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1. 发明授权

CN100339768C 用带构图的发射器进行发射光刻的方法和装置失效
公开(公告)号：CN100339768C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200410048544.1
申请日：2001-02-20
申请人：三星电子株式会社 , 弗吉尼亚技术知识资产公司
发明人：柳仁暻
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/00
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3175 , H01J2237/31777
摘要：提供了一种用带图案的发射器发射光刻的方法和装置。发射光刻的装置中，热电发射器或铁电发射器使用掩模构图然后再加热的。加热时，发射器上被掩模盖住的地方不发射电子，未被掩模盖住的暴露部分发射电子，从而发射器图案的形状被投射到衬底上。为防止被发射电子束的散开，需要平行电子束，用磁铁、直流磁场发生器或是偏转系统来控制该电子束，从而把所需图案精确地1∶1或是X∶1投射刻蚀到衬底上。

2. 发明公开

CN104487896A 包括光学距离测量系统的用于微光刻的投射曝光设备有权
公开(公告)号：CN104487896A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201380038040.9
申请日：2013-07-12
申请人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
发明人： A.沃尔夫 , M.施瓦布 , T.格鲁纳 , J.哈特杰斯
IPC分类号： G03F7/20 , G01B9/02
CPC分类号： G01B11/14 , G03F7/70775 , G03F7/7085 , H01J37/317 , H01J2237/0203 , H01J2237/31777 , H05G2/008
摘要：一种用于微光刻的投射曝光设备(10)，包含形成曝光光束路径的多个光学组件(M1-M6)，并且包含距离测量系统(30、130、230)，用于测量光学组件(M1-M6)中的至少一个和参考元件(40、140、240)之间的距离。所述距离测量系统包含频率梳发生器(32、132、232)，其构造成产生具有梳状频谱的电磁辐射(36、236)。

3. 发明公开

CN1591190A 用带构图的发射器进行发射光刻的方法和装置失效
公开(公告)号：CN1591190A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410048544.1
申请日：2001-02-20
申请人：三星电子株式会社 , 弗吉尼亚技术知识资产公司
发明人：柳仁暻
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3175 , H01J2237/31777
摘要：提供了一种用带图案的发射器发射光刻的方法和装置。发射光刻的装置中，热电发射器或铁电发射器使用掩模构图然后再加热的。加热时，发射器上被掩模盖住的地方不发射电子，未被掩模盖住的暴露部分发射电子，从而发射器图案的形状被投射到衬底上。为防止被发射电子束的散开，需要平行电子束，用磁铁、直流磁场发生器或是偏转系统来控制该电子束，从而把所需图案精确地1∶1或是X∶1投射刻蚀到衬底上。

4. 发明公开

CN1794092A 电磁聚焦装置及使用该装置的电子束光刻系统无效
公开(公告)号：CN1794092A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510126974.5
申请日：2005-11-29
申请人：三星电子株式会社
发明人：文昌郁 , 金东洙 , 宋命坤 , 李升运 , 吴润相
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： H01J37/067 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J3/22 , H01J37/145 , H01J37/304 , H01J37/3174 , H01J2237/31776 , H01J2237/31777 , H01J2237/31781
摘要：本发明提供一种电磁聚焦装置和使用该电磁聚焦装置的电子束光刻系统，其能够通过移动极片的中心部分调节电磁场的均匀性。该电磁聚焦装置控制从电子束光刻系统的电子束发射器产生的电子束的路径。在该电磁聚焦装置中，磁场生成器形成真空室中的磁场，该真空室围绕出晶片安装于其中的空间。上和下极片分别穿透该真空室的顶和底壁，彼此面对地安装，且将形成在磁场生成器处的磁场施加到该真空室中。真空室中磁场的均匀性可以通过该上和下极片相对于该真空室的垂直移动来调节。

5. 发明授权

CN1176405C 用带构图的发射器进行发射光刻的方法和装置失效
公开(公告)号：CN1176405C
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN01104684.8
申请日：2001-02-20
申请人：三星电子株式会社 , 弗吉尼亚技术知识资产公司
发明人：柳仁暻
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3175 , H01J2237/31777
摘要：提供了一种用带图案的发射器发射光刻的方法和装置。发射光刻的装置中，热电发射器或铁电发射器使用掩模构图然后再加热的加热时，发射器上被掩模盖住的地方不发射电子，未被掩模盖住的暴露部分发射电子，从而发射器图案的形状被投射到衬底上。为防止被发射电子束的散开，需要平行电子束，用磁铁、直流磁场发生器或是偏转系统来控制该电子束，从而把所需图案精确地1∶1或是X∶1投射刻蚀到衬底上。

6. 发明公开

CN1333482A 用带构图的发射器进行发射光刻的方法和装置失效
公开(公告)号：CN1333482A
公开(公告)日：2002-01-30
申请号：CN01104684.8
申请日：2001-02-20
申请人：三星电子株式会社 , 弗吉尼亚技术知识资产公司
发明人：柳仁暻
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3175 , H01J2237/31777
摘要：提供了一种用带图案的发射器发射光刻的方法和装置。发射光刻的装置中,热电发射器或铁电发射器使用掩模构图然后再加热的。加热时,发射器上被掩模盖住的地方不发射电子,未被掩模盖住的暴露部分发射电子,从而发射器图案的形状被投射到衬底上。为防止被发射电子束的散开,需要平行电子束,用磁铁、直流磁场发生器或是偏转系统来控制该电子束,从而把所需图案精确地1∶1或是X∶1投射刻蚀到衬底上。

7. 发明公开

EP2002458A1 PARTICLE-BEAM EXPOSURE APPARATUS WITH OVERALL-MODULATION OF A PATTERNED BEAM 有权转让
标题翻译：与总调结构化的射线粒子曝光装置
公开(公告)号：EP2002458A1
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：EP07710522.9
申请日：2007-03-16
申请人： IMS Nanofabrication AG
发明人： PLATZGUMMER, Elmar
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/045 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3175 , H01J37/3177 , H01J2237/0435 , H01J2237/1506 , H01J2237/31766 , H01J2237/31774 , H01J2237/31777
摘要： In a charged-particle exposure apparatus (100) for exposure of a target (41) with a beam of electrically charged particles, the illumination system (101) comprises a deflector means (401) adapted to vary the direction of incidence of the illuminating beam upon the pattern definition means, the pattern definition means (20) forms the shape of the illuminating beam into a desired pattern, and the projection optics system (103) projects an image of the beam shape defined in the pattern definition means onto the target (41); the projection optics system comprises a blocking aperture means (204) having an opening and being adapted to block passage of beams traversing outside said opening, namely when the deflector means (401) is activated to tilt the beamlet by a sufficient angle from its non-deflected path, e.g., for blanking out during the process of loading a pattern into the pattern definition means.

8. 发明授权

EP0986777B1 LITHOGRAPHY SYSTEM 失效
标题翻译：光刻系统
公开(公告)号：EP0986777B1
公开(公告)日：2002-03-27
申请号：EP98924674.9
申请日：1998-05-25
申请人： Technische Universiteit Delft
发明人： KRUIT, Pieter
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/317
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/70058 , G03F7/70358 , G03F7/70375 , H01J37/3175 , H01J2237/31777
摘要： Lithography system comprising a light source producing a light beam directed to a mask (3) located in a mask level and an optical demagnifier (4-6) for demagnifying by a factor and focusing the beam. The light beam is focused on a converter element (8) for converting said beam in a further beam having a smaller wavelength than UV light. The beam at the mask level has a transversal size smaller than the desired resolution at the object level multiplied by the demagnifying factor.

9. 发明申请

WO2007112465A1 PARTICLE-BEAM EXPOSURE APPARATUS WITH OVERALL-MODULATION OF A PATTERNED BEAM 审中-公开
标题翻译：颗粒光束曝光装置，具有整体调制的图案
公开(公告)号：WO2007112465A1
公开(公告)日：2007-10-11
申请号：PCT/AT2007/000132
申请日：2007-03-16
申请人： IMS NANOFABRICATION AG , PLATZGUMMER, Elmar
发明人： PLATZGUMMER, Elmar
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/045 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3175 , H01J37/3177 , H01J2237/0435 , H01J2237/1506 , H01J2237/31766 , H01J2237/31774 , H01J2237/31777
摘要： In a charged-particle exposure apparatus (100) for exposure of a target (41) with a beam of electrically charged particles, the illumination system (101) comprises a deflector means (401) adapted to vary the direction of incidence of the illuminating beam upon the pattern definition means, the pattern definition means (20) forms the shape of the illuminating beam into a desired pattern, and the projection optics system (103) projects an image of the beam shape defined in the pattern definition means onto the target (41); the projection optics system comprises a blocking aperture means (204) having an opening and being adapted to block passage of beams traversing outside said opening, namely when the deflector means (401) is activated to tilt the beamlet by a sufficient angle from its non-deflected path, e.g., for blanking out during the process of loading a pattern into the pattern definition means.
摘要翻译：在用于用带电粒子束照射目标（41）的带电粒子曝光装置（100）中，照明系统（101）包括偏转装置（401），该偏转装置适于改变照明光束的入射方向在图案定义装置上，图案定义装置（20）将照明光束的形状形成为期望的图案，并且投影光学系统（103）将在图案定义装置中限定的光束形状的图像投射到目标（ 41）; 投影光学系统包括具有开口的阻挡孔口装置（204），并且适于阻挡穿过所述开口外侧的梁的通过，即当偏转装置（401）被启动以使子束从其非易失性位置倾斜足够的角度时，偏转路径，例如，在将图案加载到图案定义装置的过程中用于消隐。

10. 发明申请

WO98054620A1 LITHOGRAPHY SYSTEM 审中-公开
标题翻译： LITHOGRAPHY系统
公开(公告)号：WO98054620A1
公开(公告)日：1998-12-03
申请号：PCT/NL1998/000297
申请日：1998-05-25
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/305 , H01J37/317 , H01L21/027
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/70058 , G03F7/70358 , G03F7/70375 , H01J37/3175 , H01J2237/31777
摘要： Lithography system comprising a light source producing a light beam directed to a mask (3) located in a mask level and an optical demagnifier (4-6) for demagnifying by a factor and focusing the beam. The light beam is focused on a converter element (8) for converting said beam in a further beam having a smaller wavelength than UV light. The beam at the mask level has a transversal size smaller than the desired resolution at the object level multiplied by the demagnifying factor.
摘要翻译：平版印刷系统包括产生朝向掩模级的掩模（3）的光束的光源和用于通过因子进行缩小并聚焦该光束的光学去磁器（4-6）。光束聚焦在转换器元件（8）上，用于将波束转换成具有比UV光更小的波长的另外的光束。掩模级别的光束的横向尺寸小于物体等级乘以缩小因子的期望分辨率。

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