专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

CN1856858A 液态金属离子源及其控制方法失效
公开(公告)号：CN1856858A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200480027321.5
申请日：2004-09-17
申请人：应用材料以色列公司
发明人：亚设·珀尔
IPC分类号： H01J37/08 , H01J27/22
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/02 , H01J27/26 , H01J2237/08 , H01J2237/3174 , H01J2237/31749
摘要：本发明提供一种用来控制液态金属离子源的方法，该液态金属离子源包含一尖端，一第一电极及一第二电极，该方法包括的步骤为：(i)将第一电极保持在第一电压等级范围及将第二电极保持在第二电压等级范围，用以在源的操作中主动模式期间撷取形成在尖端上的金属离子；(ii)将第一电极保持在第三电压等级范围及将第二电极保持在第四电压等级范围，用以在源的操作中闲置模式期间实质上减少从尖端撷取金属离子。第三电压等级和第四电压等级中至少其一并不包括零电压等级。第一电压等级不同于第三电压等级。

2. 发明公开

CN105390355A 一种反射电极结构件及离子源有权转让
公开(公告)号：CN105390355A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510804064.1
申请日：2015-11-20
申请人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
发明人：彭立波 , 袁卫华 , 孙雪平 , 易文杰
IPC分类号： H01J27/20 , H01J27/22
摘要：本发明公开了一种反射电极结构件及离子源，其反射电极结构件包括高熔点金属材料制备的对置反射电极和低熔点金属材料制备的被溅射件，所述对置反射电极的前端设有安装槽，所述被溅射件嵌装于安装槽内，与安装槽的内壁邻接。本发明的反射电极结构件，被溅射件嵌装于安装槽内，可以通过增大安装槽的尺寸直接增大被溅射件的面积，增加离子束中的离子含量，此结构无需其他辅助部件安装，简化结构，便于更换被溅射件来补偿同一种类的金属材质在溅射过程中的消耗，也可以根据所需的离子束种类更换成为对应的金属材质，适应性好。

3. 发明公开

CN112490099A 一种离子源阴极结构及运用该阴极结构的离子束产生方法无效
公开(公告)号：CN112490099A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011358109.4
申请日：2020-11-27
申请人：廖斌 , 广东省广新离子束科技有限公司
发明人：廖斌 , 庞盼 , 王国梁 , 罗军 , 陈琳
IPC分类号： H01J27/22 , H01J37/08
摘要：本发明公开了一种离子源阴极结构及运用该阴极结构的离子束产生方法，涉及等离子源领域。该方案包括固定法兰盘、屏蔽套以及阴极靶材，固定法兰盘穿设有螺纹调节杆，螺纹调节杆的一端与阴极靶材连接并驱动阴极靶材沿螺纹调节杆的轴线方向移动，螺纹调节杆的另一端设置有调节部。提供一种离子源阴极结构以及离子束的产生方法，当阴极靶材发生一定的消耗后，通过调节部可带动螺纹调节杆旋转，而螺纹调节杆可带动阴极靶材移动，从而对阴极靶材与屏蔽套之间的相对位置进行调节，使阴极靶材的端面在消耗后能够调整到消耗前的位置，保持阴极靶材产生等离子体的稳定性保持经过离子加速电路加速后的离子束流强度的稳定性以及提高阴极靶材的有效利用率。

4. 发明授权

CN100536062C 液态金属离子源及其控制方法失效
公开(公告)号：CN100536062C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200480027321.5
申请日：2004-09-17
申请人：应用材料以色列公司
发明人：亚设·珀尔
IPC分类号： H01J37/08 , H01J27/22
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/02 , H01J27/26 , H01J2237/08 , H01J2237/3174 , H01J2237/31749
摘要：本发明提供一种用来控制液态金属离子源的方法，该液态金属离子源包含一尖端，一第一电极及一第二电极，该方法包括的步骤为：(i)将第一电极保持在第一电压等级范围及将第二电极保持在第二电压等级范围，用以在源的操作中主动模式期间撷取形成在尖端上的金属离子；(ii)将第一电极保持在第三电压等级范围及将第二电极保持在第四电压等级范围，用以在源的操作中闲置模式期间实质上减少从尖端撷取金属离子。第三电压等级和第四电压等级中至少其一并不包括零电压等级。第一电压等级不同于第三电压等级。

5. 发明授权

CN105390355B 一种反射电极结构件及离子源有权转让
公开(公告)号：CN105390355B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510804064.1
申请日：2015-11-20
申请人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
发明人：彭立波 , 袁卫华 , 孙雪平 , 易文杰
IPC分类号： H01J27/20 , H01J27/22
摘要：本发明公开了一种反射电极结构件及离子源，其反射电极结构件包括高熔点金属材料制备的对置反射电极和低熔点金属材料制备的被溅射件，所述对置反射电极的前端设有安装槽，所述被溅射件嵌装于安装槽内，与安装槽的内壁邻接。本发明的反射电极结构件，被溅射件嵌装于安装槽内，可以通过增大安装槽的尺寸直接增大被溅射件的面积，增加离子束中的离子含量，此结构无需其他辅助部件安装，简化结构，便于更换被溅射件来补偿同一种类的金属材质在溅射过程中的消耗，也可以根据所需的离子束种类更换成为对应的金属材质，适应性好。

6. 发明授权

CN1004664B 多束金属和气体粒子束发生装置失效
公开(公告)号：CN1004664B
公开(公告)日：1989-06-28
申请号：CN85100610
申请日：1985-04-01
申请人：兰州大学
发明人：江兴流
IPC分类号： H01J27/02 , H01J27/22 , H01J37/08
摘要：多束金属和气体粒子束发生装置，放电室由金属极板和绝缘片交替迭起构成，金属极板上至少有两个孔，不同金属极板上的孔数相同或不同。该装置可产生多束电子束和金属离子束，处理面积大，被处理材料的表面性能将产生很大的变化，应用范围很广。

7. 发明申请

WO2005031788A3 A SOURCE OF LIQUID METAL IONS AND A METHOD FOR CONTROLLING THE SOURCE 审中-公开
标题翻译：液体金属离子的来源和控制源的方法
公开(公告)号：WO2005031788A3
公开(公告)日：2005-10-06
申请号：PCT/US2004030589
申请日：2004-09-17
申请人： APPLIED MATERIALS ISRAEL LTD , APPLIED MATERIALS INC , PEARL ASHER
发明人： PEARL ASHER
IPC分类号： G01N27/62 , H01J27/02 , H01J27/22 , H01J37/08 , H01J49/10
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/02 , H01J27/26 , H01J2237/08 , H01J2237/3174 , H01J2237/31749
摘要： The invention provides a system (10) and a method for controlling a source (20) of liquid metal ions, the source comprises a tip a first electrode (30) and a second electrode (40), the method includes the steps of : (i) maintaining the first electrode at a first voltage level range and maintaining the second voltage at a second voltage at a second voltage range, such as to extract metal ions formed on a tip (22) of the source, during an active mode of operation of the source ; and (ii) maintaining the first electrode at a third voltage level range and maintaining the second voltage at a fourth voltage level range, such as to substantially reduce an extraction of metal ions from the tip, during an idle mode of operation of the source. The third voltage level range and, alternatively or additionally, the fourth voltage level ranges does not include zero voltage level. The first voltage level range differs than the third voltage level range.
摘要翻译：本发明提供了一种用于控制液体金属离子源（20）的系统（10）和方法，所述源包括尖端，第一电极（30）和第二电极（40），所述方法包括以下步骤： i）将第一电极保持在第一电压电平范围，并将第二电压保持在第二电压范围的第二电压，例如在主动操作模式期间提取形成在源的尖端（22）上的金属离子的来源; 以及（ii）将所述第一电极保持在第三电压电平范围，并且将所述第二电压维持在第四电压电平范围，例如在所述电源的空闲运行模式期间基本上减少所述尖端的金属离子的提取。第三电压电平范围，或者或另外地，第四电压电平范围不包括零电压电平。第一电压电平范围不同于第三电压电平范围。

8. 发明专利

RU2716825C1 Устройство и способ формирования пучков многозарядных ионов 未知
公开(公告)号：RU2716825C1
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：RU2019114248
申请日：2019-05-07
申请人： FEDERALNOE GOSUDARSTVENNOE BYUDZHETNOE OBRAZOVATELNOE UCHREZHDENIE VYSSHEGO OBRAZOVANIYA RYAZANSKIJ
发明人： TOLSTOGUZOV ALEKSANDR BORISOVICH , GOLOLOBOV GENNADIJ PETROVICH , GUSEV SERGEJ IGOREVICH , SUVOROV DMITRIJ VLADIMIROVICH
IPC分类号： H01J27/22 , H01J37/08
摘要： Изобретениеотноситсяк областиускорительнойтехникии можетбытьиспользованодляформированияпучков (потоков) низкоэнергетическихдвух- итрехзарядныхионовщелочноземельныхи редкоземельныхметалловв установкахдляионнойимплантациии литографии, микрозондовогоанализа, вионно-лучевыхприборахдлямодификацииповерхности, атакжеприразработкеквантовыхкомпьютерови атомныхчасов. Техническийрезультат - повышениеэффективностиработыисточникаионовзасчетгенерацииионныхпучковс заданнойзарядностьюи малымпространственными энергетическим «размытием», чтопозволяетсоздатькомпактнуюмодульнуюконструкциюисточника, нетребующуюиспользованиясложногои дорогостоящегомасс-сепаратора. Устройствосодержитсъемныйэмиттерныйузел, состоящийизцилиндрическогооснования, выполняющегоролькатодногоэлектродаи изготовленногоизметаллас хорошейэлектро- итеплопроводностью, напримермеди, сплоскимиторцами, наодинизкоторыхпоследовательнонанесенытонкаяпленкарабочеговещества - щелочноземельногоилиредкоземельногометалла, тонкаяпленкатвердогоэлектролитанаоснове Na-β''-AlOкерамики, вкоторомионы Naзамещаютсядвух- илитрехвалентнымиподвижнымиионамирабочеговещества, итонкаяпленкапористогопроводящегоматериала, напримеруглерода, выполняющегорольанодногоэлектрода, иомическийнагреватель, расположенныйс другоготорцатвердотельногорезервуара. Cпособформированияпучковмногозарядныхионовсостоитв образованиидвухзарядныхионовщелочноземельныхметалловилитрехзарядныхионовредкоземельныхметалловзасчетокислительно-восстановительныхреакцийнагранице «катодныйэлектрод-твердыйэлектролит» споследующимихбыстрымтранспортированиемчерезтвердыйэлектролит, стимулированнымнагревомдотемпературынижетемпературыплавления, полевогоиспарения, ввакуум, иускорениявнешнимэлектрическимполемв пространствемеждуаноднымэлектродоми входнойдиафрагмойустройства. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.

9. 发明专利

DE102016107945A1 Ionenquelle zur Metallimplantation und Verfahren derselben 未知
公开(公告)号：DE102016107945A1
公开(公告)日：2016-11-03
申请号：DE102016107945
申请日：2016-04-28
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人： WILTSCHE EWALD , ZUPAN PETER , SCHUSTEREDER WERNER , JELINEK MORIZ , KRÖNER FRIEDRICH , EBERWEIN ROBERT
IPC分类号： H01J37/08 , H01J27/02 , H01J27/22 , H01L21/265
摘要： Eine Ionenquelle für einen Implanter umfasst eine erste Festkörperquellelektrode, die in einer Ionenquellkammer angeordnet ist. Die erste Festkörperquellelektrode umfasst ein Quellmaterial, das mit einem ersten Knoten mit negativem Potential gekoppelt ist. Eine zweite Festkörperquellelektrode ist in der Ionenquellkammer angeordnet. Die zweite Festkörperquellelektrode umfasst das Quellmaterial, das mit einem zweiten Knoten mit negativem Potential gekoppelt ist, und die erste Festkörperquellelektrode und die zweite Festkörperquellelektrode sind ausgebildet, um Ionen zu erzeugen, die durch den Implanter implantiert werden sollen.

10. 发明专利

AT500917B8 未知
公开(公告)号：AT500917B8
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：AT12332004
申请日：2004-07-20
申请人： ARC SEIBERSDORF RES GMBH
IPC分类号： H01J27/22 , H01J37/08 , H01J37/30

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式