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1. 发明专利

TW201310594A 封裝結構审中-公开
简体标题：封装结构
公开(公告)号：TW201310594A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW100130911
申请日：2011-08-29
申请人：富晶電子股份有限公司 , FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：陳國強 , CHEN, KUO CHIANG , 容紹泉 , RONG, ARTHUR SHAOYAN , 劉振興 , LIU, CHEN HSING , 陳宴毅 , CHEN, YEN YI
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/488 , H01L23/52
CPC分类号： H01L23/49503 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L2224/0603 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要：一種封裝結構包括第一導線架、第二導線架、電源引腳、接地引腳、第一引腳、複數個第一導線、複數個第二導線與封裝體。第一導線架用以電性耦接第一功率電晶體以及第二功率電晶體之汲極。接地引腳電性耦接至第一導線架。第一引腳透過用以提升第一引腳所能負載之電流的導電區域連接第一導線架。複數個第一導線用以電性耦接於第一導線架與第二功率電晶體之源極之間，藉此減少第二功率電晶體的內阻值。複數個第二導線用以電性耦接於接地引腳與第一功率電晶體之源極之間，藉此減少第一功率電晶體的內阻值。
简体摘要：一种封装结构包括第一导线架、第二导线架、电源引脚、接地引脚、第一引脚、复数个第一导线、复数个第二导线与封装体。第一导线架用以电性耦接第一功率晶体管以及第二功率晶体管之汲极。接地引脚电性耦接至第一导线架。第一引脚透过用以提升第一引脚所能负载之电流的导电区域连接第一导线架。复数个第一导线用以电性耦接于第一导线架与第二功率晶体管之源极之间，借此减少第二功率晶体管的内阻值。复数个第二导线用以电性耦接于接地引脚与第一功率晶体管之源极之间，借此减少第一功率晶体管的内阻值。

2. 发明专利

TWI308759B 積體電路之一次可程式化記憶體的程式化方法有权
简体标题：集成电路之一次可进程化内存的进程化方法
公开(公告)号：TWI308759B
公开(公告)日：2009-04-11
申请号：TW095127152
申请日：2006-07-25
申请人：富晶電子股份有限公司 FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION.
发明人：趙伯寅 CHAO, PO-YIN , 袁國元 YUAN, KUO-YUAN , 林祥民 LIN, HSIANG-MIN
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C17/18 , G11C2216/26
摘要：本發明公開了積體電路一次可程式化記憶體的程式化方法,系統記憶體能夠以兩種寫入模式,分別寫入指令集或標準參數,使積體電路的內部結構簡化;且標準參數寫入於系統記憶體內,充分利用了系統記憶體的有效空間;使積體電路廠商無需針對不同應用提前寫入各種校正參數;積體電路廠商可以藉以提高生產效率,降低生產成本。本發明的測量電路不需要額外外接存儲元件,節省最終系統產品的元件,降低最終的電子測量裝置的成本。由於本發明提供的測量電路具有自我燒錄校正參數的功能,可在最終系統產品製造完成後,直接進行自我校正,使其校正程式簡化,對於應用廠商或積體電路廠商均可以藉以降低生產成本。
简体摘要：本发明公开了集成电路一次可进程化内存的进程化方法,系统内存能够以两种写入模式,分别写入指令集或标准参数,使集成电路的内部结构简化;且标准参数写入于系统内存内,充分利用了系统内存的有效空间;使集成电路厂商无需针对不同应用提前写入各种校正参数;集成电路厂商可以借以提高生产效率,降低生产成本。本发明的测量电路不需要额外外置存储组件,节省最终系统产品的组件,降低最终的电子测量设备的成本。由于本发明提供的测量电路具有自我刻录校正参数的功能,可在最终系统产品制造完成后,直接进行自我校正,使其校正进程简化,对于应用厂商或集成电路厂商均可以借以降低生产成本。

3. 发明专利

TW201310585A 封裝結構审中-公开
简体标题：封装结构
公开(公告)号：TW201310585A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW100130914
申请日：2011-08-29
申请人：富晶電子股份有限公司 , FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：陳國強 , CHEN, KUO CHIANG , 容紹泉 , RONG, ARTHUR SHAOYAN , 劉振興 , LIU, CHEN HSING , 陳宴毅 , CHEN, YEN YI
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/495
CPC分类号： H01L23/49517 , H01L23/3107 , H01L23/49537 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2924/13091 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/00014
摘要：一種封裝結構，包括：第一導線架、第二導線架、兩接地引腳、兩第一引腳、複數個第一導線、複數個第二導線與封裝體。第一導線架用以置放積體電路。第二導線架用以耦接第一功率電晶體與第二功率電晶體之汲極。兩接地引腳彼此相鄰且耦接至第一導線架。兩第一引腳用以耦接第二功率電晶體之源極。兩第一引腳透過可提升負載電流的導電區域彼此連接。複數個第一導線用以耦接於第二功率電晶體之源極與第一引腳之間，以減少第二功率電晶體的內阻值。複數個第二導線用以耦接於第一導線架與第一功率電晶體之源極之間，以減少第一功率電晶體的內阻值。
简体摘要：一种封装结构，包括：第一导线架、第二导线架、两接地引脚、两第一引脚、复数个第一导线、复数个第二导线与封装体。第一导线架用以置放集成电路。第二导线架用以耦接第一功率晶体管与第二功率晶体管之汲极。两接地引脚彼此相邻且耦接至第一导线架。两第一引脚用以耦接第二功率晶体管之源极。两第一引脚透过可提升负载电流的导电区域彼此连接。复数个第一导线用以耦接于第二功率晶体管之源极与第一引脚之间，以减少第二功率晶体管的内阻值。复数个第二导线用以耦接于第一导线架与第一功率晶体管之源极之间，以减少第一功率晶体管的内阻值。

4. 发明专利

TW200807424A 積體電路之一次可程式化記憶體的程式化方法审中-公开
简体标题：集成电路之一次可进程化内存的进程化方法
公开(公告)号：TW200807424A
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：TW095127152
申请日：2006-07-25
申请人：富晶半導體股份有限公司 FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：趙伯寅 CHAO, PO YIN , 袁國元 YUAN, KUO YUAN , 林祥民 LIN, HSIANG MIN
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C17/18 , G11C2216/26
摘要：本發明公開了積體電路一次可程式化記憶體的程式化方法,系統記憶體能夠以兩種寫入模式,分別寫入指令集或標準參數,使積體電路的內部結構簡化;且標準參數寫入於系統記憶體內,充分利用了系統記憶體的有效空間;使積體電路廠商無需針對不同應用提前寫入各種校正參數;積體電路廠商可以藉以提高生產效率,降低生產成本。本發明的測量電路不需要額外外接存儲元件,節省最終系統產品的元件,降低最終的電子測量裝置的成本。由於本發明提供的測量電路具有自我燒錄校正參數的功能,可在最終系統產品製造完成後,直接進行自我校正,使其校正程式簡化,對於應用廠商或積體電路廠商均可以藉以降低生產成本。
简体摘要：本发明公开了集成电路一次可进程化内存的进程化方法,系统内存能够以两种写入模式,分别写入指令集或标准参数,使集成电路的内部结构简化;且标准参数写入于系统内存内,充分利用了系统内存的有效空间;使集成电路厂商无需针对不同应用提前写入各种校正参数;集成电路厂商可以借以提高生产效率,降低生产成本。本发明的测量电路不需要额外外置存储组件,节省最终系统产品的组件,降低最终的电子测量设备的成本。由于本发明提供的测量电路具有自我刻录校正参数的功能,可在最终系统产品制造完成后,直接进行自我校正,使其校正进程简化,对于应用厂商或集成电路厂商均可以借以降低生产成本。

5. 发明专利

TW200725628A 一次程式化記憶體及其資料燒錄方法失效
简体标题：一次进程化内存及其数据刻录方法
公开(公告)号：TW200725628A
公开(公告)日：2007-07-01
申请号：TW094144706
申请日：2005-12-16
申请人：富晶半導體股份有限公司 FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：吳曉龍 , 黃一洲
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C17/16 , G11C17/18
摘要：一種一次程式化記憶體,係包括數位介面、熔絲控制電路、熔絲資料暫存器以及可程式化熔絲陣列。此數位介面係以接收使用者端所傳來之熔絲資料。而熔絲控制電路係根據熔絲資料輸出程式化信號。接著,熔絲資料暫存器係以接收及暫時儲存熔絲資料。然後,可程式化熔絲陣列係具有多數個可程式化資料熔絲,此可程式化熔絲陣列係以接收及根據程式化信號與熔絲資料燒斷可程式化資料熔絲。
简体摘要：一种一次进程化内存,系包括数码界面、熔丝控制电路、熔丝数据寄存器以及可进程化熔丝数组。此数码界面系以接收用户端所传来之熔丝数据。而熔丝控制电路系根据熔丝数据输出进程化信号。接着,熔丝数据寄存器系以接收及暂时存储熔丝数据。然后,可进程化熔丝数组系具有多数个可进程化数据熔丝,此可进程化熔丝数组系以接收及根据进程化信号与熔丝数据烧断可进程化数据熔丝。

6. 发明专利

TW200937701A 二次電池之充放電控制電路的溫度感測器审中-公开
简体标题：二次电池之充放电控制电路的温度传感器
公开(公告)号：TW200937701A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097105569
申请日：2008-02-18
申请人：富晶電子股份有限公司 FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION.
发明人：俞再鈞 YU, TSAI CHUNG
IPC分类号： H01M
CPC分类号： G01K7/01 , G01K2205/00 , H02J7/0091
摘要：本發明提出了一種二次電池之充放電控制電路的溫度感測器,用以配合充放電控制電路中的微控制器使用;溫度感測器是一種可利用半導體製程技術製造完成的無極性溫度感測器,這種溫度感測器具有第一訊號接腳和第二訊號接腳,其中包含有成對的第一熱二極體(Thermal Diode)和第二熱二極體,第一熱二極體的正極與第二熱二極體的負極共同連接第一訊號接腳,第一熱二極體的負極與第二熱二極體的正極共同連接第二訊號接腳,具有校正容易、低製造成本、節省電能以及抗干擾能力佳的優點。
简体摘要：本发明提出了一种二次电池之充放电控制电路的温度传感器,用以配合充放电控制电路中的单片机使用;温度传感器是一种可利用半导体制程技术制造完成的无极性温度传感器,这种温度传感器具有第一信号接脚和第二信号接脚,其中包含有成对的第一热二极管(Thermal Diode)和第二热二极管,第一热二极管的正极与第二热二极管的负极共同连接第一信号接脚,第一热二极管的负极与第二热二极管的正极共同连接第二信号接脚,具有校正容易、低制造成本、节省电能以及抗干扰能力佳的优点。

7. 发明专利

TWI298495B 具有雙電壓源之熔絲記憶位元與其電源供應方法失效
简体标题：具有双电压源之熔丝记忆比特与其电源供应方法
公开(公告)号：TWI298495B
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：TW095109446
申请日：2006-03-20
申请人：富晶電子股份有限公司 FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION.
发明人：黃一洲 , 吳曉龍
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C17/16
摘要：一種具有雙電壓源之熔絲記憶位元與其電源供應方法,熔絲連接修整電壓源,第一檢查電路與第二檢查電路被系統電壓源所驅動,檢查電路依據熔絲之第一端與第二端的電位差,以判斷熔絲是否被燒斷。
简体摘要：一种具有双电压源之熔丝记忆比特与其电源供应方法,熔丝连接修整电压源,第一检查电路与第二检查电路被系统电压源所驱动,检查电路依据熔丝之第一端与第二端的电位差,以判断熔丝是否被烧断。

8. 发明专利

TW200737206A 具有雙電壓源之熔絲記憶位元與其電源供應方法失效
简体标题：具有双电压源之熔丝记忆比特与其电源供应方法
公开(公告)号：TW200737206A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW095109446
申请日：2006-03-20
申请人：富晶半導體股份有限公司 FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：黃一洲 , 吳曉龍
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C17/16
摘要：一種具有雙電壓源之熔絲記憶位元與其電源供應方法,熔絲連接修整電壓源,第一檢查電路與第二檢查電路被系統電壓源所驅動,檢查電路依據熔絲之第一端與第二端的電位差,以判斷熔絲是否被燒斷。
简体摘要：一种具有双电压源之熔丝记忆比特与其电源供应方法,熔丝连接修整电压源,第一检查电路与第二检查电路被系统电压源所驱动,检查电路依据熔丝之第一端与第二端的电位差,以判断熔丝是否被烧断。

9. 发明专利

TW200736627A 熔絲檢查電路及其檢查方法失效
简体标题：熔丝检查电路及其检查方法
公开(公告)号：TW200736627A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW095109448
申请日：2006-03-20
申请人：富晶半導體股份有限公司 FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：黃一洲 , 吳曉龍
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G11C17/16
摘要：一種熔絲檢查電路及其檢查方法,第一檢查電路被系統電壓源所驅動,係檢查熔絲之第一端的電壓値,以輸出第一參考電壓,第二檢查電路被系統電壓源所驅動,係檢查熔絲之第二端的電壓値,以輸出第二參考電壓,類比比較器根據第一參考電壓與第二參考電壓的差値,判斷熔絲是否已被燒斷,於熔絲的燒錄過程中,第一參考電壓與第二參考電壓之差値較小,以延長類比比較器的反應時間,於熔絲的讀取過程中,第一參考電壓與第二參考電壓之差値較大,以縮短類比比較器的反應時間。
简体摘要：一种熔丝检查电路及其检查方法,第一检查电路被系统电压源所驱动,系检查熔丝之第一端的电压値,以输出第一参考电压,第二检查电路被系统电压源所驱动,系检查熔丝之第二端的电压値,以输出第二参考电压,模拟比较器根据第一参考电压与第二参考电压的差値,判断熔丝是否已被烧断,于熔丝的刻录过程中,第一参考电压与第二参考电压之差値较小,以延长模拟比较器的反应时间,于熔丝的读取过程中,第一参考电压与第二参考电压之差値较大,以缩短模拟比较器的反应时间。

10. 实用新型

TWM305902U 便於實現自校正功能的積體電路及其測量裝置失效
简体标题：便于实现自校正功能的集成电路及其测量设备
公开(公告)号：TWM305902U
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：TW095213070
申请日：2006-07-25
申请人：富晶半導體股份有限公司 FORTUNE SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：趙伯寅 CHAO, PO YIN , 袁國元 YUAN, KUO YUAN , 林祥民 LIN, HSIANG MIN
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01D18/008
摘要：本創作公開了一種積體電路及其測量裝置，該積體電路包含：微處理器、一次可程式化記憶體、電荷泵、開關電路，該電荷泵使能端與該微處理器連接，該開關電路控制端與該微處理器連接；該開關電路一輸入端與該電荷泵輸出端連接，另一輸入端與該微處理器電源連接，該開關電路輸出端與該一次可程式化記憶體連接，以提供該一次可程式化記憶體工作電壓及燒錄電壓。由於積體電路內的系統記憶體具有可選擇的工作電壓、燒錄電壓，可根據工作狀態作對應選擇，使最終應用的測量裝置不需要再額外多連接一個5.8 volt的VDD電壓，在燒錄校正的標準參數時，可以減少外接的電壓源，簡化校正程式；可以簡化生產時的校正程式所需的電壓，節省能源消耗。
简体摘要：本创作公开了一种集成电路及其测量设备，该集成电路包含：微处理器、一次可进程化内存、电荷泵、开关电路，该电荷泵使能端与该微处理器连接，该开关电路控制端与该微处理器连接；该开关电路一输入端与该电荷泵输出端连接，另一输入端与该微处理器电源连接，该开关电路输出端与该一次可进程化内存连接，以提供该一次可进程化内存工作电压及刻录电压。由于集成电路内的系统内存具有可选择的工作电压、刻录电压，可根据工作状态作对应选择，使最终应用的测量设备不需要再额外多连接一个5.8 volt的VDD电压，在刻录校正的标准参数时，可以减少外置的电压源，简化校正进程；可以简化生产时的校正进程所需的电压，节省能源消耗。

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