专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI487078B 連接區下方之安排路由技術有权
简体标题：连接区下方之安排路由技术
公开(公告)号：TWI487078B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW098124713
申请日：2009-07-22
申请人：劍橋矽晶片無線電有限公司 , CAMBRIDGE SILICON RADIO LIMITED
发明人：亞鮑須薩德 , ABOUSH, ZAID
IPC分类号： H01L23/485
CPC分类号： H01L23/525 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0233 , H01L2224/02331 , H01L2224/0235 , H01L2224/02375 , H01L2224/02377 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05011 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/13147 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

2. 发明专利

TW200832577A 晶片安裝技術 CHIP MOUNTING 审中-公开
简体标题：芯片安装技术 CHIP MOUNTING
公开(公告)号：TW200832577A
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW096143013
申请日：2007-11-14
申请人：劍橋矽晶片無線電有限公司 CAMBRIDGE SILICON RADIO LIMITED
发明人：史黛西塞門J. STACEY, SIMON JONATHAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/17 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L23/532 , H01L24/05 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/12105 , H01L2224/13 , H01L2224/13111 , H01L2224/1412 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20643 , H01L2924/20644 , H01L2924/20645 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要：一種裝置,其包含一晶片包括一基板定義一或更多電子裝置,以及一印刷電路板其經由夾合在該晶片與該印刷電路板之間的一或更多焊接元件而電連接至該晶片,其中該晶片在該基板與該焊接元件之間配置具有一或更多緩衝層,該等緩衝層具有2.5 GPa或更低的一楊氏模數。
简体摘要：一种设备,其包含一芯片包括一基板定义一或更多电子设备,以及一印刷电路板其经由夹合在该芯片与该印刷电路板之间的一或更多焊接组件而电连接至该芯片,其中该芯片在该基板与该焊接组件之间配置具有一或更多缓冲层,该等缓冲层具有2.5 GPa或更低的一杨氏模数。

3. 发明专利

TW201536664A 用於４０奈米製程之超低功率電晶體审中-公开
简体标题：用于４０奈米制程之超低功率晶体管
公开(公告)号：TW201536664A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW103142863
申请日：2014-12-09
申请人：劍橋矽晶片無線電有限公司 , CAMBRIDGE SILICON RADIO LIMITED
发明人：維吉爾大衛 , VIGAR, DAVID , 維瑞提大維 , VERITY, DAVE , 赫本霍茲雷那爾 , HERBERHOLZ, RAINER
IPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L29/66 , H01L29/772
CPC分类号： H01L21/2658 , H01L21/26586 , H01L29/1083 , H01L29/66575 , H01L29/78
摘要：本發明描述使用先進技術節點(例如，40奈米或更小)來製造超低功率電晶體的方法。在一實施例中，藉由將MOSFET最佳化至不同點，亦即，針對低接面斷開(或漏電)電流而非速度/接通電流，可生產MOSFET，該MOSFET仍滿足HCI可靠性規範，但在斷開時具有顯著降低的功率消耗，例如，標準斷開電流之二分之一至三分之一。在此新最佳化點處，將LDD劑量減少至一位準(例如，標準LDD劑量之10%至20%)，使得若進一步減少該LDD劑量，則裝置將不再通過HCI可靠性規範。此狀況與標準MOSFET相反，該等標準MOSFET針對速度/接通電流最佳化且具有在進一步增加時將使裝置不再通過HCI可靠性規範的LDD劑量。
简体摘要：本发明描述使用雪铁龙技术节点(例如，40奈米或更小)来制造超低功率晶体管的方法。在一实施例中，借由将MOSFET最优化至不同点，亦即，针对低接面断开(或漏电)电流而非速度/接通电流，可生产MOSFET，该MOSFET仍满足HCI可靠性规范，但在断开时具有显着降低的功率消耗，例如，标准断开电流之二分之一至三分之一。在此新最优化点处，将LDD剂量减少至一位准(例如，标准LDD剂量之10%至20%)，使得若进一步减少该LDD剂量，则设备将不再通过HCI可靠性规范。此状况与标准MOSFET相反，该等标准MOSFET针对速度/接通电流最优化且具有在进一步增加时将使设备不再通过HCI可靠性规范的LDD剂量。

4. 发明专利

TW200719648A 雙協定環境中之通訊技術(一) COMMUNICATION IN DUAL PROTOCOL ENVIRONMENTS 审中-公开
简体标题：双协定环境中之通信技术(一) COMMUNICATION IN DUAL PROTOCOL ENVIRONMENTS
公开(公告)号：TW200719648A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：TW095133227
申请日：2006-09-08
申请人：劍橋矽晶片無線電有限公司 CAMBRIDGE SILICON RADIO LIMITED
发明人：紹卡迪斯亞歷山大 THOUKYDIDES, ALEXANDER , 辛格史帝芬M. SINGER, STEVEN MARK
IPC分类号： H04L
CPC分类号： H04W72/1215 , H04W88/06
摘要：本發明揭露一種無線電收發器,其包含:用以根據一第一協定接收呈叢發形式之信號的一信號接收器;用以根據一第二協定發射呈叢發形式之信號的一發射器,該等第一與第二協定使該等第一與第二協定的信號彼此地干擾;一傳輸排程器,其用以根據該接收器接收到之該第一協定之信號叢發的時序來預測該第一協定之未來叢發的時序,並且係配置為根據該第二協定來影響該發射器發射叢發,以便如預測地避開該第一協定的信號叢發。
简体摘要：本发明揭露一种无线电收发器,其包含:用以根据一第一协定接收呈丛发形式之信号的一信号接收器;用以根据一第二协定发射呈丛发形式之信号的一发射器,该等第一与第二协定使该等第一与第二协定的信号彼此地干扰;一传输调度器,其用以根据该接收器接收到之该第一协定之信号丛发的时序来预测该第一协定之未来丛发的时序,并且系配置为根据该第二协定来影响该发射器发射丛发,以便如预测地避开该第一协定的信号丛发。

6. 发明专利

TW200843359A 具寬輸入範圍之快閃類比至數位轉換器 FLASH ADC WITH WIDE INPUT RANGE 审中-公开
简体标题：具宽输入范围之快闪模拟至数码转换器 FLASH ADC WITH WIDE INPUT RANGE
公开(公告)号：TW200843359A
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW096141834
申请日：2007-11-06
申请人：劍橋矽晶片無線電有限公司 CAMBRIDGE SILICON RADIO LIMITED
发明人：張塞門 CHANG, SIMON
IPC分类号： H03M
CPC分类号： H03M1/363
摘要：一種類比至數位轉換器,包含:一第一組有序節點,由電路定義,藉此每一節點在各自的電壓上,節點上的電壓在第一電流源的電壓和第一電流槽的電壓之間成一有序級數;一第二組有序節點,由電路定義,藉此每一節點都在各自的電壓上,節點上的電壓在第二電流源的電壓和第二電流槽的電壓之間成一有序級數;一第一輸入節點,是第一組中的節點之一,在第一輸入節點與第一電流源和第一電流槽的每一個之間有至少一個節點;一第二輸入節點,是第二組中的節點之一,在第二輸入節點與第二電流源和第二電流槽的每一個之間有至少一個節點;一第一比較器,使其第一輸入被連接到第一輸入節點和其第二輸入被連接到第二輸入節點;至少一個第二比較器,每一第二比較器使其第一輸入被連接到第一輸入節點與第一電流源之間的一節點和其第二輸入被連接到第二輸入節點與第二電流槽之間的一節點;及至少一個第三比較器,每一第三比較器使其第一輸入被連接到第一輸入節點與第一電流槽之間的一節點和其第二輸入被連接到第二輸入節點與第二電流源之間的一節點。
简体摘要：一种模拟至数码转换器,包含:一第一组有序节点,由电路定义,借此每一节点在各自的电压上,节点上的电压在第一电流源的电压和第一电流槽的电压之间成一有序级数;一第二组有序节点,由电路定义,借此每一节点都在各自的电压上,节点上的电压在第二电流源的电压和第二电流槽的电压之间成一有序级数;一第一输入节点,是第一组中的节点之一,在第一输入节点与第一电流源和第一电流槽的每一个之间有至少一个节点;一第二输入节点,是第二组中的节点之一,在第二输入节点与第二电流源和第二电流槽的每一个之间有至少一个节点;一第一比较器,使其第一输入被连接到第一输入节点和其第二输入被连接到第二输入节点;至少一个第二比较器,每一第二比较器使其第一输入被连接到第一输入节点与第一电流源之间的一节点和其第二输入被连接到第二输入节点与第二电流槽之间的一节点;及至少一个第三比较器,每一第三比较器使其第一输入被连接到第一输入节点与第一电流槽之间的一节点和其第二输入被连接到第二输入节点与第二电流源之间的一节点。

7. 发明专利

TWI447885B 電子裝置封裝、積體電路、導電材料片及製造電子裝置封裝的方法有权
简体标题：电子设备封装、集成电路、导电材料片及制造电子设备封装的方法
公开(公告)号：TWI447885B
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW097140950
申请日：2008-10-24
申请人：劍橋矽晶片無線電有限公司 , CAMBRIDGE SILICON RADIO LIMITED
发明人：霍蘭安德魯G. , HOLLAND, ANDREW GEORGE , 歐文馬汀R. , OWEN, MARTYN ROBERT
IPC分类号： H01L23/528
CPC分类号： H01L23/4951 , H01L23/3107 , H01L24/48 , H01L2224/16 , H01L2224/32014 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

8. 发明专利

TW201413888A 複合式重組晶圓結構审中-公开
简体标题：复合式重组晶圆结构
公开(公告)号：TW201413888A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW101136224
申请日：2012-10-01
申请人：劍橋矽晶片無線電有限公司 , CAMBRIDGE SILICON RADIO LIMITED
发明人：雷奈夫弗拉德 , LENIVE, VLAD , 史黛西塞門 , STACEY, SIMON
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/52
CPC分类号： H01L28/10 , H01L23/13 , H01L23/28 , H01L23/485 , H01L23/492 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/5226 , H01L23/5389 , H01L23/642 , H01L23/66 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L27/04 , H01L28/40 , H01L2223/6677 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/24227 , H01L2224/24265 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/8114 , H01L2224/81815 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/82 , H01L2224/83 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要：一種重組電子裝置其包含至少一晶粒及至少一被動元件。一功能性材料係併入於該裝置之該基板中以修改該被動元件之電氣性能。該被動元件可構成於該裝置之重新分布層中。複合式功能性材料可於該基板中使用以構成部分之或是所有的被動元件。一金屬載體可構成部分之該基板以及部分之該至少一被動元件。
简体摘要：一种重组电子设备其包含至少一晶粒及至少一被动组件。一功能性材料系并入于该设备之该基板中以修改该被动组件之电气性能。该被动组件可构成于该设备之重新分布层中。复合式功能性材料可于该基板中使用以构成部分之或是所有的被动组件。一金属载体可构成部分之该基板以及部分之该至少一被动组件。

9. 发明专利

TW200721764A 雙協定環境中之通訊技術(二) COMMUNICATION IN DUAL PROTOCOL ENVIRONMENTS 审中-公开
简体标题：双协定环境中之通信技术(二) COMMUNICATION IN DUAL PROTOCOL ENVIRONMENTS
公开(公告)号：TW200721764A
公开(公告)日：2007-06-01
申请号：TW095133228
申请日：2006-09-08
申请人：劍橋矽晶片無線電有限公司 CAMBRIDGE SILICON RADIO LIMITED
发明人：紹卡迪斯亞歷山大 THOUKYDIDES, ALEXANDER
IPC分类号： H04L
CPC分类号： H04W16/14 , H04W52/0229 , H04W52/287 , H04W80/00 , H04W88/04 , H04W88/06 , Y02D70/142 , Y02D70/144 , Y02D70/23
摘要：本發明揭露一種通訊裝置,其包含:用以根據一第一協定發射及/或接收信號的一第一通訊系統;用以根據一第二協定發射並接收信號的一第二通訊系統,該第二協定具有使一接收器能對一發射器指出它正處於一不響應狀態的能力,藉此當該發射器處於該不響應狀態時,便禁止它對該接收器發射資料;用以檢測該第一協定之信號中之活動的一信號活動檢測器;以及響應於該信號時序檢測器而用以使該第二通訊系統指出它正處於一不響應狀態的一控制單元。
简体摘要：本发明揭露一种通信设备,其包含:用以根据一第一协定发射及/或接收信号的一第一通信系统;用以根据一第二协定发射并接收信号的一第二通信系统,该第二协定具有使一接收器能对一发射器指出它正处于一不响应状态的能力,借此当该发射器处于该不响应状态时,便禁止它对该接收器发射数据;用以检测该第一协定之信号中之活动的一信号活动检测器;以及响应于该信号时序检测器而用以使该第二通信系统指出它正处于一不响应状态的一控制单元。

10. 发明专利

TWI476418B 半導體測試系統與方法有权
简体标题：半导体测试系统与方法
公开(公告)号：TWI476418B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW098121608
申请日：2009-06-26
申请人：劍橋矽晶片無線電有限公司 , CAMBRIDGE SILICON RADIO LIMITED
发明人：渥爾須詹姆士P , WALSH, JAMES PAUL
IPC分类号： G01R31/26 , G01R1/067 , H01L21/66
CPC分类号： G01R31/3167 , G01R31/2851 , G01R31/31707

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式