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1. 发明公开

CN115240734A 阻变随机存储器的控制方法和控制系统审中-实审
公开(公告)号：CN115240734A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210946698.0
申请日：2022-08-08
申请人：中国科学院半导体研究所
发明人：陈义豪 , 陈刚 , 李志刚 , 边昳 , 鲁华祥
IPC分类号： G11C11/50
摘要：本公开提供了一种阻变随机存储器的控制方法，应用于控制单元，控制单元与驱动电路电连接，驱动电路与阻变随机存储器电连接，控制方法包括：向驱动电路发送驱动信号，以使得驱动电路根据驱动信号向阻变随机存储器发送脉冲序列，以及驱动电路根据脉冲序列生成反馈信息；根据反馈信息确定阻变随机存储器的当前阻值；在当前阻值不符合目标阻值范围的情况下，迭代地根据反馈信息确定新的驱动信号，其中，新的驱动信号包括脉冲类型和与脉冲类型对应的脉冲幅值，脉冲类型包括电压脉冲或电流脉冲；向驱动电路发送新的驱动信号，以使得驱动电路根据新的驱动信号生成新的反馈信息；根据新的反馈信息确定阻变随机存储器的新的当前阻值。

2. 发明授权

CN113490983B 用于NAND闪速存储器的方法和装置有权
公开(公告)号：CN113490983B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202080009779.7
申请日：2020-04-15
申请人：许富菖
发明人：许富菖
IPC分类号： G11C8/20 , G11C11/50 , G11C11/52 , G11C11/54 , G11C11/56 , G11C16/30 , G11C16/32 , G11C16/34
摘要：公开了用于NAND闪速存储器的方法和装置。在实施例中，提供了一种用于对NAND闪速存储器进行编程的方法。该方法包括：在未选位线维持禁止电压的同时，用偏置电压电平对所选存储单元的所选位线进行预上电；将验证电压施加到耦合到所选存储单元的所选字线；以及在第一时间间隔内对耦合到接通单元的所选位线进行放电。该方法还包括：读出所选位线上的读出电压电平；当读出电压电平高于阈值电平时，用禁止电压电平加载所选位线，并且当读出电压电平等于或低于阈值电平时，用编程电压加载所选位线；以及针对各个所选位线重复读出和加载操作。

3. 发明公开

CN113490983A 用于NAND闪速存储器的方法和装置有权
公开(公告)号：CN113490983A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202080009779.7
申请日：2020-04-15
申请人：许富菖
发明人：许富菖
IPC分类号： G11C8/20 , G11C11/50 , G11C11/52 , G11C11/54 , G11C11/56 , G11C16/30 , G11C16/32 , G11C16/34
摘要：公开了用于NAND闪速存储器的方法和装置。在实施例中，提供了一种用于对NAND闪速存储器进行编程的方法。该方法包括：在未选位线维持禁止电压的同时，用偏置电压电平对所选存储单元的所选位线进行预上电；将验证电压施加到耦合到所选存储单元的所选字线；以及在第一时间间隔内对耦合到接通单元的所选位线进行放电。该方法还包括：读出所选位线上的读出电压电平；当读出电压电平高于阈值电平时，用禁止电压电平加载所选位线，并且当读出电压电平等于或低于阈值电平时，用编程电压加载所选位线；以及针对各个所选位线重复读出和加载操作。

4. 发明授权

CN101277897B 制造非易失性微机电存储器单元的方法失效转让
公开(公告)号：CN101277897B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200680036330.X
申请日：2006-11-02
申请人：卡文迪什动力有限公司
发明人：罗伯特·凡·坎彭 , 罗伯特·考津齐
IPC分类号： B81B3/00 , G11C23/00 , G11C11/50 , H01H1/00
CPC分类号： H01H59/0009 , B81C1/0015 , B81C2201/014 , B81C2201/0176 , G11C23/00 , H01H51/12
摘要：本发明提供一种非易失性存储器装置和制造非易失性微机电存储器单元的方法。所述方法包含通过使用原子层沉积在衬底上沉积第一牺牲材料层的第一步骤。所述方法的第二步骤是在所述第一牺牲材料层的至少一部分上方提供悬臂(101)。第三步骤是通过使用原子层沉积在所述第一牺牲材料层上方和所述悬臂的一部分上方沉积第二牺牲材料层，使得所述悬臂的一部分由牺牲材料包围。第四步骤是提供又一材料层(107)，其覆盖所述第二牺牲材料层的至少一部分。最终，最后步骤是蚀刻掉包围所述悬臂的所述牺牲材料，进而界定其中悬置所述悬臂的空腔(102)。

5. 发明公开

CN101277897A 非易失性存储器装置失效转让
公开(公告)号：CN101277897A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200680036330.X
申请日：2006-11-02
申请人：卡文迪什动力有限公司
发明人：罗伯特·凡·坎彭 , 罗伯特·考津齐
IPC分类号： B81B3/00 , G11C23/00 , G11C11/50 , H01H1/00
CPC分类号： H01H59/0009 , B81C1/0015 , B81C2201/014 , B81C2201/0176 , G11C23/00 , H01H51/12
摘要：本发明提供一种非易失性存储器装置和制造非易失性微机电存储器单元的方法。所述方法包含通过使用原子层沉积在衬底上沉积第一牺牲材料层的第一步骤。所述方法的第二步骤是在所述第一牺牲材料层的至少一部分上方提供悬臂(101)。第三步骤是通过使用原子层沉积在所述第一牺牲材料层上方和所述悬臂的一部分上方沉积第二牺牲材料层，使得所述悬臂的一部分由牺牲材料包围。第四步骤是提供又一材料层(107)，其覆盖所述第二牺牲材料层的至少一部分。最终，最后步骤是蚀刻掉包围所述悬臂的所述牺牲材料，进而界定其中悬置所述悬臂的空腔(102)。

6. 发明授权

CN1868002B 具有多个控件的基于纳米管的开关元件及由其制成的电路失效
公开(公告)号：CN1868002B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200480029801.5
申请日：2004-08-12
申请人：南泰若股份有限公司
发明人： C·L·伯丁 , T·吕克斯 , B·M·塞加尔
IPC分类号： G11C11/00 , G11C11/50 , G11C11/21 , G11C23/00 , H01L29/772 , B82B1/00 , B81B3/00
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C23/00 , G11C2213/16 , G11C2213/17 , H01H1/0094 , H01H1/027 , H01H2001/0005 , H01L27/28 , H01L29/0673 , H01L29/73 , H01L29/78 , H01L51/0048 , H01L51/0508 , Y10S977/762 , Y10S977/932 , Y10S977/94 , Y10T29/49002
摘要：本发明是关于具有多个控件的基于纳米管的开关元件以及由其制成的电路。开关元件包括一输入节点、一输出节点、以及具有至少一个导电纳米管的纳米管通道元件。一控制结构相对于该纳米管通道放置，以可控地在输入节点及输出节点之间形成与解除一导电通道。该输出节点被构建与安排为使该通道的形成实质上不受输出节点的电气状态的影响。该控制结构包括置于该纳米管通道元件的相对两侧的一个控制电极和一个释放电极。该控制与释放可用来形成一差动输入，或者如果该装置被适当构建，则以非易失性方式操作该电路。该开关元件可被安排在具有差动输入和/或取决于该构建的非易失性行为的逻辑电路和闩锁中。

7. 发明授权

CN1996491B 使用多层碳纳米管的非易失碳纳米管存储器及其操作方法失效
公开(公告)号：CN1996491B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200610143558.0
申请日：2006-11-13
申请人：三星电子株式会社
发明人：利奥尼德·马斯罗夫 , 柳震奎 , 金澈淳
IPC分类号： G11C11/50 , G11C13/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C13/0069 , G11C23/00 , G11C2013/009 , G11C2213/16 , H01L51/0048 , Y10S977/709 , Y10S977/724 , Y10S977/752 , Y10S977/943
摘要：本发明提供一种使用多层碳纳米管的非易失性碳纳米管存储器及其操作方法。该非易失性存储器包括：基底；形成在基底上的第一电极；形成在第一电极上且彼此间隔的第一和第二垂直壁；形成在第一和第二垂直壁之间的第一电极上的多层碳纳米管；分别设置在第一和第二垂直壁处的第二和第三电极；以及设置在多层碳纳米管上方的第四电极。

8. 发明公开

CN1996491A 使用多层碳纳米管的非易失碳纳米管存储器及其操作方法失效
公开(公告)号：CN1996491A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610143558.0
申请日：2006-11-13
申请人：三星电子株式会社
发明人：利奥尼德·马斯罗夫 , 柳震奎 , 金澈淳
IPC分类号： G11C11/50 , G11C13/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C13/0069 , G11C23/00 , G11C2013/009 , G11C2213/16 , H01L51/0048 , Y10S977/709 , Y10S977/724 , Y10S977/752 , Y10S977/943
摘要：本发明提供一种使用多层碳纳米管的非易失性碳纳米管存储器及其操作方法。该非易失性存储器包括：基底；形成在基底上的第一电极；形成在第一电极上且彼此间隔的第一和第二垂直壁；形成在第一和第二垂直壁之间的第一电极上的多层碳纳米管；分别设置在第一和第二垂直壁处的第二和第三电极；以及设置在多层碳纳米管上方的第四电极。

9. 发明公开

CN1868002A 具有多个控件的基于纳米管的开关元件及由其制成的电路失效
公开(公告)号：CN1868002A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200480029801.5
申请日：2004-08-12
申请人：南泰若股份有限公司
发明人： C·L·伯丁 , T·吕克斯 , B·M·塞加尔
IPC分类号： G11C11/00 , G11C11/50 , G11C11/21 , G11C23/00 , H01L29/772 , B82B1/00 , B81B3/00
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C23/00 , G11C2213/16 , G11C2213/17 , H01H1/0094 , H01H1/027 , H01H2001/0005 , H01L27/28 , H01L29/0673 , H01L29/73 , H01L29/78 , H01L51/0048 , H01L51/0508 , Y10S977/762 , Y10S977/932 , Y10S977/94 , Y10T29/49002
摘要：本发明是关于具有多个控件的基于纳米管的开关元件以及由其制成的电路。开关元件包括一输入节点、一输出节点、以及具有至少一个导电纳米管的纳米管通道元件。一控制结构相对于该纳米管通道放置，以可控地在输入节点及输出节点之间形成与解除一导电通道。该输出节点被构建与安排为使该通道的形成实质上不受输出节点的电气状态的影响。该控制结构包括置于该纳米管通道元件的相对两侧的一个控制电极和一个释放电极。该控制与释放可用来形成一差动输入，或者如果该装置被适当构建，则以非易失性方式操作该电路。该开关元件可被安排在具有差动输入和/或取决于该构建的非易失性行为的逻辑电路和闩锁中。

10. 发明专利

JP2015164086A データストレージセル及びメモリ構成审中-公开
标题翻译：数据存储单元和存储器布置
公开(公告)号：JP2015164086A
公开(公告)日：2015-09-10
申请号：JP2014233717
申请日：2014-11-18
申请人：アイメック・ヴェーゼットウェー , IMEC VZW
发明人：ステファン・コーゼマンス
IPC分类号： B82Y10/00 , G11C11/50
CPC分类号： G11C23/00 , G11C11/54 , H01H1/0094
摘要：【課題】高速リードアクセスを伴うメモリ素子、それらメモリセルを含むメモリ構成、及び、それらメモリ素子を読み出し書き込むバイアススキームを提供する。【解決手段】データを格納するデータストレージセルは、第1のアンカーに固定された第1の移動自在ビーム101と、第1のコントロールゲート及び第2のコントロールゲートと、第1の移動自在ビームが対向して配置され得る第1のアウトプットノードとを含む、第1のナノ電気機械スイッチを含む。第2のアンカーに固定された第2の移動自在ビームと、第3のコントロールゲート及び第4のコントロールゲートとを含む。第2の移動自在ビームは第1のアウトプットノードに対向して配置される。第1のナノ電気機械スイッチ及び第2のナノ電気機械スイッチは、データストレージセルの第1の状態若しくは第2の状態を選択するように構成される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有快速读取访问的存储元件，包括这种存储单元的存储器装置以及用于读取和写入这种存储元件的偏置方案。解决方案：用于存储数据的数据存储单元包括第一纳米机电开关，其包括固定到第一锚，第一控制栅极和第二控制栅极的第一可移动梁101，第一可移动梁可定位在其上的第一输出节点。数据存储单元还包括第二纳米机电开关，其包括固定到第二锚定器，第三控制栅极和第四控制栅极的第二可移动梁。第二可移动光束被定位成抵靠第一输出节点。第一纳米机电开关和第二纳米机电开关被配置用于选择数据存储单元的第一或第二状态。

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