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1. 发明公开

CN85106881A 静电双态开关装置和存储器装置无效
公开(公告)号：CN85106881A
公开(公告)日：1986-06-10
申请号：CN85106881
申请日：1985-09-12
申请人：乔治·R·辛普森 , 赫伯特·W·沙利文
发明人：乔治·R·辛普森 , 赫伯特·W·沙利文
IPC分类号： G11C11/23
CPC分类号： B82Y15/00 , F05C2225/08 , G11C11/21 , G11C11/24 , G11C17/04 , G11C23/00 , H01H59/0009 , H01H2001/0063 , H01H2059/009
摘要：排成行与列的静电元件阵列可用于开关的目的和存储器装置。每个元件的可被静电吸动的部件，当动作的时候，就变成一个完整的电容器件，使该元件能够蓄积电荷。利用高频信号能敏感出这个元件是不是电容器件。如果用一片导电面积的图形来代替可吸动的部件，还能做出固定存储器。这些可吸动的部件，当被吸动时，还可形成电容开关装置或开关矩阵。

2. 发明公开

EP1453074A2 Dielectric emitter with PN junction 审中-公开
标题翻译： Dielektrischer Emitter mit PN-Uebergang
公开(公告)号：EP1453074A2
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：EP04250448.0
申请日：2004-01-28
申请人： Hewlett-Packard Development Company, L.P.
发明人： Chen, Zhizhang , Liao, Hung , Govyadinov, Alexander
IPC分类号： H01J1/308 , H01J31/12 , G11C11/23
CPC分类号： B82Y10/00 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J9/022 , H01J31/127
摘要： A method for emitting electrons includes the steps of applying a voltage to an electron source (12) to cause hot electrons to be generated with the source (12), and applying an electric field to cause at least a portion of the hot electrons to be emitted from the electron source (12).
摘要翻译：一种用于发射电子的方法包括以下步骤：向电子源（12）施加电压以使源（12）产生热电子，并施加电场以使至少一部分热电子为从电子源（12）发射。

3. 发明申请

WO02103740A2 FOCUSING LENS FOR ELECTRON EMITTER 审中-公开
标题翻译：聚焦镜头用于电子发射器
公开(公告)号：WO02103740A2
公开(公告)日：2002-12-27
申请号：PCT/US0218474
申请日：2002-06-10
申请人： HEWLETT PACKARD CO
发明人： BENNING PAUL J , KNIGHT WILLIAM R , REGAN MICHAEL J
IPC分类号： G11C11/21 , G11B9/00 , G11B9/10 , G11C11/23 , H01J1/52 , H01J3/02 , H01J3/18 , H01J19/38 , H01J19/40 , H01J21/10 , H01J29/06 , H01J29/62 , H01J31/12
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B9/10 , G11B9/14 , G11B9/1418 , G11C11/23 , H01J3/022
摘要： An electron lens is used for focusing electrons from a cathode (10) to an anode (30). The lens includes a first conductive layer (36) with a first opening (38) at a first distance (48) from the cathode (10). The first conductive layer (36) is held at a first voltage. The lens also includes a second conductive layer (32) with a second opening (34) at a second distance (46) from the first conductive layer (36) and a third distance (24) from the anode (30). The second conductive layer (32) is held at a second voltage substantially equal to the voltage of the anode (30). The first (38) and second (34) openings are chosen based on the first voltage, the second voltage, the first distance (48), the second distance (46) and the third distance (24). The opening focuses the electrons emitted from the cathode (10) onto the anode (30) to a spot size preferably less than 40 nanometers. The force created between the cathode (10) and anode (30) is minimized by the structure of the lens.
摘要翻译：电子透镜用于将电子从阴极（10）聚焦到阳极（30）。透镜包括第一导电层（36），其具有距离阴极（10）第一距离（48）的第一开口（38）。第一导电层（36）保持在第一电压。透镜还包括第二导电层（32），其具有与第一导电层（36）相距第二距离（46）的第二开口（34）和距离阳极（30）的第三距离（24）。第二导电层（32）保持在基本上等于阳极（30）的电压的第二电压。基于第一电压，第二电压，第一距离（48），第二距离（46）和第三距离（24）来选择第一（38）和第二（34）开口。开口将从阴极（10）发射的电子聚焦到阳极（30）上，其光斑尺寸优选小于40纳米。通过透镜的结构，在阴极（10）和阳极（30）之间产生的力最小化。

4. 发明申请

WO1994005011A1 OPTOELECTRONIC MEMORIES WITH PHOTOCONDUCTIVE THIN FILMS 审中-公开
标题翻译：光电薄膜与光电薄膜
公开(公告)号：WO1994005011A1
公开(公告)日：1994-03-03
申请号：PCT/US1993007821
申请日：1993-08-19
申请人： BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM
发明人： BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM , LIU, Chongyang , PAN, Horng-long , BARD, Allen, J. , FOX, Marye, Anne
IPC分类号： G11C11/23
CPC分类号： G11B9/08 , B82Y10/00 , G11B9/14 , G11B9/149 , G11B11/08 , G11C7/005 , G11C13/04
摘要： Methods and apparatii are described for information storage in photoconductive film of single layer composition by irradiation of memory elements simultaneously with application of an electric field. Information is stored as trapped charge accumulations in the film when the irradiation is removed, but trapped charge can be released by subsequent irradiation. Repeated information storage, followed by erasure, returns the films to their original state without degradation.
摘要翻译：描述了用于通过在施加电场的同时照射存储元件的单层组成的光电导膜中的信息存储的方法和装置。当去除照射时，信息被存储为膜中的捕获的电荷聚集，但是通过随后的照射可以释放捕获的电荷。重复的信息存储，然后擦除，将电影恢复到原始状态，而不会降级。

5. 实用新型

JPS5822230Y2 失效
公开(公告)号：JPS5822230Y2
公开(公告)日：1983-05-12
申请号：JP3499877
申请日：1977-03-23
IPC分类号： H04N5/907 , G08B5/00 , G08B7/06 , G09G1/00 , G09G1/06 , G09G1/16 , G09G5/00 , G09G5/391 , G11C11/23 , H04N5/76

6. 发明专利

JPS5746181B2 失效
公开(公告)号：JPS5746181B2
公开(公告)日：1982-10-01
申请号：JP7879173
申请日：1973-07-12
IPC分类号： H01J31/58 , G11C11/23

7. 发明专利

JPS52129338A METHOD OF STORING RECORD PRESERVATION AND MEMORY MEDIUM TARGET 失效
公开(公告)号：JPS52129338A
公开(公告)日：1977-10-29
申请号：JP3052977
申请日：1977-03-22
申请人： GEN ELECTRIC
发明人： KONIRII GEI KAAKUPATORITSUKU , JIEIMUZU FUREDERITSUKU NOOTON , JIEEJI EDOWAADO POTSUSHIN
IPC分类号： G11C17/00 , G11C11/23 , H01L21/265 , H01L27/102 , H01L29/06

8. 发明专利

JPS5232708B2 失效
公开(公告)号：JPS5232708B2
公开(公告)日：1977-08-23
申请号：JP3883272
申请日：1972-04-17
IPC分类号： G11C11/23 , G11C11/30

9. 发明专利

JPS5224820B1 失效
公开(公告)号：JPS5224820B1
公开(公告)日：1977-07-04
申请号：JP2938771
申请日：1971-05-01
IPC分类号： G01R13/20 , G06F3/153 , G06K15/12 , G09G1/26 , G11C11/23 , H04N1/21 , G06K15/00 , B41B19/00 , G06F3/14

10. 发明专利

JPS525833B1 失效
公开(公告)号：JPS525833B1
公开(公告)日：1977-02-16
申请号：JP8704470
申请日：1970-10-02
IPC分类号： H01J31/12 , G09G1/20 , G11C11/23 , H01J31/08 , G06F3/14 , G11C11/21

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