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1. 发明专利

JP2012212902A Side wall structure switchable resistor cell 有权
标题翻译：侧壁结构可切换电阻器单元
公开(公告)号：JP2012212902A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：JP2012130412
申请日：2012-06-08
申请人： Sandisk 3D Llc , サンディスクスリーディー,エルエルシー
发明人： ROY E SCHEUERLEIN
IPC分类号： H01L27/105 , H01L27/10 , H01L27/28 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L51/05
CPC分类号： H01L45/04 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/124 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/149 , H01L45/1608 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1691
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resistivity switching element which becomes easy to be sensed by increasing resistance, decreases a reset current, and can suppress damages during manufacturing.SOLUTION: A step for forming a first conductive electrode 28; a step for forming an insulation structure 13 on the first conductive electrode 28, a step for forming a resistivity switching element 14 on a side wall of the insulation structure; a step for forming a second conductive electrode 26 on the resistivity switching element 14; and a step for forming a steering element in series with the resistivity switching element 14 between the first conductive electrode 28 and the second conductive electrode 26 are included. The height T of the resistivity switching element 14 in a first direction from the first conductive electrode 28 to the second conductive electrode 26 is larger than the thickness I of the resistivity switching element 14 in a second direction vertical to the first direction.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供通过增加电阻而容易感测的电阻率开关元件，减少复位电流，并且可以抑制制造期间的损坏。解决方案：形成第一导电电极28的步骤; 在第一导电电极28上形成绝缘结构13的步骤，在绝缘结构的侧壁上形成电阻率切换元件14的步骤; 在电阻率开关元件14上形成第二导电电极26的步骤; 并且包括与第一导电电极28和第二导电电极26之间的电阻率切换元件14串联形成操舵元件的步骤。电阻率开关元件14在从第一导电电极28到第二导电电极26的第一方向上的高度T大于第一方向上的第二方向上的电阻率切换元件14的厚度I. 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

2. 发明专利

DE112014004781T5 Umgruppieren und Überspringen von Zyklen in einem nichtflüchtigen Speicher 未知
公开(公告)号：DE112014004781T5
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：DE112014004781
申请日：2014-10-16
申请人： SANDISK 3D LLC
发明人： BALAKRISHNAN GONIPATH
IPC分类号： G11C7/10 , G11C13/00
摘要： Ein nichtflüchtiger Speicher verwendet mehrere Programmierzyklen zum Schreiben von Dateneinheiten wie beispielsweise eine logische Seite von Daten in ein nichtflüchtiges Speicher-Array. Die Anwenderdaten werden vor dem Schreiben ausgewertet, um zu bestimmen, ob ein Programmieren für Buchtadressen übersprungen werden kann. Ob das Programmieren für einen anfänglichen Satz von Buchtgruppen übersprungen werden kann, wird bestimmt. Wenn eine Buchtgruppe nicht übersprungen werden kann, bestimmt das System, ob die Buchtgruppe einzelne Buchten umfasst, die übersprungen werden können. Buchten werden in neue Buchtgruppen umgruppiert, um die Anzahl von BAD-Zyklen während des Programmierens zu reduzieren. Unabhängige Spaltenadressierung für mehrere Buchten innerhalb einer Buchtgruppe ist vorgesehen. Während eines Spaltenadresszyklus wird eine separate Spaltenadresse für die Buchten bereitgestellt, um verschiedene Spalten innerhalb jeder Bucht zum Programmieren auszuwählen. Durch gleichzeitiges Programmieren mehrerer Spaltenadressen während eines einzigen Spaltenadresszyklus kann das System das Programmieren für einige Spaltenadresszyklen überspringen.

3. 发明专利

DE602006019253D1 NICHTFLÜCHTIGE SPEICHERZELLE MIT EINEM SCHALTBAREN WIDERSTAND UND TRANSISTOR 未知
公开(公告)号：DE602006019253D1
公开(公告)日：2011-02-10
申请号：DE602006019253
申请日：2006-07-11
申请人： SANDISK 3D LLC
发明人： SCHEUERLEIN ROY E
IPC分类号： H01L27/24

4. 发明专利

AT493762T 未知
公开(公告)号：AT493762T
公开(公告)日：2011-01-15
申请号：AT06774623
申请日：2006-07-11
申请人： SANDISK 3D LLC
发明人： SCHEUERLEIN ROY
IPC分类号： H01L27/24
摘要： A rewriteable nonvolatile memory includes a thin film transistor and a switchable resistor memory element in series. The switchable resistor element decreases resistance when subjected to a set voltage magnitude applied in a first direction, and increases resistance when subjected to a reset voltage magnitude applied in a second direction opposite the first. The memory cell is formed in an array, such as a monolithic three dimensional memory array in which multiple memory levels are formed above a single substrate. The thin film transistor and a switchable resistor memory element are electrically disposed between a data line and a reference line which are parallel. A select line extending perpendicular to the data line and the reference line controls the transistor.

5. 发明专利

DE60136288D1 未知
公开(公告)号：DE60136288D1
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：DE60136288
申请日：2001-08-02
申请人： SANDISK 3D LLC
发明人： TRINGALI J JAMES , FARMWALD P MICHAEL , LEE THOMAS H , JOHNSON MARK G , BOSCH DEREK J
IPC分类号： G06K19/077 , G11C5/06 , G11C5/00 , G11C5/02
摘要： In one embodiment, a modular memory device is presented comprising a substrate, a memory array fabricated above the substrate, and first and second circuitry fabricated on the substrate and under the memory array. The first and second circuitry allow the modular memory device to interface with first and second varieties of host devices, respectively. In another embodiment, a modular memory device is presented comprising a substrate, a memory array fabricated above the substrate, memory array support circuitry fabricated on the substrate, and logic circuitry fabricated on the substrate and under the memory array.

6. 发明专利

DE112014002532T5 Leseverstärker mit lokaler Rückkopplung zur Steuerung einer Bitleitungsspannung 未知
公开(公告)号：DE112014002532T5
公开(公告)日：2016-02-25
申请号：DE112014002532
申请日：2014-05-21
申请人： SANDISK 3D LLC
发明人： SIAU CHANG , JIANG XIAOWEI , CHEN YINGCHANG
IPC分类号： G11C16/24 , G11C7/04 , G11C7/06 , G11C7/12 , G11C7/14 , G11C11/56 , G11C13/00 , G11C16/26
摘要： Es werden Verfahren zum Vorladen von Bitleitungen unter Heranziehung einer Rückkopplung mit geschlossener Regelschleife beschrieben. Bei einem Ausführungsbeispiel kann ein Leseverstärker eine Bitleitungs-Vorladeschaltung zum Festlegen einer Bitleitung auf eine Lesespannung vor Abfragen einer mit der Bitleitung verbundenen Speicherzelle enthalten. Die Bitleitungs-Vorladeschaltung kann einen ersten Transistor in einer Sourcefolger-Konfiguration mit einem ersten Gate und einem ersten Sourceknoten enthalten, der mit der Bitleitung elektrisch gekoppelt ist. Durch Anwenden einer lokalen Rückkopplung von dem ersten Sourceknoten zu dem ersten Gate kann die Bitleitungs-Ausregelzeit verringert werden. In einigen Fällen kann eine an das erste Gate angelegte erste Spannung auf der Grundlage eines ersten Stromes bestimmt werden, der von der ersten Bitleitung gezogen wird. Somit kann sich die an das erste Gate angelegte erste Spannung in Abhängigkeit von der Leitfähigkeit einer mit der Bitleitung verbundenen ausgewählten Speicherzelle über die Zeit ändern.

7. 发明专利

AT515061T 未知
公开(公告)号：AT515061T
公开(公告)日：2011-07-15
申请号：AT08836145
申请日：2008-09-26
申请人： SANDISK 3D LLC
发明人： TANAKA YOICHIRO , RADIGAN STEVEN , RAGHURAM USHA
IPC分类号： H01L21/8229 , H01L27/102

8. 发明专利

DE602005027471D1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR VERWENDUNG EINES EINMAL ODER EINIGE MALE PROGRAMMIERBAREN SPEICHERS MIT EINER FÜR LÖSCH- UND WIEDERBESCHREIBBARE SPEICHER ENTWICKELTEN HOST-VORRICHTUNG 未知
公开(公告)号：DE602005027471D1
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：DE602005027471
申请日：2005-07-22
申请人： SANDISK 3D LLC
发明人： MOORE CHRISTOPHER S , JEDAY ADRIAN , FRUIN MATT , YANG CHIA , BOSCH DEREK
IPC分类号： G06F12/00 , G06F3/06

9. 发明专利

CA2572788A1 METHOD AND APPARATUS FOR USING A ONE-TIME OR FEW-TIME PROGRAMMABLE MEMORY WITH A HOST DEVICE DESIGNED FOR ERASABLE/REWRITEABLE MEMORY 未知
公开(公告)号：CA2572788A1
公开(公告)日：2006-03-02
申请号：CA2572788
申请日：2005-07-22
申请人： SANDISK 3D LLC
发明人： YANG CHIA , FRUIN MATT , BOSCH DEREK , JEDAY ADRIAN , MOORE CHRISTOPHER S
IPC分类号： G06F12/00
摘要： The embodiments described herein can be used to enable one-time or few-time programmable memories to work with existing consumer electronic devices (such as those that work with flash - an erasable, non-volatile memory) without requiring a firmware upgrade, thereby providing backwards compatibility while minimizing user impact. As such, these embodiments are a viable way to bridge one-time or few-time programmable memories with existing consumer electronic devices that have flash card slots. These embodiments also allow future consumer electronic devices to be designed without updating firmware to include a file system customized for a one-time or few-time programmable memory.

10. 发明专利

AT545134T 未知
公开(公告)号：AT545134T
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：AT09790573
申请日：2009-07-17
申请人： SANDISK 3D LLC
发明人： YAN TIANHONG , FASOLI LUCA
IPC分类号： G11C16/24 , G11C16/08

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