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1. 发明专利

TW201904158A 靜電放電保護裝置审中-公开
简体标题：静电放电保护设备
公开(公告)号：TW201904158A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW106118695
申请日：2017-06-06
申请人：智原科技股份有限公司 , FARADAY TECHNOLOGY CORP.
发明人：蔡佳谷 , TSAI, CHIA-KU
IPC分类号： H02H9/04
摘要：本發明提供靜電放電保護裝置，包含：一靜電放電電路，用來進行靜電放電保護，其中該靜電放電電路包含一第一場效電晶體，用來釋放靜電放電能量；一偵測電路，用來進行偵測以控制該靜電放電保護裝置選擇性地於正常模式與放電模式的其中之一運作；以及一邏輯電路，用來對抗任何肇因於該偵測電路中之電阻-電感-電容特性的振盪。於該偵測電路中，複數個電阻器之不同的子集合係分別和一第一串聯電路的一部分、該第一串聯電路的整體以及一第二場效電晶體組合以形成不同的串聯電路，以將第二場效電晶體組態成於正常模式中逼近完全被關閉的狀態。
简体摘要：本发明提供静电放电保护设备，包含：一静电放电电路，用来进行静电放电保护，其中该静电放电电路包含一第一场效应管，用来释放静电放电能量；一侦测电路，用来进行侦测以控制该静电放电保护设备选择性地于正常模式与放电模式的其中之一运作；以及一逻辑电路，用来对抗任何肇因于该侦测电路中之电阻-电感-电容特性的振荡。于该侦测电路中，复数个电阻器之不同的子集合系分别和一第一串联电路的一部分、该第一串联电路的整体以及一第二场效应管组合以形成不同的串联电路，以将第二场效应管组态成于正常模式中逼近完全被关闭的状态。

2. 发明专利

TWI630403B 核心電源偵測電路以及輸入／輸出控制系統有权
简体标题：内核电源侦测电路以及输入／输出控制系统
公开(公告)号：TWI630403B
公开(公告)日：2018-07-21
申请号：TW107100313
申请日：2018-01-04
申请人：智原科技股份有限公司 , FARADAY TECHNOLOGY CORP.
发明人：張堂龍 , CHANG, TANG-LONG , 廖期聖 , LIAO, CHI-SHENG , 吳政晃 , WU, JENG-HUANG
IPC分类号： G01R31/40

3. 发明专利

TW201732807A 靜態記憶裝置及其靜態記憶胞审中-公开
简体标题：静态记忆设备及其静态记忆胞
公开(公告)号：TW201732807A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105108768
申请日：2016-03-22
申请人：智原微電子(蘇州)有限公司 , FARADAY TECHNOLOGY CORPORATION , 智原科技股份有限公司 , FARADAY TECHNOLOGY CORP.
发明人：張昭勇 , ZHANG, ZHAO-YONG , 李坤地 , LEE, KUN-TI
IPC分类号： G11C11/413 , G11C7/12
CPC分类号： G11C11/419 , G11C11/412
摘要：靜態記憶裝置及其靜態記憶胞。靜態記憶胞包括資料閂鎖電路、資料寫入電路以及資料讀出電路。資料閂鎖電路包括第一及一第二三態輸出反相電路。資料寫入電路在資料寫入時間週期中提供第一參考電壓以作為第一及第二三態輸出反相電路的其中之一的選中三態輸出反相電路的電源接收端，並提供第二參考電壓至選中三態輸出反相電路的輸入端。資料讀出電路在資料讀出時間週期中依據第二三態輸出反相電路的輸出端上的電壓以及第二參考電壓以產生讀出資料。
简体摘要：静态记忆设备及其静态记忆胞。静态记忆胞包括数据闩锁电路、数据写入电路以及数据读出电路。数据闩锁电路包括第一及一第二三态输出反相电路。数据写入电路在数据写入时间周期中提供第一参考电压以作为第一及第二三态输出反相电路的其中之一的选中三态输出反相电路的电源接收端，并提供第二参考电压至选中三态输出反相电路的输入端。数据读出电路在数据读出时间周期中依据第二三态输出反相电路的输出端上的电压以及第二参考电压以产生读出数据。

4. 发明专利

TWI599165B 可變增益放大器有权
简体标题：可变增益放大器
公开(公告)号：TWI599165B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW105133010
申请日：2016-10-13
申请人：智原科技股份有限公司 , FARADAY TECHNOLOGY CORP.
发明人：林致煌 , LIN, CHIH-HUANG
IPC分类号： H03G3/30
CPC分类号： H03F1/301 , H03F3/45273 , H03F2200/555 , H03F2203/45594 , H03G1/0029 , H03G1/0088 , H03G3/30

5. 发明专利

TWI598600B 用來於一網路系統中進行電纜診斷之方法與裝置有权
简体标题：用来于一网络系统中进行电缆诊断之方法与设备
公开(公告)号：TWI598600B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW105124023
申请日：2016-07-29
申请人：智原科技股份有限公司 , FARADAY TECHNOLOGY CORP.
发明人：郭俊宏 , KUO, CHUN-HUNG
IPC分类号： G01R31/08 , G01R31/11
CPC分类号： H04B17/15 , H04B17/103

6. 发明专利

TW201725474A 電源開啟重置電路审中-公开
简体标题：电源打开重置电路
公开(公告)号：TW201725474A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105100757
申请日：2016-01-12
申请人：智原科技股份有限公司 , FARADAY TECHNOLOGY CORP.
发明人：湯凱能 , TANG, KAI-NENG , 廖期聖 , LIAO, CHI-SHENG
IPC分类号： G06F1/24
CPC分类号： H03K17/223
摘要：電源開啟重置電路包括第一二極體接法電晶體、第二二極體接法電晶體、電阻器以及電流比較電路。第一二極體接法電晶體的陰極耦接至參考電壓。電阻器的第一端耦接至電源電壓。電阻器的第二端耦接至第一二極體接法電晶體的陽極。第二二極體接法電晶體的陰極耦接至參考電壓。第二二極體接法電晶體的陽極耦接至電阻器的第一端。電流比較電路耦接至第一二極體接法電晶體與第二二極體接法電晶體。電流比較電路可以比較第一二極體接法電晶體的電流與第二二極體接法電晶體的電流而獲得比較結果，其中該比較結果決定重置訊號。
简体摘要：电源打开重置电路包括第一二极管接法晶体管、第二二极管接法晶体管、电阻器以及电流比较电路。第一二极管接法晶体管的阴极耦接至参考电压。电阻器的第一端耦接至电源电压。电阻器的第二端耦接至第一二极管接法晶体管的阳极。第二二极管接法晶体管的阴极耦接至参考电压。第二二极管接法晶体管的阳极耦接至电阻器的第一端。电流比较电路耦接至第一二极管接法晶体管与第二二极管接法晶体管。电流比较电路可以比较第一二极管接法晶体管的电流与第二二极管接法晶体管的电流而获得比较结果，其中该比较结果决定重置信号。

7. 发明专利

TWI588831B 非揮發性記憶體加速器及存取加速方法有权
简体标题：非挥发性内存加速器及存取加速方法
公开(公告)号：TWI588831B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW105102822
申请日：2016-01-29
申请人：智原科技股份有限公司 , FARADAY TECHNOLOGY CORP.
发明人：陳坤志 , CHEN, KUN CHIN , 莊孝安 , CHUANG, HSIAO-AN
IPC分类号： G11C16/26 , G06F12/08
CPC分类号： G11C8/06 , G11C7/1039 , G11C7/106 , G11C15/00 , G11C16/26 , G11C16/32 , G11C2207/2281

8. 发明专利

TW201720091A 積體電路以及其串化器/解串化器實體層電路的操作方法审中-公开
简体标题：集成电路以及其串化器/解串化器实体层电路的操作方法
公开(公告)号：TW201720091A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW104139597
申请日：2015-11-27
申请人：智原科技股份有限公司 , FARADAY TECHNOLOGY CORP.
发明人：胡元民 , HU, YUAN-MIN , 林穎甫 , LIN, YIN FU , 溫尚志 , WEN, SHAN-CHIH
IPC分类号： H04L7/00 , H04L29/00
CPC分类号： G06F13/4068
摘要：一種積體電路以及其串化器/解串化器實體層（SERDES PHY層）電路的操作方法。當SERDES PHY層電路處於校正預備態且第一校正輸入接腳的信號為致能態時，或是當SERDES PHY層電路處於校正預備態且第一校正輸入接腳的信號為致能態且第二校正輸入接腳的信號為致能態時，SERDES PHY層電路進入校正態（使用參考電阻進行電流校正）。當完成電流校正後，SERDES PHY層電路進入校正完成態（不使用參考電阻並將第一校正輸入接腳電性連接至第一校正輸出接腳）。當SERDES PHY層電路沒有處於校正完成態時，SERDES PHY層電路使第一校正輸出接腳的信號為失能態。
简体摘要：一种集成电路以及其串化器/解串化器实体层（SERDES PHY层）电路的操作方法。当SERDES PHY层电路处于校正预备态且第一校正输入接脚的信号为致能态时，或是当SERDES PHY层电路处于校正预备态且第一校正输入接脚的信号为致能态且第二校正输入接脚的信号为致能态时，SERDES PHY层电路进入校正态（使用参考电阻进行电流校正）。当完成电流校正后，SERDES PHY层电路进入校正完成态（不使用参考电阻并将第一校正输入接脚电性连接至第一校正输出接脚）。当SERDES PHY层电路没有处于校正完成态时，SERDES PHY层电路使第一校正输出接脚的信号为失能态。

9. 发明专利

TWI573096B 影像雜訊估測的方法與裝置有权
简体标题：影像噪声估测的方法与设备
公开(公告)号：TWI573096B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW102149149
申请日：2013-12-31
申请人：智原科技股份有限公司 , FARADAY TECHNOLOGY CORP.
发明人：吳適達 , WU, SHIH TA
IPC分类号： G06T5/00 , H04N5/357
CPC分类号： G06T7/0002 , G06T5/002 , G06T2207/10024 , G06T2207/20021 , G06T2207/30168

10. 发明专利

TWI566347B 積體電路有权
简体标题：集成电路
公开(公告)号：TWI566347B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW103110879
申请日：2014-03-24
申请人：智原科技股份有限公司 , FARADAY TECHNOLOGY CORP.
发明人：賴穎俊 , LAI, YING JIUNN , 何榮基 , HO, JUNG CHI
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/58 , H01L23/50 , H01L23/5227 , H01L23/645 , H01L23/647 , H01L23/66 , H01L2223/6611 , H01L2223/6638 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H04L25/00 , H01L2924/00014

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