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51. 发明公开

CN114127900A 用于形成焊料凸块的系统和方法审中-实审
公开(公告)号：CN114127900A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080051084.5
申请日：2020-06-17
申请人：国际商业机器公司
发明人： E.P.莱万多夫斯基 , J-W.纳赫 , 姚正邦 , P.J.索斯
IPC分类号： H01L21/48 , H01L39/24 , H01L39/02 , H01L39/06 , H01L39/22
摘要：一种用于形成焊料凸块(122)的方法包括：制备转移模具(100)，该转移模具具有焊料柱(112)，该焊料柱(112)从模具衬底(102)延伸并且穿过第一光致抗蚀剂层(104)并且具有部分地由第二光致抗蚀剂层(108)限定的形状，该第二光致抗蚀剂层(108)在转移焊料之前被去除；提供具有可润湿焊盘(120)的器件衬底(114)：将转移模具(100)和器件衬底(114)置于对准接触中，使得焊料柱(112)与可润湿焊盘(120)接触；在所述焊料柱(112)与所述可润湿焊盘(120)之间形成金属接合，例如，采用冷焊或回流工艺去除所述模具衬底(102)和所述第一光致抗蚀剂层(104)。模具衬底(102)和转移模具(100)可以是柔性的。转移模具可以包括以下至少一个：在模具衬底(402)之上的润湿层，在这种情况下，包括铝的柱(112)可以被沉积和回流：在模具衬底(402)之上的籽晶层以及在第二光致抗蚀剂层(408)之上的非润湿层。器件衬底(114、502)可以包括通孔(118、504)并且可以是由硅、玻璃和/或有机衬底材料制成的内插器。该方法可以进一步包括将该内插器(I14，502)附接到量子位半导体器件(超导芯片)(300，516)上，其中该量子位半导体器件(300，516)包括约瑟夫逊结(304，518)，并且其中将该内插器(114，502)附接到该量子位半导体器件(300，516)上包括将穿过该内插器(11，502)的孔(118，504)与该约瑟夫逊结(304，518)对准以便提供用于访问该约瑟夫逊结(304，518)的路径，特别是对其设计频率做出调整。该焊料柱(122)可以是围绕该量子位半导体器件(300)与该内插器(114)之间的该孔(118)形成的多个焊料柱中的一个，用于提供该约瑟夫逊结(304)的热隔离量，从而在该量子位周围并且在该内插器(114)与该超导芯片(300)之间形成一个圆形壁(200A，200B)，其中该圆形壁(200A，200B)可以包括穿过其中的至少一个空隙(202)。焊料柱(512)可以是转移模具的多个焊料柱(512)中的一个，包括具有第一直径的第一焊料柱(512)和具有第二直径的第二焊料柱(512)，第一直径大于第二直径。器件衬底(602)可以包括半导体衬底，该半导体衬底包括深凹部(604)，其中，电路组件(608)可以包括在深凹部(604)中。转移模具(100)的制备可包括：对第一和第二光致抗蚀剂层(104、108)进行图案化以限定延伸穿过第一和第二光致抗蚀剂层(104、108)的凹部(110)，以及使用注塑焊接(IMS)来用焊料填充凹部(110)以形成焊料柱(112)。可替代地，转移模具的制备可包括：图案化第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层(404、408)以限定延伸穿过第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层(404、408)的凹部(410)：形成籽晶层，其中，籽晶层的至少一部分设置在凹部(410)中；以及使用电镀来用焊料填充所述凹部(410)并形成所述焊料柱。柱(112)可以是由镀铜或铜柱凸块形成的3D金属柱。

52. 发明公开

CN113903854A 一种超导芯片有权
公开(公告)号：CN113903854A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202010572838.3
申请日：2020-06-22
申请人：华为技术有限公司
发明人：潘健
IPC分类号： H01L39/02 , H01L39/22 , H01L39/24
摘要：本申请实施例公开了一种超导芯片，其可以应用于量子计算领域。该超导芯片可以包括基底、位于基底上表面的第一结构和第二结构。第一结构包括第一超导金属层和与第一超导金属层交叠的第一覆盖层，第一覆盖层包括第二超导金属层和位于第一超导金属层和第二超导金属层之间的第一绝缘层。第二结构包括第三超导金属层和与第三超导金属层交叠的第二覆盖层，第二覆盖层包括第四超导金属层和位于第三超导金属层和第四超导金属层之间的第二绝缘层。第二结构还包括第五超导金属层，其同时覆盖第三超导金属层上表面未被覆盖区和第四超导金属层上表面的全部或部分区域。第一超导金属层与第三超导金属层相连，或者，第二超导金属层与第四超导金属层相连。

53. 发明公开

CN113892117A 用于定量计算装置的反量化倒装芯片结构审中-实审
公开(公告)号：CN113892117A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202080037604.7
申请日：2020-06-15
申请人：国际商业机器公司
发明人： J·晁 , S·罗塞恩布拉特
IPC分类号： G06N10/00 , H01L27/18 , H01L39/02 , H01L39/22 , H01L39/24
摘要：使用第一芯片(302)和第二芯片(306)形成量子计算装置，第一芯片具有第一衬底(303)、第一组焊盘(312A，B)和设置在第一衬底上的一组约瑟夫逊结(304)。第二芯片具有第二基板(307)、与第一组焊盘相对地设置在第二基板上的第二组焊盘(308)、以及形成在第二组焊盘的子集上的第二层(310)。第二层被配置为接合第一芯片和第二芯片。第二组焊盘的子集对应于一组约瑟夫逊结的被选择以避免一组量子位中的量子位之间的频率冲突的子集。使用约瑟夫逊结的子集中的约瑟夫逊结和不在被致使不可用于形成量子位的子集中的另一个约瑟夫逊结来形成量子位。

54. 发明公开

CN113793895A 一种SQUID芯片与磁显微镜探头及其封装方法有权
公开(公告)号：CN113793895A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110958803.8
申请日：2021-08-20
申请人：宁波大学
发明人：王海 , 朱浩波 , 李子豪 , 孔祥燕
IPC分类号： H01L39/06 , H01L39/02 , H01L39/24 , H05K13/04
摘要：提供一种SQUID芯片与磁显微镜探头及其封装方法，SQUID芯片1衬底层2外表面设置焊盘5，衬底层2打孔，从磁通感应结区引出导电连接线6经衬底层2的孔与焊盘5电连接；磁显微镜探头包括杜瓦、冷指9与芯片1，冷指9顶端开设非贯穿槽12，铜引脚13以其导电面14朝上方式分别嵌入非贯穿槽12中，外端设置导电连接线6连接排插引脚11，焊盘5朝下分别对应铜引脚13的导电面14，由导电胶16电连接；导电胶16加热至近200度后粘贴在冷指9顶端，将芯片1压焊在冷指9顶端的对应位置，并达到设定的压力和时间；本发明能减少芯片到被测样品的距离，较大幅度提升磁显微镜的分辨率，并提升了效率，降低了维护难度。

55. 发明公开

CN113690363A 一种量子芯片的封装装置及其制造方法和一种量子器件审中-实审
公开(公告)号：CN113690363A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111009205.2
申请日：2021-08-31
申请人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
发明人：赵勇杰 , 李业 , 贾健豪 , 方杰 , 杨晖
IPC分类号： H01L39/02 , H01L39/04 , H01L39/24 , G06N10/00
摘要：本发明公开了一种量子芯片的封装装置及其制造方法和一种量子器件，所述量子芯片的封装装置包括：第一基板；第一共面波导传输线，所述第一共面波导传输线包括第一中心导带及位于所述第一中心导带两侧的第一接地导带；第一导电层，所述第一导电层形成于所述第一接地导带上，且所述第一导电层与位于所述第一中心导带两侧的所述第一接地导带形成第一屏蔽腔，所述第一中心导带位于所述第一屏蔽腔内，本发明提出的量子芯片的封装装置，在其内部形成有第一导电层，所述第一导电层与第一共面波导传输线的第一接地导带形成第一屏蔽腔，第一共面波导传输线的第一中心导带位于所述第一屏蔽腔内，有效防止量子芯片上各个量子比特的传输信号相互串扰。

56. 发明公开

CN113632233A 平面量子装置中的硅通孔制造审中-实审
公开(公告)号：CN113632233A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080021686.6
申请日：2020-03-20
申请人：国际商业机器公司
发明人： J·鲁比恩 , J·海茨伯格 , S·罗塞恩布拉特 , A·维维卡纳达 , M·布林克 , A·库马尔
IPC分类号： H01L27/18 , G06N10/00 , H01L23/532 , H01L39/02 , H01L39/24
摘要：在沉积在衬底(312)的第一表面上的第一超导层(316)上，图案化谐振器的第一部件。在沉积在所述衬底(312)的第二表面上的第二超导层(326)上，图案化所述谐振器的第二部件。第一表面和第二表面以非共面布置相对于彼此布置。在该衬底中，产生凹槽，该凹槽从第一超导层延伸到第二超导层。在所述凹槽的内表面上沉积第三超导层(322)，所述第三超导层在所述第一超导层和所述第二超导层之间形成超导通路。从所述第一表面和所述第二表面去除所述第三超导层的过量材料，形成完成的硅通孔TSV 320。

57. 发明授权

CN110429174B 石墨烯/掺杂二维层状材料范德瓦尔斯异质结超导复合结构、超导器件及其制备方法有权
公开(公告)号：CN110429174B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201910751219.8
申请日：2019-08-14
申请人：孙旭阳
发明人：孙旭阳
IPC分类号： H01L39/12 , H01L39/02 , H01L39/22 , H01L39/24
摘要：本发明提供了一种石墨烯/掺杂二维层状材料范德瓦尔斯异质结超导复合结构、超导器件及其制备方法，涉及超导材料技术领域，包括：石墨烯层和掺杂的二维层状材料交替形成2n+1层的层状结构，所述层状结构的外层为石墨烯层，其中n为1‑50的整数；其中，石墨烯和掺杂二维层状材料完全垂直重叠的区域形成超导区；石墨烯层和掺杂的二维层状材料由范德瓦尔斯力自组装成一体。本发明解决了现有的范德瓦尔斯异质结超导材料只能在极低的温度下工作的缺陷，本发明石墨烯/掺杂二维层状材料异质结超导材料结构简单，性能优良，具有高临界温度和高临界磁场，材料成本低、机械性能与机械加工性能良好。

58. 发明授权

CN110246956B 一种极化不敏感的可调电磁诱导透明太赫兹器件有权
公开(公告)号：CN110246956B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910574381.7
申请日：2019-06-28
申请人：中国人民解放军国防科技大学
发明人：刘晨曦 , 查淞 , 刘培国 , 虎宁 , 毋召峰 , 邓博文
IPC分类号： H01L39/02 , H01L39/22
摘要：本发明属于超材料结构领域，具体涉及一种极化不敏感的可调电磁诱导透明太赫兹器件。所述器件由衬底、石墨烯层、金属层和金属电极构成；所述衬底包括硅层和覆盖在硅层上面的二氧化硅层；所述石墨烯层覆盖在二氧化硅层上表面，且所述石墨烯层由周期性排列的石墨烯方框结构组成；所述金属层覆盖在二氧化硅层上表面，且所述金属层由周期性排列的十字型金属单元结构组成；所述金属电极的一个电极设置在石墨烯层的边缘，并与石墨烯层连接，另一个电极设置在硅层边缘，且与硅层连接。本发明能够实现电磁诱导透明特性并产生慢光效应，本发明通过外加偏压能够实现对超材料器件传输特性与慢光效应的调控，有效调节群延时的大小。

59. 发明公开

CN113412541A 冷焊接倒装芯片互连结构审中-实审
公开(公告)号：CN113412541A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202080013434.9
申请日：2020-01-20
申请人：国际商业机器公司
发明人： E·P·莱文多沃斯基 , 罗载雄 , N·T·布龙
IPC分类号： H01L27/18 , B82Y10/00 , G06N10/00 , H01L23/538 , H01L23/00 , H01L39/02 , H01L39/24
摘要：一种量子装置包括形成在衬底(302，302A)上的第一组突出部(304)以及形成在量子位芯片(310)上的第二组突出部。量子装置还包括形成在中介件(306)上的一组凸块(308)，该组凸块由在室温范围具有高于阈值延展性的材料形成，其中，该组凸块中的第一子组被配置为冷焊接至第一组突出部，并且该组凸块中的第二子组被配置为冷焊接至第二组突出部。

60. 发明公开

CN113299819A 一种超导转变边探测器及其制备方法有权
公开(公告)号：CN113299819A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110560045.4
申请日：2021-05-21
申请人：上海科技大学
发明人：宋艳汝 , 杨瑾屏 , 张硕 , 夏经铠 , 刘志
IPC分类号： H01L39/24 , H01L39/02 , G01T1/36
摘要：本发明涉及超导电子学技术领域，特别是涉及一种超导转变边探测器及其制备方法。本发明所提供的制备方法，先后在衬底上制备截止层、薄膜层、超导材料层、常态金属条和/或常态金属点、热沉件、吸收体等部件。本发明中，为缓解超导转变边沿出现扭折线的难题，在TES探测器超导薄膜上方生长常态金属条并适当增加一些常态金属点，同时为了降低制备探测器时的复杂度和解决超导体失超的问题，采用将吸收体与超导材料层(超导薄膜)直接接触的方式，并在制备超导薄膜时增加钼薄膜厚度，通过超导材料层的两个子层和吸收体三层薄膜来调控探测器的超导转变温度。

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