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1. 发明公开

CN119008591A 一种带有标识的芯片及晶圆上芯片位置的标识方法审中-公开
公开(公告)号：CN119008591A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410908616.2
申请日：2024-07-08
申请人：厦门市三安集成电路有限公司
发明人：何先良 , 郑坤 , 张琼莲 , 巫华夏
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/68
摘要：本发明公开了一种带有标识的芯片，芯片表面具有shot ID图案用于指示芯片在晶圆上的位置；shot ID图案包括若干图形单元，所述shot ID图案规划有第一行和第二行，每一行按阵列形式规划有若干点位，以空白点位或图形单元填充点位之一表示二进制编码的“0”，另一表示二进制编码的“1”；第一行和第二行的二进制编码转换为十进制数字分别表示芯片在晶圆上所属的shot单元第一方向和第二方向的坐标，每一行还分别包括象限点位以表征正负。本发明还公开了晶圆上芯片位置的标识方法，可以通过较小的shot ID图案面积标识芯片在晶圆中所属的shot单元及其位置，有益于芯片的小型化和产出数量；并且可扩展性强，可以通过增加很小的面积实现更多的表征数。

2. 发明公开

CN118435356A 晶体管器件、半导体外延结构及其制备方法审中-实审
公开(公告)号：CN118435356A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202380014035.8
申请日：2023-11-24
申请人：厦门市三安集成电路有限公司
发明人：张辉 , 刘成 , 叶念慈 , 徐涵 , 蔡宗叡 , 李元铭
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
摘要：本申请公开了一种晶体管器件、半导体外延结构及其制备方法；晶体管器件包括衬底、产生有二维电子气的化合物半导体复合结构，设置在衬底上；设置在化合物半导体复合结构上的第一帽层；设置在第一帽层上的插入层；设置在插入层上的第二帽层；插入层的材料的禁带宽度大于第一帽层和第二帽层的材料的禁带宽度；沿着第一帽层指向第二帽层的方向，插入层的材料的禁带宽度先增大后减小；栅极金属，设置在第二帽层上。如此，实现降低开态栅极漏电，增加器件的栅极耐压能力和耐压摆幅，提升器件的栅极可靠性。

3. 发明公开

CN118398659A 高电子迁移率晶体管和集成HEMT器件有权
公开(公告)号：CN118398659A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410865921.8
申请日：2024-07-01
申请人：厦门市三安集成电路有限公司
发明人：潘新昌 , 徐杨兵 , 何先良 , 魏鸿基
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/205
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种高电子迁移率晶体管，其包括阻挡层、第一In

4. 发明授权

CN108682668B 一种耐高温金属对准标记及其制备方法和应用有权
公开(公告)号：CN108682668B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201810687027.0
申请日：2018-06-28
申请人：厦门市三安集成电路有限公司
发明人：蔡文必 , 周泽阳 , 林光耀 , 刘胜厚 , 许若华 , 邹冠 , 蔡仙清 , 林志东 , 王文平
IPC分类号： H01L23/544
摘要：本发明公开了一种耐高温金属对准标记及其制备方法和应用，包括粘附金属层和主体金属层，粘附金属层粘附在晶圆上，主体金属层叠加在粘附金属层上；还包括保护层，保护层叠加在主体金属层上，保护层为惰性金属。本发明改善标记金属经高温工艺后的形貌，从而提高标记金属表面平整度以及边缘质量以提高光刻对准精度，提升器件的性能和成品率。

5. 发明公开

CN118103993A 一种HEMT晶体管及其制作方法审中-实审
公开(公告)号：CN118103993A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202380013592.8
申请日：2023-11-03
申请人：厦门市三安集成电路有限公司
发明人：宋文杰 , 钟杰斌 , 刘胜厚
IPC分类号： H01L29/778
摘要：提供一种高电子迁移率晶体管及其制作方法。高电子迁移率晶体管包括半导体外延层（100）、源极（1）、漏极（2）、栅极（4）、场板结构（8）、第一钝化层（3）及第二钝化层（5）；场板结构（8）包括第一横向部（81）、第二横向部（82）及连接第一横向部（81）和第二横向部（82）的纵向部（83），第一横向部（81）位于栅极（4）的栅帽（42）上方，第二横向部（82）位于栅极（4）与漏极（2）之间且设置在x方向的第二钝化层（5）上，x方向为源极（1）到漏极（2）的方向，第一钝化层（3）位于栅极（4）的栅帽（42）和半导体外延层（100）之间；第二钝化层（5）夹设于场板结构（8）和栅极（4）之间；第二钝化层（5）在栅极区域处覆盖在栅极（4）上，在非栅极区域处覆盖在第一钝化层（3）上；场板结构（8）还包括延伸部（84），延伸部（84）设置在栅极（4）和漏极（2）之间的第二钝化层（5）的第一凹槽（63）内；在栅长方向上，第一凹槽（63）靠近栅极（4）的一侧为第一侧壁（511），另一侧为第二侧壁（512），第一侧壁（511）与x方向的相反方向形成的夹角为第一倾斜角度∠3，第二侧壁（512）与x方向形成的夹角为第二倾斜角度∠4，∠3＞∠4。场板结构（8）避免电场尖端集聚效应，提高器件增益，增强射频性能。

6. 发明公开

CN118073195A 提高半导体器件隔离度均匀性的方法及半导体器件审中-实审
公开(公告)号：CN118073195A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410108863.4
申请日：2024-01-26
申请人：厦门市三安集成电路有限公司
发明人：翁振樟 , 王伟强 , 何湘阳 , 郭佳衢 , 魏鸿基
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/265 , H01L29/73 , H01L29/735 , H01L29/06
摘要：本发明公开了一种提高半导体器件隔离度均匀性的方法及半导体器件，该方法在已完成第一次光刻技术形成第一集电极区域和第二集电极区域的基础上，将第二集电极区域下方外围的部分第一集电极区域或者部分第一集电极区域及其下方的截止层蚀刻掉，再采用离子注入工艺在蚀刻掉部分第一集电极区域或者部分第一集电极区域及其下方的截止层后所露出的外延结构上进行离子注入，形成隔离区，使晶圆中心与边缘、晶圆片与片之间厚度一致，保证离子注入深度一致，有效提高器件隔离度的均匀性及产品的良率。

7. 发明授权

CN108574469B 一种调整滤波器频率的方法和装置以及滤波器芯片有权转让
公开(公告)号：CN108574469B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201810259045.9
申请日：2018-03-27
申请人：厦门市三安集成电路有限公司
发明人：谢祥政 , 杨浚哲 , 尚荣耀 , 朱庆芳 , 蔡文必
IPC分类号： H03H3/04
摘要：本发明提供了一种调整滤波器频率的方法和装置，利用每个滤波器单元体表面的介电材料对于不同波长的吸收系数，选择对应波长的激光、激光输出功率、激光光斑直径和激光照射时间，使得激光蒸发一定重量的介电材料，单独调整滤波器上每一个滤波器单元体的介电材料的厚度，从而单独调整每个滤波器单元体的频率。本发明提供了一种滤波器芯片，包括压电材料基板和排列设置于基板上的多个滤波器单元体；所述滤波器单元体的表面具有一层介电层；所述多个滤波器单元体的介电层厚度各不相同。

8. 发明公开

CN117524923A 一种半导体器件的退火系统、方法及半导体器件审中-实审
公开(公告)号：CN117524923A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311422789.5
申请日：2023-10-30
申请人：厦门市三安集成电路有限公司
发明人：陈泓 , 叶念慈 , 刘成 , 付杰 , 陈奋 , 刘昊 , 廖楚剑 , 刘勇 , 周赞
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/28 , H01L21/263 , H01L29/45
摘要：本申请公开了一种半导体器件的退火系统、方法及半导体器件，其中，退火系统包括：电子束发生模块、分光镜和偏转模块，电子束发生模块被配置为产生并发射第一电子束；分光镜设置在第一电子束发射的第一路径上，被配置为接收第一电子束并发射多个第二电子束，第二电子束形成有第二路径；偏转模块设置在第二路径上，偏转模块被配置为基于半导体器件的预设金属层的图形信息和位置信息，控制多个第二电子束分别对对应的预设金属层进行预设时间的退火处理，以形成半导体器件的欧姆接触金属；即本申请中对预设金属层进行定位并进行退火处理，能有效改善欧姆金属表面形貌，减少合金尖刺形成和非欧姆接触区的高温热损伤，提高半导体器件的性能和可靠性。

9. 发明公开

CN117295392A 低阻值薄膜电阻、集成电路和基站应用的低噪声放大器审中-实审
公开(公告)号：CN117295392A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311264217.9
申请日：2023-09-27
申请人：厦门市三安集成电路有限公司
发明人：王楚天 , 王伟强 , 何先良 , 魏鸿基
IPC分类号： H10N97/00
摘要：本申请提供一种低阻值薄膜电阻、集成电路和基站应用的低噪声放大器，该低阻值薄膜电阻包括基底及薄膜电阻层，薄膜电阻层依次包括形成于基底上的第一高电阻率层、形成于第一高电阻率层的远离基底一侧的高导电性层、形成于高导电性层的远离第一高电阻率层一侧的第二高电阻率层。其中，第一高电阻率层和第二高电阻率层的材料的电阻率为1×10‑6Ω·m至1×10‑2Ω·m，高导电性层的材料的电阻率小于1×10‑7Ω·m。该方案中，利用高导电性层良好的导电性和通流能力，使得薄膜电阻具有满足需求的较小的电阻且尺寸适中，并且利用第一高电阻率层和第二高电阻率层可以对中间的高导电性层起到保护作用，避免中间的高导电性层出现扩散现象。

10. 发明公开

CN117174746A 一种高电子迁移率晶体管及其制作方法审中-实审
公开(公告)号：CN117174746A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311028311.4
申请日：2023-08-16
申请人：厦门市三安集成电路有限公司
发明人：张佳业 , 练婷婷 , 许亚红 , 赵卫
IPC分类号： H01L29/51 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要：本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，该晶体管包含包括设置在衬底上的氮化物异质结外延层，所述异质结外延层包括沟道层和设置在所述沟道层上的势垒层，还包括相对设置在势垒层上有源区处的源极和漏极；设置在有源区处的源极和漏极之间栅极区域处的势垒层表面的P型栅介质层；所述P型栅介质层上设置有栅极；所述P型栅介质层由含碲的氧化物构成，本发明可以有效地提高电子迁移率晶体管的阈值电压和栅极稳定性。

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