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1. 发明公开

CN1620752A 薄膜体声波谐振器结构及其制造方法失效
公开(公告)号：CN1620752A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN02828164.0
申请日：2002-12-17
申请人：英特尔公司
发明人： Q·马 , L·-P·王 , V·劳
IPC分类号： H03H3/02 , H03H9/15
CPC分类号： H03H9/172 , H03H3/02 , H03H9/586 , Y10T29/42
摘要：一种薄膜体声波谐振器在具有主表面的衬底上形成。该薄膜体声波谐振器包括细长叠层。该细长叠层包括一个位于淀积在压电材料层的第一表面上的第一导电层和位于淀积在压电材料层的第二表面上的第二导电层之间的压电材料层。该细长叠层相对于衬底的主表面大致垂直。第一和第二导电层大体上同时在一个加工步骤中放置在压电材料层上。衬底的主表面位于水平面上，薄膜体声波谐振器的叠层位于大致垂直的平面上。所形成的谐振器结构可用作谐振器或滤波器。

2. 发明授权

CN1620752B 薄膜体声波谐振器结构及其制造方法失效
公开(公告)号：CN1620752B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN02828164.0
申请日：2002-12-17
申请人：英特尔公司
发明人： Q·马 , L·-P·王 , V·劳
IPC分类号： H03H3/02 , H03H9/15
CPC分类号： H03H9/172 , H03H3/02 , H03H9/586 , Y10T29/42
摘要：一种薄膜体声波谐振器在具有主表面的衬底上形成。该薄膜体声波谐振器包括细长叠层。该细长叠层包括一个位于淀积在压电材料层的第一表面上的第一导电层和位于淀积在压电材料层的第二表面上的第二导电层之间的压电材料层。该细长叠层相对于衬底的主表面大致垂直。第一和第二导电层大体上同时在一个加工步骤中放置在压电材料层上。衬底的主表面位于水平面上，薄膜体声波谐振器的叠层位于大致垂直的平面上。所形成的谐振器结构可用作谐振器或滤波器。

3. 发明公开

CN107919863A 包括谐振器的滤波器系统有权
公开(公告)号：CN107919863A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710826616.8
申请日：2017-09-13
申请人：三星电子株式会社
发明人：姜诚赞 , 金载兴 , 朴相河 , 尹容燮 , 李忠镐
IPC分类号： H03H9/58 , H03H9/64
CPC分类号： H03H9/54 , G01H11/08 , H03H9/13 , H03H9/24 , H04R17/02 , H04R17/10 , H04R25/00 , H04R2499/13 , H04R2499/15 , H03H9/586 , H03H9/6416 , H03H9/6433
摘要：公开了一种滤波器系统，该滤波器系统包括：第一谐振器，具有第一谐振频率；以及第二谐振器，具有与第一谐振频率不同的第二谐振频率并且电连接到第一谐振器。第一谐振器相对于频率的第一响应特性和第二谐振器相对于所述频率的第二响应特性包括第一部分和第二部分，在第一部分中第一谐振器的第一相位等于第二谐振器的第二相位，在第二部分中第一相位与第二相位相差180度。第一谐振器的第一电极与第二谐振器的第二电极反相连接。

4. 发明公开

CN105871351A 一种窄支撑梁高品质因数的压电谐振器失效
公开(公告)号：CN105871351A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610168651.0
申请日：2016-03-22
申请人：电子科技大学
发明人：鲍景富 , 李昕熠 , 秦风 , 张超 , 张翼 , 张亭
IPC分类号： H03H3/02 , H03H9/56 , H03H9/58
CPC分类号： H03H3/02 , H03H9/564 , H03H9/582 , H03H9/586
摘要：本发明属于电子科学技术领域，涉及MEMS压电谐振器，具体提供一种窄支撑梁高品质因数的压电谐振器，包括振动块、四条支撑梁、四个支撑台及基底，所述振动块由输入端P型半导体区、N型半导体区和输出端P型半导体区构成，所述输入端P型半导体区、输出端P型半导体区分别位于振动块的对角，连接振动块各区的支撑梁与振动块对应区采用相同掺杂类型，振动块上覆盖压电层，输入、输出金属电极置于压电层上，所述压电层部分覆盖振动块，使得输入金属电极与输入端P型半导体区电气连通，输出金属电极与输出端P型半导体区电气连通。本发明结构能够大大减小了由传统支撑梁较大宽度带来的锚点损耗，有效的提高了谐振器的品质因数Q。

5. 发明公开

CN105871350A 一种双窄支撑梁高品质因数的压电谐振器失效
公开(公告)号：CN105871350A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610168600.8
申请日：2016-03-22
申请人：电子科技大学
发明人：鲍景富 , 李昕熠 , 秦风 , 张超 , 张翼 , 张亭
IPC分类号： H03H3/02 , H03H9/56 , H03H9/58
CPC分类号： H03H3/02 , H03H9/564 , H03H9/582 , H03H9/586
摘要：本发明属于电子科学技术领域，涉及MEMS压电谐振器，提供一种双窄支撑梁高品质因数的压电谐振器，包括振动块、输入端支撑梁、输出端支撑梁、输入端支撑台、输出端支撑台及基底，所述振动块通过支撑梁与支撑台电气连通，支撑台设置于基底上，支撑台上设置外接金属电极，所述振动块由输入端P型半导体区、N型半导体区构成，所述输入端P型半导体区位于振动块与输入端支撑梁连接处，连接振动块各区的支撑梁与振动块对应区采用相同掺杂类型，压电层部分覆盖振动块，开设缺口以部分露出输入端P型半导体区，压电层上金属电极通过过渡金属电极连接输入端P型半导体区。本发明结构能够大大减小支撑梁宽度，有效的提高谐振器的品质因数Q。

6. 发明申请

WO2006034299A3 RESONATOR SYSTEM WITH A PLURALITY OF INDIVIDUAL MECHANICALLY COUPLED RESONATORS AND METHOD OF MAKING SAME 审中-公开
标题翻译：具有多种机械耦合谐振器的谐振器系统及其制造方法
公开(公告)号：WO2006034299A3
公开(公告)日：2007-04-12
申请号：PCT/US2005033715
申请日：2005-09-20
申请人： DRAPER LAB CHARLES S , DUWEL AMY , HOHREITER LUKE , KANG JOUNG-MO , WHITE DOUG , CARTER DAVID J , VARGHESE MATHEW
发明人： DUWEL AMY , HOHREITER LUKE , KANG JOUNG-MO , WHITE DOUG , CARTER DAVID J , VARGHESE MATHEW
IPC分类号： H03H9/46 , H03H3/02 , H03H9/17 , H03H9/50 , H03H9/56 , H03H9/58
CPC分类号： H03H3/02 , H03H9/564 , H03H9/582 , H03H9/586 , H03H2003/027 , H03H2009/241 , Y10T29/42
摘要： A resonator system (10) wherein a plurality of resonators (16, 18) each including piezoelectric material, are suspended relative to a substrate (12). An edge of each resonator (16, 18) is mechanically coupled to an edge of another resonator, and the plurality of resonators (16, 18) expand and contract reaching resonance in response to an applied electric field.
摘要翻译：每个包括压电材料的多个谐振器（16,18）相对于衬底（12）悬挂的谐振器系统（10）。每个谐振器（16,18）的边缘机械耦合到另一谐振器的边缘，并且多个谐振器（16,18）响应于所施加的电场而伸展和收缩达到共振。

7. 发明申请

WO2003052927A1 FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR STRUCTURE AND METHOD OF PRODUCING IT 审中-公开
标题翻译：电影大容量声学谐振器结构及其生产方法
公开(公告)号：WO2003052927A1
公开(公告)日：2003-06-26
申请号：PCT/US2002/040511
申请日：2002-12-17
申请人： INTEL CORPORATION
发明人： MA, Qing , WANG, Li-Peng , RAO, Valluri
IPC分类号： H03H3/02
CPC分类号： H03H9/172 , H03H3/02 , H03H9/586 , Y10T29/42
摘要： A film bulk acoustic resonator is formed on a substrate having a major surface. The film bulk acoustic resonator includes an elongated stack. The elongated stack includes a layer of piezoelectric material positioned between a first conductive layer deposited on a first surface of the layer of piezoelectric material, and a second conductive layer deposited on a second surface of the layer of piezoelectric material. The elongated stack is positioned substantially perpendicular with respect to the major surface of the substrate. The first and second conductive layers are placed on the layer of piezoelectric material substantially simultaneously and in one processing step. The major surface of the substrate is in a horizontal plane and the stack of the film bulk acoustic resonator is in a substantially vertical plane. The resonator structure formed may be used either as a resonator or a filter.
摘要翻译：在具有主表面的基板上形成膜体声波谐振器。薄膜体声波谐振器包括细长的叠层。细长堆叠包括一层位于压电材料层的第一表面上的第一导电层和沉积在该压电材料层的第二表面上的第二导电层之间的压电材料。细长的堆叠被定位成相对于基底的主表面基本垂直。第一和第二导电层基本上同时并在一个处理步骤中放置在压电材料层上。衬底的主表面处于水平面，膜体声波谐振器的堆叠处于基本垂直的平面。形成的谐振器结构可以用作谐振器或滤波器。

8. 发明申请

WO2004059836A2 MEMS PIEZOELECTRIC LONGITUDINAL MODE RESONATOR 审中-公开
标题翻译： MEMS压电纵向模式谐振器
公开(公告)号：WO2004059836A2
公开(公告)日：2004-07-15
申请号：PCT/US2003/023982
申请日：2003-07-31
申请人： CHARLES STARK DRAPER LABORATORY INC. , DUWEL, Amy, E. , CARTER, David, J. , MESCHER, Mark, J. , VARGHESE, Mathew , ANTKOWIAK, Bernard, M. , WEINBERG, Marc, S.
发明人： DUWEL, Amy, E. , CARTER, David, J. , MESCHER, Mark, J. , VARGHESE, Mathew , ANTKOWIAK, Bernard, M. , WEINBERG, Marc, S.
IPC分类号： H03H3/00
CPC分类号： H03H3/02 , H03H9/172 , H03H9/564 , H03H9/586 , H03H2003/027 , H03H2009/241 , H04R17/00 , Y10T29/42 , Y10T29/435
摘要： A longitudinal mode resonator that includes a substrate and a bar that is suspended relative to the substrate. The bar is suspended such that it is free to expand and contract longitudinally in response to the application of an electric field across its thickness. The expansion and contraction of the bar achieves resonance in response to the field having a frequency substantially equal to the fundamental frequency of the bar.
摘要翻译：一种纵模式谐振器，其包括相对于衬底悬挂的衬底和棒。该杆被悬挂使得响应于其整个厚度上的电场的应用而使它自由地纵向膨胀和收缩。棒的膨胀和收缩响应于具有与棒的基本频率基本相等的频率的场来实现谐振。

9. 发明公开

EP1547244A2 PIEZOELECTRIC MEMS RESONATOR 审中-公开
标题翻译： PIEZOELEKTRISCHER MEMS谐振器
公开(公告)号：EP1547244A2
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：EP03813044.9
申请日：2003-07-31
申请人： Charles Stark Drapper Laboratory
发明人： DUWEL, Amy, E. , CARTER, David, J. , MESCHER, Mark, J. , VARGHESE, Mathew , ANTKOWIAK, Bernard, M. , WEINBERG, Marc, S.
IPC分类号： H03H3/00
CPC分类号： H03H3/02 , H03H9/172 , H03H9/564 , H03H9/586 , H03H2003/027 , H03H2009/241 , H04R17/00 , Y10T29/42 , Y10T29/435
摘要： A longitudinal mode resonator that includes a substrate and a bar that is suspended relative to the substrate. The bar is suspended such that it is free to expand and contract longitudinally in response to the application of an electric field across its thickness. The expansion and contraction of the bar achieves resonance in response to the field having a frequency substantially equal to the fundamental frequency of the bar.

10. 发明公开

EP1456946A1 FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR STRUCTURE AND METHOD OF PRODUCING IT 审中-公开
标题翻译： VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG FILM-HAUPTKÖRPER-SCHALLRESONATORSTRUKTUR
公开(公告)号：EP1456946A1
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：EP02805206.6
申请日：2002-12-17
申请人： INTEL CORPORATION
发明人： MA, Qing , WANG, Li-Peng , RAO, Valluri
IPC分类号： H03H3/02 , H03H9/15
CPC分类号： H03H9/172 , H03H3/02 , H03H9/586 , Y10T29/42
摘要： A film bulk acoustic resonator is formed on a substrate having a major surface. The film bulk acoustic resonator includes an elongated stack. The elongated stack includes a layer of piezoelectric material positioned between a first conductive layer deposited on a first surface of the layer of piezoelectric material, and a second conductive layer deposited on a second surface of the layer of piezoelectric material. The elongated stack is positioned substantially perpendicular with respect to the major surface of the substrate. The first and second conductive layers are placed on the layer of piezoelectric material substantially simultaneously and in one processing step. The major surface of the substrate is in a horizontal plane and the stack of the film bulk acoustic resonator is in a substantially vertical plane. The resonator structure formed may be used either as a resonator or a filter.
摘要翻译：在具有主表面的基板上形成膜体声波谐振器。薄膜体声波谐振器包括细长的叠层。细长堆叠包括位于沉积在压电材料层的第一表面上的第一导电层和沉积在压电材料层的第二表面上的第二导电层之间的压电材料层。细长的堆叠被定位成相对于衬底的主表面基本垂直。第一和第二导电层基本上同时并在一个处理步骤中放置在压电材料层上。衬底的主表面处于水平面，并且膜体声波谐振器的堆叠处于基本垂直的平面中。形成的谐振器结构可以用作谐振器或滤波器。

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