胡川 , 郑伟 , 凌云志 , 陈志宽 , 陈志涛
IPC分类号： H01L23/64
摘要：本公开提供了一种扇出型封装结构及其制备方法。扇出型封装结构可以包括包封层和嵌埋在包封层中的天线射频模组组件和一个或更多个电子部件。天线射频模组组件包括射频基板以及布设在射频基板上的天线阵列和一个或更多个射频器件。天线射频模组组件嵌埋在包封层的第一侧，使得天线阵列从包封层的第一侧完全露出，并且天线射频模组组件的设置成与天线阵列位于射频基板同一侧上的管脚和电子部件的管脚位于同一平面内。扇出型封装结构还可以包括：设置于包封层的第一侧的表面上的第一再布线层，设置于包封层的第二侧的表面上的第二再布线层，以及设置于第二再布线层的与包封层相背的一侧上的导电焊球和/或凸点。第一再布线层构造成与天线射频模组组件的设置成与天线阵列位于射频基板同一侧上的管脚中的至少一部分管脚电连接以及与一个或更多个电子部件的管脚中的至少一部分管脚电连接。包封层中形成有用于将天线射频模组组件的设置在射频基板的与天线阵列相反的一侧上的管脚与第二再布线层电连接以及将第一再布线层与第二再布线层电连接的包封层互连导电柱。第二再布线层构造成与包封层互连导电柱电连接以及与导电焊球和/或凸点电连接。本公开的实施方式提供的扇出型封装结构及其制备方法能够有效减小射频模组的体积、降低射频模组的制造成本，并且还能够明显降低介电损耗，满足高频信号传输需求。

9. 发明公开

CN115910821A 芯片粒精细互连封装结构及其制备方法有权
公开(公告)号：CN115910821A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310226006.X
申请日：2023-03-10
申请人：广东省科学院半导体研究所
发明人：向迅 , 胡川 , 燕英强 , 凌云志 , 陈志宽 , 陈志涛
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/52
摘要：本发明公开一种芯片粒精细互连封装结构及其制备方法，方法包括在基板的第一侧面上贴装至少二颗芯片，并在芯片的第一表面上制备临时键合层；在基板的第二侧面制备塑封层，其中，基板上制备有微孔，塑封层的塑封材料能够自所述微孔流入至基板的第一侧面与临时键合层之间，以制备形成塑封层；释放临时键合层，并在相邻的两颗芯片的第一引脚阵列上键合用于将相邻的两颗芯片电气连通的硅桥结构；在塑封层上制备积层；在积层上制备焊锡球。本发明提供的方案使得在后续的工艺中，无须去除基板，也无须对塑封层的相应位置进行研磨减薄处理，因而简化了封装的工艺步骤，降低了封装成本。

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