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101. 发明公开

CN1476041A 用于制造平面显示器的荫罩失效转让
公开(公告)号：CN1476041A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03146521.8
申请日：2003-07-03
申请人： LG电子株式会社
发明人：金昌男
IPC分类号： H01J29/07
CPC分类号： G03F1/20 , C23C14/042
摘要：用于制造平面显示器的荫罩包括：一个具有多个第一通孔的第一基板，和一个位于第一基板上的第二基板，所述第二基板具有多个第二通孔，其中，第一通孔和第二通孔彼此重叠布置，并且第二通孔的直径大于第一通孔的直径。

102. 发明公开

CN1406392A 曝光用掩膜、它的制造方法及曝光方法失效
公开(公告)号：CN1406392A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN01805602.4
申请日：2001-12-26
申请人：松下电器产业株式会社 , 株式会社PD服务
发明人：笹子胜 , 远藤政孝 , 久继德重
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F1/20 , G03F1/22
摘要：本发明公开了一种曝光用掩膜、它的制造方法及曝光方法。如图2所示，本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)具备由玻璃形成的框架(20)、设在框架(20)的下面上的硅板(15)、设在硅板(15)的下面上的热吸收用掩膜(16)、设在热吸收用掩膜(16)的下面上的硅板(11)和设在硅板(11)的下面上的镂空掩膜(14)。镂空掩膜(14)由硅基片形成，具备为形成感光胶图形的狭缝状的图形用开口(14a)。热吸收用掩膜(16)由覆盖了SiN膜的硅基片形成，具备与镂空掩膜(14)的图形用开口(14a)几乎相同图形形成的狭缝状开口(16a)。如图3(a)所示，开口(16a)形成的大小不遮蔽形成感光胶图形必须的电子束。即，开口(16a)的大小设置的与图形用开口(14a)的大小一致或开口(16a)稍大。还有，在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)上设有贯通框架(20)及硅板(15)、使热吸收用掩膜(16)的上面内形成开口(16a)的区域暴露出来的大开口(20a)。进一步，在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)上设有使贯通硅板(11)、热吸收用掩膜(16)的下面内形成开口(16a)的区域和镂空掩膜(14)的上面内形成图形用开口(14a)的区域暴露出来的空洞部(11a)。在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)中，如图3(a)所示，镂空掩膜(14)的图形用开口(14a)和热吸收用掩膜(16)的开口(16a)沿水平方向位置对准。

103. 发明公开

CN1381068A 转印掩模用基板、转印掩模及转印掩模的制造方法失效
公开(公告)号：CN1381068A
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN01801443.7
申请日：2001-04-26
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：小西敏雄 , 田村章 , 伊藤考治郎 , 佐佐木裕信 , 江口秀幸
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/16
CPC分类号： G03F1/20 , H01J2237/0453 , H01J2237/31794 , H01L21/0332
摘要：本发明提供一种转印掩模用基板,其具有:由单晶构成的第1硅层、形成在该第1硅层上的具有0.2～0.8μm的膜厚的氧化硅膜、形成在该氧化硅膜上的第2硅层。使用该转印掩模用基板而制造的转印掩模,在其制造时,会因氧化硅膜的应力而在转印图形上产生龟裂和败坏,而没有缺陷。

104. 发明公开

CN1373501A 互补掩模对的制造方法失效
公开(公告)号：CN1373501A
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：CN02106798.8
申请日：2002-02-28
申请人：日本电气株式会社
发明人：山田泰久 , 高田健一
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/00
CPC分类号： G03F1/20
摘要：一种生产电子投影光刻(EPL)技术中使用的互补掩模对的方法,该方法使用算法把设计数据分配给一对EPL掩模。该算法分别把正号或负号分配给各个图形数据,把具有正号的图形数据的面积进行加和,同时减去具有负号的图形数据的面积,以获得和的最小值。准备了一个或多个符号的初始集合,从中计算初始集合的邻近值以获得最优集合。

105. 发明公开

CN1349131A 用于束曝光的掩模及其制造方法无效
公开(公告)号：CN1349131A
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN01136558.7
申请日：2001-10-17
申请人：日本电气株式会社
发明人：山田泰久
IPC分类号： G03F1/16 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/20 , G03F1/22 , H01J2237/3175
摘要：在用于束曝光的掩模中,提供组合的用于无端图形(902)的薄膜结构(11,11A,11B)和模版结构(12,12A,12B)。

106. 发明公开

CN1296284A 绘制图形校验方法无效转让
公开(公告)号：CN1296284A
公开(公告)日：2001-05-23
申请号：CN00133555.3
申请日：2000-11-10
申请人：日本电气株式会社
发明人：小日向秀夫
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/16
CPC分类号： G03F1/20 , G06T7/0006 , G06T2207/30148 , H01J37/3026
摘要：以一种方式根据预定规则把除掩模孔之外的提取区域分割为多个部分,使得掩模孔被设置为变量{a2},这样分割的除掩模孔之外的部分被设置为变量{a0}或{a1},从而指定变量a={a0},{a1},{a2}。之后,在X轴和Y轴方向上执行扫描,以把变量{a1}的一部分分割为多个部分,对于每个部分设置变量{a0},{a1},{a2}中的任何一个,这是基于它自己发生缺陷的可能性决定的,随后在其出现缺陷的可能性基础上再查看变量{a1}的部分的变量。

107. 发明公开

CN1275797A 电子束曝光掩模和用该掩模制造半导体器件的方法失效
公开(公告)号：CN1275797A
公开(公告)日：2000-12-06
申请号：CN00109322.3
申请日：2000-05-26
申请人：日本电气株式会社
发明人：宫坂满美
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/00
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/20 , H01J2237/31776 , H01J2237/31794
摘要：一种用于电子束曝光的掩模,用在由EB投影光刻系统中。该掩模包括:栅框区域;多个薄膜区域,被栅框区域围绕并具有比栅框区域厚的厚度;多个掩模图形区域,每个掩模图形区域形成在所述薄膜区域的相应一个内。每个掩模图形区域具有对应于子域图形的掩模图形。通过对每个所述掩模图形区域将电子束照射到所述掩模上,使被电子束照射的区域的中心与各所述掩模图形区域的中心重合,按预定的芯片图形曝光晶片。

108. 发明公开

CN1271870A 用于电子束曝光的掩模及制造方法和半导体器件制造方法无效转让
公开(公告)号：CN1271870A
公开(公告)日：2000-11-01
申请号：CN00106190.9
申请日：2000-04-28
申请人：日本电气株式会社
发明人：山下浩
IPC分类号： G03F1/16 , H01L21/027
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/20 , G03F1/36 , H01J37/3174 , H01J2237/31771
摘要：一种制造掩模的方法,其步骤为:制造与被曝光的晶片材料相同的掩模材料,计算用于掩模写入的邻近效应校正剂量。然后,按具有掩模写入时邻近效应校正剂量两倍的校正剂量的图形,用与晶片写入时的加速电压相同的加速电压,对掩模材料的抗蚀剂膜曝光。接着,显影抗蚀剂膜,形成抗蚀剂膜图形,利用该抗蚀剂膜图形作为掩模腐蚀掩模材料,制备掩模。此后,利用该掩模,对晶片上的抗蚀剂膜进行EB曝光而不进行邻近效应校正。

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