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51. 发明公开

CN107004611A 用于烧结装置的下模具的烧结工具无效
公开(公告)号：CN107004611A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580061144.0
申请日：2015-09-09
申请人：丹佛斯硅动力有限责任公司
发明人：弗兰克·奥斯特瓦尔德 , 罗纳德·艾西尔 , 马汀·贝克尔 , 加赛克·鲁茨基 , 拉尔斯·波尔森 , 霍尔格·乌尔里奇
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/75 , B22F3/003 , B22F3/14 , H01L24/83 , H01L2224/32225 , H01L2224/7598 , H01L2224/75985 , H01L2224/75988 , H01L2224/83203 , H01L2224/8384 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099
摘要：用于烧结装置的下模具的工具(10)，工具(10)具有用于有待烧结的、包含电路载体的电子子组件(30)的支托(20)，其中，支托(20)是由具有线性膨胀系数的材料形成，线性膨胀系数接近于电子子组件(30)的电路载体的膨胀系数。

52. 发明公开

CN118866698A 通过中间散热器将物体附接到基座审中-公开
公开(公告)号：CN118866698A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410508256.7
申请日：2024-04-25
申请人：丹佛斯硅动力有限责任公司
发明人：马丁·贝克尔 , 穆罕默德·古舍吉尔 , 雅各布·莱佛勒
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/603 , H01L23/367
摘要：一种用于将附接物体(50)固定到基座部件(10、210)的方法，包括：提供中间散热器(30)，并通过压力烧结将中间散热器固定到附接物体(50)的接口侧(51)。然后，通过焊接将具有压力烧结到其的附接物体(50)的中间散热器(30)固定到基座部件(10、210)。本发明还涉及这样制造的组件(100、200)。

53. 发明公开

CN118800664A 用于稳定两个部件的相对横向位置的方法审中-实审
公开(公告)号：CN118800664A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410428065.X
申请日：2024-04-10
申请人：丹佛斯硅动力有限责任公司
发明人：马丁·贝克尔 , 雅各布·莱佛勒 , 穆罕默德·古舍吉尔
IPC分类号： H01L21/50 , H01L23/367
摘要：一种用于将第一部件的第一表面烧结到第二部件的第二表面的方法。该方法包括将烧结层施加到第二表面，在第一表面上设置稳定装置，并将第一部件直接放置到烧结层上，其中第一表面面向烧结层，并且其中稳定装置突出到烧结层中，以用于稳定第一部件相对于第二部件的横向位置，从而形成稳定的待烧结的搭配件。

54. 发明公开

CN114514606A 包括蛇形通路的冷却系统审中-实审
公开(公告)号：CN114514606A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202080070710.5
申请日：2020-10-07
申请人：丹佛斯硅动力有限责任公司
发明人：亨宁·施特勒贝尔-迈尔 , 克劳斯·奥勒森
IPC分类号： H01L23/473
摘要：披露了一种冷却系统(26)，该冷却系统包括冷却布置(24，24’，24”)，该冷却布置具有用于循环流体冷却剂的蛇形通路(20)。蛇形通路(20)被设置在彼此移位的多个壁(6，8)之间。各自具有近侧部分(12)和远侧部分(14)的一系列挡板(10)被设置在通路(20)内。挡板(10)从这些壁中的一者延伸到通路(20)中。远侧部分(14)的宽度(W2)比近侧部分(12)的宽度(W1)大。

55. 发明授权

CN111108819B 电动装置和制造电动装置的方法有权
公开(公告)号：CN111108819B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201880061458.4
申请日：2018-09-25
申请人：丹佛斯硅动力有限责任公司
发明人： K·奥勒森 , L·保尔森
IPC分类号： H05K7/20
摘要：本发明提供一种电动装置，该电动装置包括：具有电路载体的功率模块，在该电路载体上设置有电路部件；冷却结构；以及设置在该电路载体与该冷却结构之间的中间结构，其中，该冷却结构由第一金属材料制成，并且该中间结构由第二金属材料制成，该第二金属材料的热导率比该第一金属材料的热导率更高。本发明还提供一种制造该电动装置的方法。

56. 发明公开

CN113826198A 具有第一基板、第二基板和将基板彼此隔开的间隔件的半导体模块审中-实审
公开(公告)号：CN113826198A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202080034167.3
申请日：2020-05-06
申请人：丹佛斯硅动力有限责任公司
发明人：马丁·贝克尔 , 安德烈·巴斯托斯阿比贝 , 罗纳德·艾泽勒 , 亚采克·鲁茨基 , 弗兰克·奥斯特瓦尔德 , 戴维·本宁
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
摘要：一种半导体模块，包括第一基板(10)、第二基板(101)和将基板(10，10')彼此隔开的间隔件(40，40')，其中，间隔件(40，40')由至少一个弹性成形金属体(40，40')形成。半导体(20)可以设置在第一基板(10)与第二基板(10')之间，其中，半导体(20)牢固地接合到第一基板(10)或第二基板(10')中的一个基板，并且成形金属体(40，40')可以将半导体(20)与基板(10，10')中的另一个基板电连接。第一基板(10)和/或第二基板(10')可以是DCB基板或者可以包括引线框架。成形金属体(40，40')可以被制成有弹性的，使得在第一方向上施加压力引起在第二方向上的扩张，其中，多个成形金属体(40，40')可以相对于彼此在不同方向上定向。成形金属体(40，40')可以在基板(10，10')之间的平面中以平面方式设置在半导体(20)上。成形金属体(40，40')可以被弯曲、折叠和/或构造成截面是波浪形的，并且可以特别横向于弯曲的、折叠的或波浪形的构造被开狭槽。成形金属体(40，40')可以是膜。间隔件可以由至少两个弹性成形金属体(40，40')形成，成形金属体(40，40')设置在基板(10，10')之间的平面中，并且横向于此平面彼此连接。半导体(20)与第一基板(10)或第二基板(10')中的一个基板之间的连接以及(一个或多个)成形金属体(40，40')与半导体(20)和另一个基板(10，10')之间的连接可以通过烧结或纳米线进行，或者一个成形金属体(40，40')可以通过烧结连接到半导体(20)而另一个成形金属体(40，40')可以通过纳米线连接到另一个基板(10，10')。导电的弹性间隔件(40，40')可以经由弹性补偿运动破坏氧化表面，从而提供两个基板(10，10')之间的电连接，特别是当组装配备有半导体(20)的第二(上)基板(101)和第一(下)基板(10)时，间隔件(40，40')的波形可以在竖直方向和侧向方向上均变形，其中，然后“波峰”的尖端滑过要接触的表面并且执行清洁作用，从而使得可以破坏铝半导体金属化的氧化层，从而得到与半导体(20)的高导电性和导热性连接，而半导体不一定必须涂覆有贵金属表面。

57. 发明公开

CN113811992A 包括与成形金属体电连接的半导体本体的半导体模块及其获得方法审中-实审
公开(公告)号：CN113811992A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202080034162.0
申请日：2020-04-30
申请人：丹佛斯硅动力有限责任公司
发明人：安德烈·巴斯托斯阿比贝 , 弗兰克·奥斯特瓦尔德 , 亚采克·鲁茨基 , 马丁·贝克尔 , 罗纳德·艾泽勒 , 戴维·本宁
IPC分类号： H01L23/492 , H01L23/49 , H01L23/495 , H01L21/60 , H01L21/607 , H01L29/16
摘要：一种半导体模块，包括半导体，并且包括与半导体(10)电接触的成形金属体(30)，用于形成用于电导体(40)的接触表面，其中成形金属体(30)被弯曲或折叠。还描述了一种用于在半导体(10)上建立电导体(40)的电接触的方法，所述方法包括以下步骤：通过第一紧固方法将具有恒定厚度的弯曲的或折叠的成形金属体(30)紧固到半导体(10)，然后通过第二紧固方法将电导体(40)紧固到成形金属体(30)。

58. 发明授权

CN107667419B 用于制造电路载体的方法有权
公开(公告)号：CN107667419B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201680028475.9
申请日：2016-04-26
申请人：丹佛斯硅动力有限责任公司
发明人：富兰克·奥斯特瓦尔德 , 艾琳·比卡克奇 , 罗纳德·艾思勒
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/14
摘要：一种用于制造电路载体(100’)的方法，该电路载体具有基板(10)、被安排在该基板(10)上的有机绝缘箔(20)、和被安排在该绝缘箔(20)上的金属成形体(30)，其中，通过施加从顶部作用的准静水压力而同时维持均匀的绝缘箔层厚，该基板(10)、该绝缘箔(20)、和该金属成形体(30)彼此连接。

59. 发明授权

CN107112304B 具有借助于有较高密度和较低密度的交替区域的烧结层结合在一起的两个部分的电子夹层结构以及对应的制造方法有权
公开(公告)号：CN107112304B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201580072487.7
申请日：2015-10-30
申请人：丹佛斯硅动力有限责任公司
发明人：马汀·贝克尔 , 罗纳德·艾西尔 , 加赛克·鲁茨基 , 弗兰克·奥斯特瓦尔德
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
摘要：描述了至少具有第一待结合部分(1)和第二待结合部分(2)的电子夹层结构，该第一待结合部分和该第二待结合部分借助于烧结层(3)烧结在一起。烧结层(3)形成为基本上不间断的连接层，该连接层的密度变化的方式使得至少一个较高密度的区域(4a)和至少一个较低密度的区域(4b)彼此交替。还描述了用于形成电子夹层结构的烧结层(3)的方法，其中首先，将烧结材料层(3)基本上连续地施加到第二待结合部分(2)上作为连接层(3)，随后使这个烧结材料层(3)干燥，并且最终，通过将具有该烧结层(3)的该第二待结合部分(2)烧结在第一待结合部分(1)上来产生该连接层(3)的较高密度(4a)和较低密度(4b)的交替区域。烧结材料可以呈点或条纹来施加。该第一待结合部分(1)和该第二待结合部分(2)的有待结合表面可以被安排成平面平行，在这种情况下，烧结层(3)形成为其表面有规律地不均匀，即，它尤其具有呈限定图案的较大厚度的区域(3a)和较小厚度的区域(3b)，这具有的效果是，在烧结工艺之后，在较厚的烧结糊浆施加区域(3a)中存在较高密度的区域(4a)并且在较薄的烧结糊浆施加区域(3b)中存在较低密度的区域(4b)。替代地，该第一待结合部分(1)和该第二待结合部分(2)的有待结合表面可以至少在某些区域中没有被安排成平面平行，其中，通过最初完全均匀的烧结糊浆施加，在待结合部分(1，2)烧结之后具有较小距离的区域(4a)中获得较薄的烧结层，而在距离较大的区域(4b)中形成较厚的烧结层，这最终具有的效果是，与在待结合部分(1，2)之间的距离较大的区域(4b)中相比，在这两个待结合部分(1，2)距彼此有较小距离的区域(4a)中形成较大的密度。尤其在用于功率电子器件的部件中，即便对于具有不同热膨胀系数的待结合部分(1，2)，也实现了高寿命的通过烧结连接的电子夹层结构。

60. 发明公开

CN112969563A 用于模制具有顶侧引脚连接器的半导体功率模块的模制工具和制造这种半导体功率模块的方法有权
公开(公告)号：CN112969563A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201980072869.8
申请日：2019-10-24
申请人：丹佛斯硅动力有限责任公司
发明人：泽诺·穆勒 , 蒂诺·菲利皮亚克-雷塞尔 , 霍尔格·贝尔 , 拉斯·保尔森 , 亚历山大·施特赖贝尔
IPC分类号： B29C45/14 , B29L31/34 , H01L21/56
摘要：本发明描述了一种用于模制具有电接触引脚(2)的半导体功率模块的模制工具(1)，该电接触引脚包括用于使衬底(4)与另一电气部件接触的电接触部分(3)。该引脚(2)包括作为顶侧引脚连接器的突出部分(5)。该模制工具(1)包括第一模制模具(6)和第二模制模具，该第一模制模具和该第二模制模具在被放在一起以进行模制时形成要填充有用于封装该半导体功率模块的电气部件的模制化合物的腔室，以及与该第二模具内的腔室连通的该第一模具6中的凹陷部(7)。该凹陷部(7)填充有垫状软材料(8)，该顶侧引脚连接器被推入该软材料中并且被该软材料完全包围从而形成密封器具，该密封器具防止引入该腔室中的模制化合物对该引脚(2)的该电接触部分(3)的任何污染。此外，描述了一种制造这种半导体功率模块的方法。

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