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1. 发明公开

CN1578039A 弧光放电保护装置失效
公开(公告)号：CN1578039A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN03150022.6
申请日：2003-07-29
申请人：新巨企业股份有限公司
发明人：吴光明 , 周进文 , 钟金标 , 郑英男
IPC分类号： H02H3/14
CPC分类号： H02H7/003 , H01F27/027 , H01F27/367 , H01F27/402 , H05K1/0254
摘要：一种弧光放电保护装置，用于避免高压输出区间在异常现象所产生的弧光放电效应，通过此弧光放电保护装置的电极板吸取高压输出区间的升压单元所放出的高压弧光放电讯号，再由转压单元接收电极板的高压弧光放电讯号，之后转成低压弧光放电讯号，由整流单元接收转压单元的低压弧光放电讯号并进行整流后输出一弧光杂波，再由触控单元检测弧光杂波并输出一触发讯号使控制单元或驱动单元停止动作，从而避免弧光放电效应对周边零组件造成热累积而产生火花或烧毁。

2. 发明授权

CN1005315B 脉冲发生器中晶闸管的保护性触发失效
公开(公告)号：CN1005315B
公开(公告)日：1989-10-04
申请号：CN86104894
申请日：1986-08-06
申请人：斯米德思公司
发明人：克劳斯·埃比·塔宁格
IPC分类号： B03C3/68
CPC分类号： H03K17/0824 , B03C3/68 , H02H7/003
摘要：对控制由脉冲操作的静电吸尘器的脉冲发生器电路中的晶闸管开关元件进行保护的保护性触发系统，其中在每个脉冲的脉冲电流过零前后的区域中产生保护性触发，其目的是作为跳火启动再触发系统的补充，以便确保在电流过零后立即发生的跳火不致使晶闸管在没有触发信号的情况下重新流过电流。

3. 发明授权

CN102665923B 静电涂装系统及静电涂装喷枪有权
公开(公告)号：CN102665923B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201080046512.1
申请日：2010-09-27
申请人：旭燦纳克株式会社
发明人：村田正美 , 西尾达哉 , 山崎谕志 , 安藤辉夫
IPC分类号： B05B5/053 , H02M3/28 , H02M7/48
CPC分类号： B05B5/03 , B05B5/053 , B05B5/0533 , B05B5/0535 , B05B5/10 , B05B7/0815 , B05B12/004 , B05B15/62 , H02H7/003
摘要：在包括静电涂装喷枪(2)、高压发生装置(5)和交流电源装置(4)的静电涂装系统(1)中，还包括：可拆装的接地体(7)，被设置成在安装于枪主体的状态下，将实施了接地的电源线(3a)的开路部(3c)闭合；以及交流电源装置(4)的控制电路(8)，以电流线圈(13)来检测电源线(3)中的电流或电源线(3)的电压，在向喷枪(4)的高压发生装置(5)提供交流电压(Vac)期间，当检测电流或检测电压减小时，或者，当检测不出电流或电压时，停止向高压发生装置(5)提供交流电压(Vac)。采用该构成，能防止可拆装的接地体(7)带电，提高涂装作业的安全性。

4. 发明公开

CN86104894A 脉冲发生器中晶闸管的保护性触发失效
公开(公告)号：CN86104894A
公开(公告)日：1987-03-04
申请号：CN86104894
申请日：1986-08-06
申请人：斯米德思公司
发明人：克劳斯·埃比·塔宁格
IPC分类号： H03K3/01 , H02H7/00 , A47L9/00
CPC分类号： H03K17/0824 , B03C3/68 , H02H7/003
摘要：对控制由脉冲操作的静电吸尘器的脉冲发生器电路中的晶闸管开关元件进行保护的保护性触发系统。其中在每个脉冲的脉冲电流过零前后的区域中产生保护性触发。其目的是作为跳火启动再触发系统的补充，以便确保在电流过零后立即发生的跳火不致使晶闸管在没有触发信号的情况下重新流过电流。

5. 发明授权

CN105264774B 半导体装置的保护电路失效
公开(公告)号：CN105264774B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201480032403.2
申请日：2014-05-28
申请人：株式会社电装
发明人：小山和博
IPC分类号： H03K17/0812 , H01L27/02
CPC分类号： H02H7/003 , H01L27/0248 , H01L29/7408 , H01L29/7412 , H01L29/778 , H03K17/08122
摘要：半导体装置的保护电路具备高电子迁移率晶体管(1)和保护元件。上述保护元件在上述高电子迁移率晶体管的漏极－栅极间具备晶闸管(2)以及与该晶闸管串联连接的第1电阻(3)。上述保护元件在上述高电子迁移率晶体管的源极－栅极间具备第2电阻(4)以及与该第2电阻串联连接的截断部(5，10)。上述截断部当上述晶闸管截止时将上述漏极－栅极间的电流的流动截断并且当上述晶闸管导通时允许上述漏极－栅极间的电流的流动。

6. 发明公开

CN102665923A 静电涂装系统、静电涂装喷枪及交流电源装置有权
公开(公告)号：CN102665923A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080046512.1
申请日：2010-09-27
申请人：旭燦纳克株式会社
发明人：村田正美 , 西尾达哉 , 山崎谕志 , 安藤辉夫
IPC分类号： B05B5/053 , H02M3/28 , H02M7/48
CPC分类号： B05B5/03 , B05B5/053 , B05B5/0533 , B05B5/0535 , B05B5/10 , B05B7/0815 , B05B12/004 , B05B15/62 , H02H7/003
摘要：在包括静电涂装喷枪(2)、高压发生装置(5)和交流电源装置(4)的静电涂装系统(1)中，还包括：可拆装的接地体(7)，被设置成在安装于枪主体的状态下，将实施了接地的电源线(3a)的开路部(3c)闭合；以及交流电源装置(4)的控制电路(8)，以电流线圈(13)来检测电源线(3)中的电流或电源线(3)的电压，在向喷枪(4)的高压发生装置(5)提供交流电压(Vac)期间，当检测电流或检测电压减小时，或者，当检测不出电流或电压时，停止向高压发生装置(5)提供交流电压(Vac)。采用该构成，能防止可拆装的接地体(7)带电，提高涂装作业的安全性。

7. 发明公开

CN105264774A 半导体装置的保护电路失效
公开(公告)号：CN105264774A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480032403.2
申请日：2014-05-28
申请人：株式会社电装
发明人：小山和博
IPC分类号： H03K17/0812 , H01L27/02
CPC分类号： H02H7/003 , H01L27/0248 , H01L29/7408 , H01L29/7412 , H01L29/778 , H03K17/08122
摘要：半导体装置的保护电路具备高电子迁移率晶体管(1)和保护元件。上述保护元件在上述高电子迁移率晶体管的漏极－栅极间具备晶闸管(2)以及与该晶闸管串联连接的第1电阻(3)。上述保护元件在上述高电子迁移率晶体管的源极－栅极间具备第2电阻(4)以及与该第2电阻串联连接的截断部(5，10)。上述截断部当上述晶闸管截止时将上述漏极－栅极间的电流的流动截断并且当上述晶闸管导通时允许上述漏极－栅极间的电流的流动。

8. 发明授权

CN100405684C 弧光放电保护装置失效
公开(公告)号：CN100405684C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN03150022.6
申请日：2003-07-29
申请人：新巨企业股份有限公司
发明人：吴光明 , 周进文 , 钟金标 , 郑英男
IPC分类号： H02H3/14
CPC分类号： H02H7/003 , H01F27/027 , H01F27/367 , H01F27/402 , H05K1/0254
摘要：一种弧光放电保护装置，用于避免高压输出区间在异常现象所产生的弧光放电效应，通过此弧光放电保护装置的电极板吸取高压输出区间的升压单元所放出的高压弧光放电讯号，再由转压单元接收电极板的高压弧光放电讯号，之后转成低压弧光放电讯号，由整流单元接收转压单元的低压弧光放电讯号并进行整流后输出一弧光杂波，再由触控单元检测弧光杂波并输出一触发讯号使控制单元或驱动单元停止动作，从而避免弧光放电效应对周边零组件造成热累积而产生火花或烧毁。

9. 发明申请

WO2006047564A2 METHOD AND APPARATUS FOR ARC SUPPRESSION IN SCANNED ION BEAM PROCESSING EQUIPMENT 审中-公开
标题翻译：用于扫描离子束处理设备中的电弧抑制的方法和装置
公开(公告)号：WO2006047564A2
公开(公告)日：2006-05-04
申请号：PCT/US2005/038493
申请日：2005-10-25
申请人： EPION CORPORATION , REGAN, Kenneth, P.
发明人： REGAN, Kenneth, P.
IPC分类号： H01J7/24
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J27/026 , H01J37/08 , H01J37/241 , H01J37/302 , H01J37/3056 , H01J2237/0206 , H01J2237/0812 , H02H7/003
摘要： In an ion bean acceleration system, transient electrical arc suppression and ion beam accelerator biasing circuitry. Two-terminal circuitry, connectable in series, for suppressing arcs by automatically sensing arc conditions and switch from at least a first operating state providing a relatively low resistance electrical pathway for current between source and load terminals to at least a second, relatively high resistance electrical pathway. Selection of circuit component characteristics permits controlling the delay in returning from the second state to the first state after the arc has been suppressed.
摘要翻译：在离子豆加速系统中，瞬态电弧抑制和离子束加速器偏置电路。两端子电路，可串联连接，用于通过自动感测电弧条件并从至少第一工作状态切换来抑制电弧，从而提供用于源极和负载端子之间的电流的相对较低电阻的电通路至少第二相对高电阻的电途径。选择电路元件特性允许控制在电弧被抑制之后从第二状态返回到第一状态的延迟。

10. 发明专利

JP2014239327A 半導体装置の保護回路有权
标题翻译：保护半导体器件的电路
公开(公告)号：JP2014239327A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：JP2013120711
申请日：2013-06-07
申请人：株式会社デンソー , Denso Corp
发明人： KOYAMA KAZUHIRO
IPC分类号： H03K17/08 , H01L21/338 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC分类号： H02H7/003 , H01L27/0248 , H01L29/7408 , H01L29/7412 , H01L29/778 , H03K17/08122
摘要：【課題】保護素子のサイズ増大を抑制しつつ、アバランシェエネルギー耐量を得ることができる半導体装置の保護回路を提供する。【解決手段】保護素子としてHEMT1のドレイン−ゲート間にサイリスタ2および第1抵抗3を備えると共に、HEMT1のソース−ゲート間に第2抵抗4およびダイオード5を備える。これにより、HEMT1のターンオフ時にサイリスタ2がオンして保護素子側に電流が流れるようにでき、そのときに第1抵抗3および第2抵抗4で分圧されて形成されるゲート電圧VgによってHEMT1をオンさせるられる。よって、ターンオフ時に、サイリスタ2の耐圧をクランプ電圧として、HEMT1に対してクランプ電圧を超える電圧が印加されないようにしつつ、HEMT1をオンすることで誘導性負荷に蓄積されたエネルギーを消費することが可能となる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于保护产生雪崩能量容量的半导体器件的电路，同时抑制保护元件的尺寸增加。解决方案：作为保护元件，晶闸管2和第一电阻器3设置在漏极和漏极之间 HEMT 1的栅极和第二电阻器4和二极管5设置在HEMT 1的源极和栅极之间。当HEMT 1截止时，晶闸管2导通以允许电流流向保护元件和由第一电阻器3和第二电阻器4分压相应形成的栅极电压Vg可以使HEMT 1导通。在切断状态下，当晶闸管2的耐压为钳位电压时，防止超过钳位电压的电压被施加到HEMT 1上，可以调谐HEMT 1以消耗存储在感性负载。

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