会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 3. 发明专利
    • Method for sealing electronic component
    • 密封电子元件的方法
    • JP2011109104A
    • 2011-06-02
    • JP2010258171
    • 2010-11-18
    • Stmicroelectronics (Tours) Sasエス テ マイクロエレクトロニクス(トゥールス) エス アー エス
    • FERON MARCJARRY VINCENTBARREAU LAURENT
    • H01L25/065H01L25/07H01L25/18
    • H01L25/0657H01L21/561H01L23/3114H01L25/50H01L2224/16145H01L2225/06513H01L2225/06541H01L2924/01087
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for sealing electronic components without the need for use of a handle wafer by avoiding a warpage phenomenon.
      SOLUTION: The method for sealing electronic components includes the steps of: forming, in a first surface of a semiconductor wafer (10), electronic components; forming, on the first surface, an conductive interconnection stack (18) covered with an insulating material; forming first and second bonding pads (24A, 24B) on the interconnection stack (18); thinning down the wafer (10), except at least on the contour of the semiconductor wafer (10); filling the thinned-down region of the semiconductor wafer (10) with a first resin layer (38); arranging a first electronic chip (42) on the first bonding pads (24B) and forming a first solder bumps (44) on the second bonding pads (24A); depositing a second resin layer (46) covering the first electronic chips (42) and partially covering the solder bumps (44); bonding an adhesive strip (48) on the first resin layer (38); and scribing the structure into individual chips.
      COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
    • 要解决的问题:提供一种密封电子部件的方法,而不需要通过避免翘曲现象来使用手柄晶片。 解决方案:密封电子部件的方法包括以下步骤:在半导体晶片(10)的第一表面中形成电子部件; 在第一表面上形成用绝缘材料覆盖的导电互连叠层(18); 在所述互连堆叠(18)上形成第一和第二接合焊盘(24A,24B); 至少在半导体晶片(10)的轮廓上除外,使晶片(10)变薄; 用第一树脂层(38)填充半导体晶片(10)的减薄区域; 在所述第一接合焊盘(24B)上布置第一电子芯片(42)并且在所述第二接合焊盘(24A)上形成第一焊料凸块(44); 沉积覆盖第一电子芯片(42)并部分覆盖焊料凸块(44)的第二树脂层(46); 在第一树脂层(38)上粘合粘合剂条(48); 并将结构划分成单个芯片。 版权所有(C)2011,JPO&INPIT
    • 4. 发明专利
    • Multiband coupling circuit
    • 多线耦合电路
    • JP2011019215A
    • 2011-01-27
    • JP2010140833
    • 2010-06-21
    • Stmicroelectronics (Tours) Sasエス テ マイクロエレクトロニクス(トゥールス) エス アー エス
    • LAPORTE CLAIREEZZEDINE HILAL
    • H01P5/18H04B1/40
    • H04B1/406H01P5/18H04B1/0064H04B1/0082
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To decrease the bulk of a coupling structure and to improve reliability of measurements in a multiband coupling circuit.SOLUTION: A distributed multiband coupling circuit includes: a number (n) of first and of second terminals equal to the number of frequency bands; a third terminal and a fourth terminal; a number (n) of distributed couplers equal to the number of frequency bands, all couplers being identical and sized according to the highest frequency band. Each coupler includes a first conductive line between first and second ports intended to convey a signal to be transmitted in the concerned frequency band, and a second conductive line coupled to the first one between third and fourth ports. The coupling circuit further includes a first set of resistive splitters in cascade between the third ports of the couplers, wherein a terminal of the resistive splitter associated with the first coupler being connected to the third terminal.
    • 要解决的问题:减少耦合结构的体积并提高多频带耦合电路中的测量的可靠性。解决方案:分布式多频带耦合电路包括:第一和第二端子的数量(n)等于 频带; 第三终端和第四终端; 分配耦合器的数量(n)等于频带数,所有耦合器根据最高频带相同和大小。 每个耦合器包括第一和第二端口之间的第一导线,用于传送要在相关频带中传输的信号,以及耦合到第三和第四端口之间的第一导线。 耦合电路还包括级联在耦合器的第三端口之间的第一组电阻分压器,其中与第一耦合器相关联的电阻分配器的端子连接到第三端子。
    • 8. 发明申请
    • VARIATEUR DE PUISSANCE
    • 电力变量
    • WO2013072602A1
    • 2013-05-23
    • PCT/FR2012/052555
    • 2012-11-06
    • STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS
    • RENARD, BenoîtGONTHIER, Laurent
    • H03K17/567H05B41/00
    • H02M7/1555H02M7/06H02M7/217H03K17/567H05B39/08
    • L'invention concerne un circuit de commande en variation de puissance d'une charge alimentée par une tension alternative (V^Q), comprenant : un premier thyristor (Tl) et une première diode (Dl) en antiparallèle entre des premier (A) et deuxième (R) noeuds, la cathode de la première diode (Dl) étant côté premier noeud (A); un second thyristor (T2) et une deuxième diode (D2) en antiparallèle entre le deuxième noeud (R) et un troisième noeud (B), la cathode de la deuxième diode (D2) étant côté troisième noeud (B); des troisième (D3) et quatrième (D4) diodes en antisérie entre les premier (A) et troisième (B) noeuds, les cathodes des troisième (D3) et quatrième (D4) diodes étant reliées à un quatrième noeud (J); un transistor (Ml) entre les deuxième (R) et quatrième (J) noeuds; et une unité de commande (MCU) des premier (Tl) et second (T2) thyristors et du transistor (Ml).
    • 本发明涉及一种用于改变由交流电压(V-Q)供电的负载的功率的控制电路,包括:第一晶闸管(T1)和第一二极管(D1),其反向并联连接在第一(A)和第二 (R)节点,第一二极管(D1)的阴极位于第一节点(A)的侧面; 在第二节点(R)和第三节点(B)之间反并联连接的第二晶闸管(T2)和第二二极管(D2),第二二极管(D2)的阴极位于第三节点 ); 第三(D3)和第四(D4)二极管的阴极连接到第四节点(J);第三(D3)和第四(D4)二极管的阴极连接到第一节点(A)和第三节点 第二(R)和第四(J)节点之间的晶体管(M1) 以及用于控制第一(T1)和第二(T2)晶闸管和晶体管(M1)的控制单元(MCU)。