专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2007033357A2 SEMICONDUCTOR MEMORY WITH RESET FUNCTION 审中-公开
标题翻译：具有复位功能的半导体存储器
公开(公告)号：WO2007033357A2
公开(公告)日：2007-03-22
申请号：PCT/US2006035973
申请日：2006-09-13
申请人： HYNIX SEMICONDUCTOR INC , LEE IHL-HO
发明人： LEE IHL-HO
IPC分类号： G11C7/00
CPC分类号： G11C7/20 , G11C7/1045 , G11C7/1078 , G11C7/109 , G11C11/4072 , G11C11/4093
摘要： A synchronous dynamic random access memory (SDRAM) integrated circuit (IC) configured to receive an external Reset signal for resetting the IC includes an input buffer configured to generate a buffered reset signal RST from the external Reset signal. The SDRAM IC further includes a reset circuit is configured to generate an internal reset signal Reset En from (a) the RST signal, (b) a clock enable signal CKE which indicates a time when the SDRAM is ready to receive an external command, and (c) a mode register programming signal MRSP which indicates a time when a mode register is to be loaded with data.
摘要翻译：被配置为接收用于复位IC的外部复位信号的同步动态随机存取存储器（SDRAM）集成电路（IC）包括被配置为从外部复位信号生成缓冲的复位信号RST的输入缓冲器。所述SDRAM IC还包括复位电路，所述复位电路被配置为从（a）所述RST信号产生内部复位信号Reset En，（b）指示所述SDRAM准备好接收外部命令的时间的时钟使能信号CKE，以及（c）一个模式寄存器编程信号MRSP，它表示模式寄存器将要加载数据的时间。

2. 发明申请

WO2007028150A2 INTEGRATED CIRCUIT WITH EMBEDDED FERAM-BASED RFID 审中-公开
标题翻译：集成电路与嵌入式基于FERAM的RFID
公开(公告)号：WO2007028150A2
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：PCT/US2006/034474
申请日：2006-08-31
申请人： HYNIX SEMICONDUCTOR INC. , KANG, Hee-Bok , AHN, Jin-Hong
发明人： KANG, Hee-Bok , AHN, Jin-Hong
IPC分类号： G06F7/38
CPC分类号： H01L23/544 , G06K19/07749 , G06K19/07775 , G06K19/07779 , H01L2223/54433 , H01L2223/54446 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An integrated circuit (IC) includes a high capacitance solid state circuit region configured to perform predetermined operations, a RFID block comprising a FeRAM block for storing data, and an interface unit configured to transfer to the RFID block an externally-provided unique ID for wirelessly identifying the IC, the unique ID being stored in the FeRAM block. The IC further includes a conductive trace extending through predetermined regions of the IC, the conductive trace being configured as an antenna for the RFID block, wherein the RFID block is configured to receive and transmit information to an external source via the antenna.
摘要翻译：集成电路（IC）包括被配置为执行预定操作的高电容固态电路区域，包括用于存储数据的FeRAM块的RFID块和被配置为向RFID块传送外部提供的用于无线的唯一ID的接口单元识别IC，存储在FeRAM块中的唯一ID。 IC还包括延伸穿过IC的预定区域的导电迹线，导电迹线被配置为用于RFID块的天线，其中RFID块被配置为经由天线接收和发送信息到外部源。

3. 发明申请

WO2003058635A1 INCREASING A REFRESH PERIOD IN A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 审中-公开
标题翻译：增加半导体存储器件中的刷新时间
公开(公告)号：WO2003058635A1
公开(公告)日：2003-07-17
申请号：PCT/KR2003/000051
申请日：2003-01-10
申请人： HYNIX SEMICONDUCTOR INC. , KIM, Jung-Pill
发明人： KIM, Jung-Pill
IPC分类号： G11C11/406
CPC分类号： G11C11/406 , G11C7/12 , G11C11/4094 , G11C2207/005 , G11C2211/4065
摘要： In one method according to an embodiment of the invention, a reference bitline is biased and a refresh period of a DRAM cell is increased. In one example of such a method, biasing the reference bitline includes applying a predetermined bias voltage. In a memory device according to one embodiment of the invention, a bias circuit includes a bias capacitor connected to a bitline and configured and arranged to receive a bias signal.
摘要翻译：在根据本发明的实施例的一种方法中，参考位线被偏置，并且DRAM单元的刷新周期增加。在这种方法的一个示例中，偏置参考位线包括施加预定的偏置电压。在根据本发明的一个实施例的存储器件中，偏置电路包括连接到位线并被配置和布置成接收偏置信号的偏置电容器。

4. 发明申请

WO2007033357A3 SEMICONDUCTOR MEMORY WITH RESET FUNCTION 审中-公开
公开(公告)号：WO2007033357A3
公开(公告)日：2007-03-22
申请号：PCT/US2006/035973
申请日：2006-09-13
申请人： HYNIX SEMICONDUCTOR INC. , LEE, Ihl-Ho
发明人： LEE, Ihl-Ho
IPC分类号： G11C7/20 , G11C7/22
摘要： A synchronous dynamic random access memory (SDRAM) integrated circuit (IC) configured to receive an external Reset signal for resetting the IC includes an input buffer configured to generate a buffered reset signal RST from the external Reset signal. The SDRAM IC further includes a reset circuit is configured to generate an internal reset signal Reset En from (a) the RST signal, (b) a clock enable signal CKE which indicates a time when the SDRAM is ready to receive an external command, and (c) a mode register programming signal MRSP which indicates a time when a mode register is to be loaded with data.

5. 发明申请

WO2008082151A1 SILICON WAFER WITH CONTROLLED DISTRIBUTION OF EMBRYOS THAT BECOME OXYGEN PRECIPITATES BY SUCCEEDING ANNEALING AND ITS MANUFACTURING METHOD 审中-公开
标题翻译：通过控制分解通过回收退火而产生氧化沉淀的胚胎的硅砂及其制造方法
公开(公告)号：WO2008082151A1
公开(公告)日：2008-07-10
申请号：PCT/KR2007/006881
申请日：2007-12-27
申请人： SILTRON INC. , HYNIX SEMICONDUCTOR INC. , PARK, Hyung Kook , HONG, Jin-Kyun , KIM, Kun , KOH, Chung-Geun
发明人： PARK, Hyung Kook , HONG, Jin-Kyun , KIM, Kun , KOH, Chung-Geun
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/3225
摘要： A method for making a silicon wafer includes the steps of generating and stabilizing embryos that become oxygen precipitates by succeeding thermal annealing applied during a semiconductor device manufacturing process. In the silicon wafer, embryos are substantially removed in a denuded zone, and embryos are distributed at a relatively higher concentration in a bulk region. Also, by controlling behaviors of embryos, a silicon wafer having a desired concentration profile of oxygen precipitates by succeeding thermal annealing is manufactured with high reliability and reproducibility.
摘要翻译：制造硅晶片的方法包括以下步骤：通过在半导体器件制造过程中施加的热退火，产生并稳定成为氧沉淀物的胚胎。在硅晶片中，在裸露区域中基本上除去胚胎，并且在体积区域以相对较高的浓度分布胚胎。此外，通过控制胚胎的行为，以高可靠性和再现性制造具有期望的热退火的氧析出物浓度分布的硅晶片。

6. 发明申请

WO2007028150A3 INTEGRATED CIRCUIT WITH EMBEDDED FERAM-BASED RFID 审中-公开
标题翻译：集成电路与嵌入式基于FERAM的RFID
公开(公告)号：WO2007028150A3
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：PCT/US2006034474
申请日：2006-08-31
申请人： HYNIX SEMICONDUCTOR INC , KANG HEE-BOK , AHN JIN-HONG
发明人： KANG HEE-BOK , AHN JIN-HONG
IPC分类号： G06K19/06
CPC分类号： H01L23/544 , G06K19/07749 , G06K19/07775 , G06K19/07779 , H01L2223/54433 , H01L2223/54446 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An integrated circuit (IC) (100) includes a high capacitance solid state circuit region configured to perform predetermined operations, a RFID block (104) comprising a FeRAM block (910) for storing data, and an interface unit configured to transfer to the RFID block an externally-provided unique ID for wirelessly identifying the IC, the unique ID being stored in the FeRAM block. The IC further includes a conductive trace extending through predetermined regions of the IC, the conductive trace being configured as an antenna for the RFID block, wherein the RFID block is configured to receive and transmit information to an external source via the antenna.
摘要翻译：集成电路（IC）（100）包括被配置为执行预定操作的高电容固态电路区域，包括用于存储数据的FeRAM块（910）的RFID块（104）和被配置为传送到RFID的接口单元阻止外部提供的唯一ID，用于无线识别IC，唯一ID存储在FeRAM块中。 IC还包括延伸穿过IC的预定区域的导电迹线，导电迹线被配置为用于RFID块的天线，其中RFID块被配置为经由天线接收和发送信息到外部源。

7. 发明申请

WO2003085672A1 MEMORY CHIP ARCHITECTURE HAVING NON-RECTANGULAR MEMORY BANKS AND METHOD FOR ARRANGING MEMORY BANKS 审中-公开
标题翻译：具有非矩形存储器存储器的存储芯片架构和安装存储器存储器的方法
公开(公告)号：WO2003085672A1
公开(公告)日：2003-10-16
申请号：PCT/KR2003/000722
申请日：2003-04-10
申请人： HYNIX SEMICONDUCTOR INC. , CHUN, Jun-Hyun
发明人： CHUN, Jun-Hyun
IPC分类号： G11C8/12
CPC分类号： G11C5/025 , G11C8/12 , G11C2207/105
摘要： A semiconductor memory device having semiconductor memory chips, each semiconductor memory chip includes a plurality of memory banks capable of independently to be accessed, each memory bank having a plurality of memory blocks, wherein at least two memory blocks, which are neighbored each other in the same memory bank, have the different number of unit memory blocks, so that each bank has a non-rectangular shape.
摘要翻译：一种具有半导体存储器芯片的半导体存储器件，每个半导体存储器芯片包括能够独立地被访问的多个存储器组，每个存储体具有多个存储器块，其中至少两个存储块彼此相邻相同的存储体，具有不同数量的单位存储块，使得每个存储体具有非矩形形状。

8. 发明申请

WO2006068453A1 METHOD FOR FORMING DIELECTRIC FILM AND METHOD FOR FORMING CAPACITOR IN SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME 审中-公开
标题翻译：用于形成介电膜的方法和在使用其的半导体器件中形成电容器的方法
公开(公告)号：WO2006068453A1
公开(公告)日：2006-06-29
申请号：PCT/KR2005/004508
申请日：2005-12-23
申请人： Hynix Semiconductor Inc. , KIL, Deok Sin , HONG, Kwon , YEOM, Seung Jin
发明人： KIL, Deok Sin , HONG, Kwon , YEOM, Seung Jin
IPC分类号： H01L27/108
CPC分类号： C23C16/40 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , H01L21/02178 , H01L21/02189 , H01L21/02194 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/31616 , H01L21/31641 , H01L27/10814 , H01L28/40
摘要： Provided is a method for forming a dielectric film in a semiconductor device, wherein the method can improve a dielectric characteristic and a leakage current characteristic. According to specific embodiments of the present invention, the method for forming a dielectric film includes: forming a zirconium dioxide (ZrO2) layer over a wafer in a predetermined thickness that does not allow continuous formation of the ZrO2 layer; and forming an aluminum oxide (AI2O3) layer over portions of the wafer where the ZrO2 layer is not formed, in a predetermined thickness that does not allow continuous formation of the Al2O3 layer.
摘要翻译：提供一种在半导体器件中形成电介质膜的方法，其中该方法可以改善介电特性和漏电流特性。根据本发明的具体实施方案，形成电介质膜的方法包括：在不允许连续形成ZrO 2层的预定厚度的晶片上形成二氧化锆（ZrO 2）层; 并且在不形成ZrO 2层的晶片的部分上形成氧化铝（Al 2 O 3）层，其厚度不能连续地形成Al 2 O 3层。

9. 发明专利

DE10361662B4 Halbleiterspeichereinrichtung, welche eine hochentwickelte Instandsetzungsschaltung besitzt 未知
公开(公告)号：DE10361662B4
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：DE10361662
申请日：2003-12-30
申请人： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
发明人： KANG SANG-HEE
IPC分类号： G11C29/04 , G11C29/24 , G11C7/00 , G11C17/16 , G11C29/00 , G11C29/02
摘要： Halbleiterspeichereinrichtung zum Vergleichen einer Eingangsadresse (EAT) mit einer gespeicherten Repair- bzw. Instandsetzungsadresse, welche aufweist:einen Signalcontroller (500) zum Erzeugen von Steuersignalen (AE, AED1, RAE, RAE_FUSE), wobei die Steuersignale (AE, AED1, RAE, RAE_FUSE) mindestens ein Freigabesignal (RAE_FUSE) umfassen;eine Adress-Latcheinheit (400), welche die Eingangsadresse (EAT) basierend auf den Steuersignalen (AE, RAE) zwischenspeichert;eine Anzahl N von M-Bit-Adresskomparatoren(100_1, ..., 100_N), wobei jeder zum Vergleichen der zwischengespeicherten Eingangsadresse (RAZ) mit der gespeicherten Instandsetzungsadresse dient;einen Komparator-Verzögerungsmodellierblock (700) zum Verzögern des Freigabesignals (RAE_FUSE) um eine vorher festgelegte Zeit, die der Verzögerungszeit in einem Signalpfad eines Adresskomparators (100_1, ..., 100_N) entspricht und zur Ausgabe eines verzögerten Freigabesignals (AED_FUSE); undeinen Instandsetzungs-Schaltungscontroller (600), der dazu ausgelegt ist, auf das verzögerte Freigabesignal (AED_FUSE) ein Instandsetzungs-Adressfreigabesignal (RED_ENABLE) und ein normalen Adressfreigabesignal (NORMAL_ENABLE) zu erzeugen, das auf einem Vergleichsergebnis (HITZ) eines Adresskomparators (100_1, ..., 100_N) basiert.

10. 发明专利

DE102006062024B4 Halbleiterspeichervorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102006062024B4
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：DE102006062024
申请日：2006-12-29
申请人： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
发明人： DO CHANG-HO
IPC分类号： G11C29/48 , G11C29/12
摘要： Halbleiter-Speichervorrichtung, welche aufweist:eine Vielzahl von ersten Pads (TXi, RXi), wobei die Vielzahl von ersten Pads (TXi, RXi) Übertragungspads (TXi) und Empfangspads (RCi) umfasst ;eine Vielzahl Ports (PORT) zur Ausführung einer seriellen Datenkommunikation mit externen Vorrichtungen durch die ersten Pads (TXi, RXi);eine Vielzahl von Bänken (BANK) zur Ausführung einer parallelen Datenkommunikation mit der Vielzahl von Ports (PORT);eine Vielzahl von globalen Datenbussen (GIO_OUT, GIO_IN) zur Unterstützung der parallelen Datenkommunikation zwischen der Vielzahl von Ports (PORT) und der Vielzahl von Bänken (BANK); undeine Testmodussteuereinrichtung zur Ausführung eines Core-Tests während eines ausgewählten Core-Testmodus, wobei während des Core-Tests Testsignale durch die Übertragungspads (TXi) und die Empfangspads (RXi) der Vielzahl von ersten Pads (TXi, RXi) in paralleler Weise empfangen werden, und wobei in einem normalen Betrieb durch die Übertragungspads (TXi) und die Empfangspads (RXi) der Vielzahl von ersten Pads (TXi, RXi) Daten seriell eingebegen/ausgegeben werden.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式