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    • 4. 发明公开
    • 나노구조화 층 제조 방법
    • 纳米结构层的制造方法
    • KR20180017033A
    • 2018-02-20
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    • 2016-04-27
    • FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH
    • BUENTING AIKOUHLENBRUCK SVEN
    • H01M4/1397B82Y30/00B82Y40/00C23C14/34C23C14/35H01M4/04H01M4/131H01M4/136H01M4/1391
    • H01M4/0404B82Y30/00B82Y40/00C23C14/06C23C14/35H01M4/0426H01M4/131H01M4/1391H01M4/5825
    • 본발명은전기화학셀을위한나노구조화전극의제조를위한방법에관한것이며, 상기방법에따라서활성물질은마그네트론스퍼터링에의해전기전도성기판상에증착되고, 부가적인탄소함량을함유하는전극물질(활성물질)을포함하는세라믹타깃이이용되며, 기판은증착동안 400℃와 1200℃사이의온도에서유지된다. 또한, 본발명은, 전기전도성기판상에활성물질로이루어진코팅층을포함하는, 전기화학셀용나노구조화전극에도관한것이며, 나노구조화활성물질은기판표면에대해수직인우선방향을갖지않는다공성구조를보유한다. 바람직하게는, 전극의활성물질은섬유상구조를보유하며, 섬유들은 10 내지 500㎚의범위, 특히 10과 200㎚사이의범위의지름을보유한다. 다공도는 20과 90% 사이이다. 나노구조화전극은바람직하게는전술한방법에따라서제조될수 있다.
    • 本发明涉及一种用于制备纳米结构的电极的电化学电池,因此在该方法中,活性物质是通过磁控溅射沉积在导电基底上,将含有碳含量附加电极材料(活性 材料),并且在沉积期间将衬底维持在400℃和1200℃之间的温度。 此外,本发明涉及纳米结构化电极,电化学电池,其包括由所述导电基材上的活性材料的涂层,所述纳米结构化的活性物质不具有垂直的第一方向相对于所述基板的表面具有微孔结构 的。 优选地,电极的活性材料并保持纤维结构中,纤维的直径应在10范围之间的范围,以500㎚,特别是在10和200㎚。 孔隙率在20-90%之间。 纳米结构电极可以优选根据上述方法制备。