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1. 发明专利

JP5982539B2 特性を保持する選択装置を利用する不揮発性メモリ装置の検出有权
标题翻译：使用的选择装置保持特性的非易失性存储器装置的检测
公开(公告)号：JP5982539B2
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：JP2015136046
申请日：2015-07-07
申请人：クロスバー, インコーポレイテッド , Crossbar, Inc.
发明人：ジョー, サンヒョン , ナザリアン, ハゴップ , リュウ, リンシー
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/004 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C13/0002 , G11C13/003 , G11C13/0033 , G11C14/00 , G11C14/0045 , G11C29/026 , G11C29/028 , G11C2213/51 , G11C2213/73 , G11C2213/76

2. 发明专利

JP2017143245A 2−ターミナルメモリーのためのインタフェース層形成の調節审中-公开
公开(公告)号：JP2017143245A
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：JP2016238531
申请日：2016-12-08
申请人：クロスバー, インコーポレイテッド , Crossbar, Inc.
发明人：ナラヤン, スンダル , ジョー, サンヒョン , ツァオ, リャン
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/318 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L45/085 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1266 , H01L45/145 , H01L45/1616 , H01L45/1675
摘要：【課題】2-ターミナルメモリー素子の製造、構造及び/又はアセンブリの供給を提供する。【解決手段】2-ターミナルメモリー素子103は、シリコン支持層104を有する活性領域と、インタフェース層106と、活性金属層110と、を備える。インタフェース層106は、シリコン支持層104上に成長させることができる。インタフェース層106の成長は、N 2 Oプラズマを用いて調節することができる。活性金属層は、金属、金属間化合物、又は金属合金を含み、活性領域は抵抗スイッチング材料層を構成する。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2016033847A 揮発性スイッチング二端子装置およびMOSトランジスタを利用した不揮発性メモリセル有权
标题翻译：非易失性存储器单元利用挥发性开关两端装置和MOS晶体管
公开(公告)号：JP2016033847A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：JP2015137033
申请日：2015-07-08
申请人：クロスバー, インコーポレイテッド , Crossbar, Inc.
发明人：ナザリアン, ハゴップ , ジョー, サンヒョン , ギー, ハリーユエ
IPC分类号： G11C11/405 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L27/105 , G11C16/04
CPC分类号： G11C13/004 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C14/00 , G11C14/0045 , G11C2213/53 , G11C2213/79
摘要：【課題】揮発性抵抗スイッチング装置およびMOSトランジスタを利用した不揮発性メモリセルを提供する。【解決手段】不揮発性メモリ装置200は、電圧源220によって印加される電圧に基づいて、低抵抗状態または高抵抗状態になる抵抗変化型二端子選択装置206を含む。電圧源220は、選択装置206の第1セレクタ端子(上部電極)に接続された第2端子204を有するキャパシタの第1端子202に結合され、第1MOSトランジスタは、選択装置206の第2セレクタ端子(下部電極)に接続された浮遊ゲート208、ソース210およびドレイン212を含む。ドレイン212は、ゲート214、ソース216およびドレイン218を有する第2MOSトランジスタと、直列に接続される。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种利用易失性电阻切换装置和MOS（金属氧化物半导体）晶体管的非易失性存储单元。解决方案：非易失性存储装置200包括电阻变化型两端子选择装置206，电压状态或高电阻状态。电压源220连接到电容器的第一端子202，电容器的第一端子202具有连接到第一选择器端子（上部电极）的第二端子204 选择装置206.第一MOS晶体管包括连接到选择装置206的第二选择器端子（下电极）的浮置栅极208，源极210和漏极212.漏极212串联连接到第二 MOS晶体管具有栅极214，源极216和漏极218.SELECTED DRAWING：图2

4. 发明专利

JP2017208523A 非確率論抵抗性スイッチングメモリデバイス及び製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017208523A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：JP2016226818
申请日：2016-11-22
申请人：クロスバー, インコーポレイテッド , Crossbar, Inc.
发明人：ジョー, サンヒョン
IPC分类号： H01L45/00 , H01L49/00 , H01L27/105
摘要：【課題】抵抗性スイッチングメモリデバイスの導電性フィラメントに対する機械的応力を低減する抵抗性スイッチングメモリデバイスを提供する。【解決手段】抵抗性スイッチングメモリデバイス100は、下部電極108、導電層106、抵抗性スイッチング層104及び上部電極102を備える。さらに、デバイス上の機械的応力を低減するために、2つ以上の層を選択できる。抵抗性スイッチング層及び導電層は、異なる窒化物/酸化物濃度及び異なる電気抵抗を有する適合性金属窒化物又は金属酸化物材料で形成する。さらに、類似の材料は、抵抗性スイッチング層及び抵抗性スイッチングメモリデバイスの導電性フィラメントに対する機械的応力を低減する。【選択図】図1

5. 发明专利

JP5981424B2 メモリー素子に関する柱状構造及び方法有权
标题翻译：柱状结构和存储器元件的方法
公开(公告)号：JP5981424B2
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：JP2013514403
申请日：2011-06-10
申请人：クロスバー, インコーポレイテッド , Crossbar, Inc.
发明人：ハーナー, スコットブラッド
IPC分类号： H01L45/00 , H01L49/00 , H01L27/105
CPC分类号： H01L45/1675 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/148 , H01L45/1608 , H01L45/1616 , H01L45/1666

6. 发明专利

JP5808811B2 層構造を利用する改善されたデバイススイッチング有权
标题翻译：改进的装置切换利用层结构
公开(公告)号：JP5808811B2
公开(公告)日：2015-11-10
申请号：JP2013525926
申请日：2011-07-29
申请人：クロスバー, インコーポレイテッド , Crossbar, Inc.
发明人：ジョー, サンヒョン , ルー, ウェイ
IPC分类号： H01L45/00 , H01L49/00 , H01L27/105
CPC分类号： H01L27/2463 , G11C13/0009 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/148 , H01L45/16 , G11C2213/15 , G11C2213/33 , G11C2213/51

7. 发明专利

JP2012023374A Two-terminal resistance switching device structure and manufacturing method thereof 有权
标题翻译：两端电阻开关器件结构及其制造方法
公开(公告)号：JP2012023374A
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：JP2011153349
申请日：2011-07-11
申请人： Crossbar Inc , クロスバー, インコーポレイテッドCrossbar, Inc.
发明人： JOE SANG-HYUN , HARNER SCOTT BRAD
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/085 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1266 , H01L45/14 , H01L45/143 , H01L45/148 , H01L45/16 , H01L45/1675
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a two-terminal device.SOLUTION: A first dielectric material 402 which is overlapped with the surface area of a substrate 302 is formed, a lower wiring material 602 is formed so as to be overlapped with the first dielectric material, and a switching material 902 is piled up so as to be overlapped with the lower wiring material. A first patterning and an etching process are performed to the lower wiring material and the switching material to form a first structure 1102 having an upper surface area and a side area. A second dielectric material 1202 is formed so as to be overlapped with the first structure 1102 having an exposure area of a switching element. An opening area 1402 is formed in a part of the second dielectric material 1202 to expose a part of the upper surface area of the switching element. An upper wiring material 1602 includes a conductive material to be formed so as to be overlapped with the opening area 1402 so that a conductive material can contact the switching element directly. A second etching process is performed to form an upper wiring structure.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于形成双端子装置的方法。解决方案：形成与衬底302的表面区域重叠的第一电介质材料402，形成下布线材料602以与第一电介质材料重叠，并且堆叠开关材料902 以便与下布线材料重叠。对下布线材料和开关材料进行第一图案化和蚀刻处理，以形成具有上表面区域和侧面区域的第一结构1102。第二电介质材料1202形成为与具有开关元件的曝光区域的第一结构1102重叠。开口区域1402形成在第二电介质材料1202的一部分中以暴露开关元件的上表面区域的一部分。上布线材料1602包括要形成为与开口区域1402重叠的导电材料，使得导电材料可以直接接触开关元件。执行第二蚀刻工艺以形成上部布线结构。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP6865561B2 非確率論抵抗性スイッチングメモリデバイス及び製造方法有权
公开(公告)号：JP6865561B2
公开(公告)日：2021-04-28
申请号：JP2016226818
申请日：2016-11-22
申请人：クロスバー, インコーポレイテッド , Crossbar, Inc.
发明人：ジョー, サンヒョン
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L21/8239

9. 发明专利

JP6714512B2 2ターミナルメモリーのためのセレクター素子有权
公开(公告)号：JP6714512B2
公开(公告)日：2020-06-24
申请号：JP2016556958
申请日：2015-02-24
申请人：クロスバー, インコーポレイテッド , Crossbar, Inc.
发明人：ジョー, サンヒョン
IPC分类号： H01L49/00

10. 发明专利

JP2015220465A 抵抗性メモリアーキテクチャ及び装置审中-公开
标题翻译：电阻式存储器架构和器件
公开(公告)号：JP2015220465A
公开(公告)日：2015-12-07
申请号：JP2015102280
申请日：2015-05-19
申请人：クロスバー, インコーポレイテッド , Crossbar, Inc.
发明人：ジョー, サンヒョン
IPC分类号： H01L45/00 , H01L49/00 , H01L27/105
CPC分类号： H01L27/249 , H01L27/2409 , H01L45/085 , H01L45/122 , H01L45/1226 , H01L45/1253 , H01L45/141 , H01L45/146 , H01L45/148 , H01L45/1608 , H01L45/1666 , Y10T29/49071
摘要：【課題】二端子メモリの性能の恩恵を享受し且つ比較的低いコストで製造できる高密度の二端子メモリアーキテクチャを提供する。【解決手段】二端子メモリアーキテクチャは基板上に形成され、メモリアーキテクチャの導電層リセスアーキテクチャ内に形成される二端子メモリセルを含んでもよい。導電層リセスは、垂直ビアエッチングと共に水平エッチングとして製造することができる。導電層リセスは、二端子メモリアーキテクチャのそれぞれの導電層についてパターン形成することができる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种享受双终端存储器性能的高密度二端存储器架构，并且可以以相对低的成本制造。解决方案：在基板上形成双端存储器架构，并且可以包括形成在存储器架构的导电层凹部结构中的两端存储单元。导电层凹槽可以与垂直通孔蚀刻一起制成水平蚀刻。对于两个终端存储器架构的每个导电层，可以对导电层凹部进行图案化。

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