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    • 1. 发明专利
    • TiSiN-Beschichtungsverfahren
    • DE102017114249A1
    • 2018-12-06
    • DE102017114249
    • 2017-06-27
    • EUGENUS INC
    • VATS VINAYAK VEERKARIM ZIAUL MCHOI BO SEON
    • C23C16/34C23C16/42C23C16/455
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum ALD-Beschichten eines Substrates (17) mit einer Ti, Si, N enthaltenden Schicht, wobei in mehreren aufeinanderfolgenden Schritten (1, 2, 3) jeweils in ein oder mehreren (n, m, k, l, p, q, r) Zyklen ein Reaktionsgas und anschließend ein Spülgas in eine das Substrat (17) aufnehmende Prozesskammer (10) eingespeist werden, wobei in einem ersten Schritt (1) mit einem Ti enthaltenden Reaktionsgas und mit einem N enthaltenden Reaktionsgas TiN abgeschieden wird, in einem darauffolgenden zweiten Schritt (2) mit einem Ti enthaltenden Reaktionsgas und mit einem Si enthaltenden Reaktionsgas TiSi abgeschieden wird, und in einem auf den zweiten Schritt (2) folgenden dritten Schritt (3) mit einem Ti enthaltenden Reaktionsgas, mit einem N enthaltenden Reaktionsgas und mit einem Si enthaltenden Reaktionsgas TiSiN abgeschieden wird. Außerdem betrifft die Erfindung eine auf ein Substrat (17) bzw. auf eine auf einem Substrat (17) aufgebrachte Schicht, insbesondere Silicium enthaltende Schicht, aufgebrachte Beschichtung bestehend aus Ti, Si, N, mit einem ersten, zum Substrat (17) weisenden Grenzbereich (31), einem vom Substrat (17) wegweisenden Grenzbereich (32) und einem zwischen dem ersten und dem zweiten Grenzbereich angeordneten Kernbereich (33). Der Stickstoffanteil im ersten und im zweiten Grenzbereich (31, 32) ist größer als im Kernbereich (33).