专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW200830036A 實施以特徵間距為基礎的圖案分解方法 A METHOD FOR PERFORMING PATTERN DECOMPOSITION BASED ON FEATURE PITCH 失效
简体标题：实施以特征间距为基础的图案分解方法 A METHOD FOR PERFORMING PATTERN DECOMPOSITION BASED ON FEATURE PITCH
公开(公告)号：TW200830036A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：TW096134262
申请日：2007-09-13
申请人： ASML遮蓋器具公司 ASML MASKTOOLS B.V.
发明人：朴俊求 PARK, JUNG CHUL
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F1/70
摘要：本發明提供一種用於分解一含有待印刷於一晶圓上之特徵之目標圖案的方法。該方法包括以下步驟:(a)界定一表示一函數之核心,其在一內半徑內具有正値且在一外半徑中具有負値;(b)利用複數個像素來界定該等特徵;(c)將核心安置於該複數個像素之一第一像素上;(d)判定該核心在該複數個像素中之每一者之位置處的値,儲存用於該複數個像素中之每一者之値以便界定用於該複數個像素中之每一者之像素値;(e)將與該複數個像素中之一給定像素相關聯的一先前儲存之値與在步驟(d)中的判定該給定像素之該像素値相加;(f)將核心安置於該複數個像素中之另一像素上,且重複步驟(d)-(f)直至已處理該複數個像素中之每一者;及(g)以給定像素之像素値為基礎來判定像素在一第一圖案或一第二圖案中之置放。
简体摘要：本发明提供一种用于分解一含有待印刷于一晶圆上之特征之目标图案的方法。该方法包括以下步骤:(a)界定一表示一函数之内核,其在一内半径内具有正値且在一外半径中具有负値;(b)利用复数个像素来界定该等特征;(c)将内核安置于该复数个像素之一第一像素上;(d)判定该内核在该复数个像素中之每一者之位置处的値,存储用于该复数个像素中之每一者之値以便界定用于该复数个像素中之每一者之像素値;(e)将与该复数个像素中之一给定像素相关联的一先前存储之値与在步骤(d)中的判定该给定像素之该像素値相加;(f)将内核安置于该复数个像素中之另一像素上,且重复步骤(d)-(f)直至已处理该复数个像素中之每一者;及(g)以给定像素之像素値为基础来判定像素在一第一图案或一第二图案中之置放。

2. 发明专利

TWI292857B 利用一空間倍頻技術界定光罩圖案之方法與裝置 A METHOD AND APPARATUS FOR DEFINING MASK PATTERNS UTILIZING A SPATIAL FREQUENCY DOUBLING TECHNIQUE 有权
简体标题：利用一空间倍频技术界定光罩图案之方法与设备 A METHOD AND APPARATUS FOR DEFINING MASK PATTERNS UTILIZING A SPATIAL FREQUENCY DOUBLING TECHNIQUE
公开(公告)号：TWI292857B
公开(公告)日：2008-01-21
申请号：TW092106621
申请日：2003-03-25
申请人： ASML遮蓋器具公司 ASML MASKTOOLS B.V.
发明人：道格拉斯凡旦布魯克 DOUGLAS VAN DEN BROEKE , 陳方珍 JANG FUNG CHEN
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F1/29 , G03F1/34
摘要：本發明揭示一種產生用以在基板上印刷一目標圖案中使用的光罩的方法。該方法包括下列步驟：(a)決定代表將被印刷在基板上之電路設計的一目標圖案；(b)藉由縮小目標圖案0.5倍產生一第一圖案；以及(c)藉由執行結合該目標圖案和該第一圖案之布林操作產生一第二圖案。之後利用該第二圖案以在基板上印刷該目標圖案。
简体摘要：本发明揭示一种产生用以在基板上印刷一目标图案中使用的光罩的方法。该方法包括下列步骤：(a)决定代表将被印刷在基板上之电路设计的一目标图案；(b)借由缩小目标图案0.5倍产生一第一图案；以及(c)借由运行结合该目标图案和该第一图案之布尔操作产生一第二图案。之后利用该第二图案以在基板上印刷该目标图案。

3. 发明专利

TWI290262B 用以提供光學近似特徵至用於深度次波長光學微影蝕刻之初縮掩膜板圖樣之方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR PROVIDING OPTICAL PROXIMITY FEATURES TO A RETICLE PATTERN FOR DEEP SUB-WAVELENGTH OPTICAL LITHOGRAPHY 有权
简体标题：用以提供光学近似特征至用于深度次波长光学微影蚀刻之初缩掩膜板图样之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR PROVIDING OPTICAL PROXIMITY FEATURES TO A RETICLE PATTERN FOR DEEP SUB-WAVELENGTH OPTICAL LITHOGRAPHY
公开(公告)号：TWI290262B
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：TW093100904
申请日：2004-01-14
申请人： ASML遮蓋器具公司 ASML MASKTOOLS B.V.
发明人：道格拉斯范德柏肯 VAN DEN BROEKE, DOUGLAS , 前方陳 CHEN, JANG FUNG , 湯瑪斯萊迪 LAIDIG, THOMAS , 克特E 萬派樂 WAMPLER, KURT E. , 敦福斯帝芬徐 HSU, DUAN-FU STEPHEN
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F1/36 , G03F7/70441
摘要：本發明揭示一種產生一具有光學近似校正特徵置放於其中的遮罩設計之方法。該方法包括以下步驟：取得一具有即將成像於一基板上之特徵的所需目標圖樣；基於該目標圖樣決定一干涉映射，該干涉映射可在即將成像的該等特徵中的至少一個特徵與一與該至少一特徵相鄰的一場區域之間定義建設性干涉區域及破壞性干涉區域；以及基於該等建設性干涉區域及該等破壞性干涉區域將輔助特徵放置於該遮罩設計中。
简体摘要：本发明揭示一种产生一具有光学近似校正特征置放于其中的遮罩设计之方法。该方法包括以下步骤：取得一具有即将成像于一基板上之特征的所需目标图样；基于该目标图样决定一干涉映射，该干涉映射可在即将成像的该等特征中的至少一个特征与一与该至少一特征相邻的一场区域之间定义建设性干涉区域及破坏性干涉区域；以及基于该等建设性干涉区域及该等破坏性干涉区域将辅助特征放置于该遮罩设计中。

4. 发明专利

TWI272448B 用於與雙極照明技術共同使用之定向相依屏蔽 ORIENTATION DEPENDENT SHIELDING FOR USE WITH DIPOLE ILLUMINATION TECHNIQUES 失效
简体标题：用于与双极照明技术共同使用之定向相依屏蔽 ORIENTATION DEPENDENT SHIELDING FOR USE WITH DIPOLE ILLUMINATION TECHNIQUES
公开(公告)号：TWI272448B
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：TW092120443
申请日：2003-07-25
申请人： ASML遮蓋器具公司 ASML MASKTOOLS B.V.
发明人：端福史帝芬徐 DUAN-FU STEPHEN HSU , 尼奧克科恩 NOEL CORCORAN , 前芳陳 JANG FUNG CHEN
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/70 , G03F7/70125 , G03F7/70425 , G03F7/70466 , G03F7/70941
摘要：本發明揭示一種利用雙極照明將一具有垂直定向部件及水平定向部件的圖案印刷於一基板上的方法，其包括下列步驟：識別包含於該圖案中的背景區域；於該等背景區域中產生一包含不可解析水平定向部件的垂直組件光罩；於該等背景區域中產生一包含不可解析垂直定向部件的水平組件光罩；利用一X極照明來照明該垂直組件光罩；及利用一Y極照明來照明該水平組件光罩。
简体摘要：本发明揭示一种利用双极照明将一具有垂直定向部件及水平定向部件的图案印刷于一基板上的方法，其包括下列步骤：识别包含于该图案中的背景区域；于该等背景区域中产生一包含不可解析水平定向部件的垂直组件光罩；于该等背景区域中产生一包含不可解析垂直定向部件的水平组件光罩；利用一X极照明来照明该垂直组件光罩；及利用一Y极照明来照明该水平组件光罩。

5. 发明专利

TW200619864A 執行阻抗製程校準和最佳化以及執行不同微影系統之間用於提供光學近接效應匹配的繞射光學元件最佳化之方法 A METHOD OF PERFORMING RESIST PROCESS CALIBRATION/OPTIMIZATION AND DOE OPTIMIZATION FOR PROVIDING OPE MATCHING BETWEEN DIFFERENT LITHOGRAPHY SYSTEMS 审中-公开
简体标题：运行阻抗制程校准和最优化以及运行不同微影系统之间用于提供光学近接效应匹配的绕射光学组件最优化之方法 A METHOD OF PERFORMING RESIST PROCESS CALIBRATION/OPTIMIZATION AND DOE OPTIMIZATION FOR PROVIDING OPE MATCHING BETWEEN DIFFERENT LITHOGRAPHY SYSTEMS
公开(公告)号：TW200619864A
公开(公告)日：2006-06-16
申请号：TW094129360
申请日：2005-08-26
申请人： ASML遮蓋器具公司 ASML MASKTOOLS B.V.
发明人：朴松柏 PARK, SANGBONG , 江楓陳 CHEN, JANG FUNG , 阿敏利伯臣 LIEBCHEN, ARMIN
IPC分类号： G03F , G03B
CPC分类号： G03F7/70458 , G03F7/70108 , G03F7/705 , G03F7/70525
摘要：一種使用複數個微影系統以將一製程最佳化之方法。該方法包含以下步驟：(a)使用一第一微影系統，以確定一用於一給定製程與一目標圖案之已校準阻抗模式；(b)選取一欲使用之第二微影系統，以使用該給定製程將該目標圖案成像，該第二微影系統可以藉由複數個繞射光學元件之其中一者配置，該複數個繞射光學元件各具有對應之可變參數，以將該給定繞射光學元件之性能最佳化；(c)選取該複數個繞射光學元件之其中一者，且使用該複數個繞射光學元件之該選出者模擬該第二微影系統之成像性能；及(d)藉由執行一遺傳演算法以將該複數個繞射光學元件之該選出者之成像性能最佳化，該遺傳演算法確認將該目標圖案之成像最佳化的該複數個繞射光學元件之該選出者之參數值。
简体摘要：一种使用复数个微影系统以将一制程最优化之方法。该方法包含以下步骤：(a)使用一第一微影系统，以确定一用于一给定制程与一目标图案之已校准阻抗模式；(b)选取一欲使用之第二微影系统，以使用该给定制程将该目标图案成像，该第二微影系统可以借由复数个绕射光学组件之其中一者配置，该复数个绕射光学组件各具有对应之可变参数，以将该给定绕射光学组件之性能最优化；(c)选取该复数个绕射光学组件之其中一者，且使用该复数个绕射光学组件之该选出者仿真该第二微影系统之成像性能；及(d)借由运行一遗传算法以将该复数个绕射光学组件之该选出者之成像性能最优化，该遗传算法确认将该目标图案之成像最优化的该复数个绕射光学组件之该选出者之参数值。

6. 发明专利

TWI239434B 偵測光學系統像差之方法及裝置、透鏡像差監視器及元件製造方法 METHOD AND APPARATUS OF DETECTING ABERRATIONS WITH AN OPTICAL SYSTEM, LENS ABERRATION MONITOR AND DEVICE MANUFACTURING METHOD 失效
简体标题：侦测光学系统像差之方法及设备、透镜像差监视器及组件制造方法 METHOD AND APPARATUS OF DETECTING ABERRATIONS WITH AN OPTICAL SYSTEM, LENS ABERRATION MONITOR AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
公开(公告)号：TWI239434B
公开(公告)日：2005-09-11
申请号：TW090128361
申请日：2001-11-15
申请人： ASML遮蓋器具公司 ASML MASKTOOLS B.V.
发明人：珍芳陳 JANG FUNG CHEN
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/706
摘要：一種偵測用於光學微影系統中之投影透鏡之像差的方法。該方法包括的步驟有形成一用以將微影圖案轉印至基板上的光罩，在該光罩上形成多個無法分解之特徵，其中該多個無法分解特徵係用以在該基板上形成預設圖案，使用光學曝光工具將該光罩曝光以在該基板上印出該光罩，並且分析該基板上預設圖案的位置以及光罩上多個無法分解特徵的位置以判斷是否有像差。如果該基板上預設圖案的位置與所預期的位置不同時，從該多個無法分解特徵的位置判斷，與預期位置的位移便表示有像差的存在。
简体摘要：一种侦测用于光学微影系统中之投影透镜之像差的方法。该方法包括的步骤有形成一用以将微影图案转印至基板上的光罩，在该光罩上形成多个无法分解之特征，其中该多个无法分解特征系用以在该基板上形成默认图案，使用光学曝光工具将该光罩曝光以在该基板上印出该光罩，并且分析该基板上默认图案的位置以及光罩上多个无法分解特征的位置以判断是否有像差。如果该基板上默认图案的位置与所预期的位置不同时，从该多个无法分解特征的位置判断，与预期位置的位移便表示有像差的存在。

7. 发明专利

TW200508816A 用於產生利用影像場映像之輔助特徵之方法,程式產品及裝置 A METHOD , PROGRAM PRODUCT AND APPARATUS FOR GENERATING ASSIST FEATURES UTILIZING AN IMAGE FIELD MAP 审中-公开
简体标题：用于产生利用影像场图像之辅助特征之方法,进程产品及设备 A METHOD , PROGRAM PRODUCT AND APPARATUS FOR GENERATING ASSIST FEATURES UTILIZING AN IMAGE FIELD MAP
公开(公告)号：TW200508816A
公开(公告)日：2005-03-01
申请号：TW093119594
申请日：2004-06-30
申请人： ASML遮蓋器具公司 ASML MASKTOOLS B.V.
发明人：克特E 萬派樂 WAMPLER, KURT E. , 道格拉斯范德柏肯 VAN DEN BROEKE, DOUGLAS , 優緯哈樂般 HOLLERBACH, UWE , 蘇洛希 SHI, XUELONG , 前方陳 CHEN, JANG FUNG
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F1/36 , G03F7/70433 , G03F7/70441
摘要：本發明揭示的概念包括用於藉由產生對應於圖案之影像場映像而產生待形成於基板表面上之圖案的輔助特徵之方法、程式產品及裝置。自影像場映像提取特性，且根據步驟中提取之特性而產生圖案之輔助特徵。可相對於影像場映像之輪廓的主軸線來定向輔助特徵。同時，輔助特徵可為多邊形且設定其尺寸以環繞輪廓或相對於輪廓內部來設定其尺寸。另外，可根據自影像場映像中識別之極值置放輔助特徵。利用影像場映像，可排除用於產生輔助特徵之習知且複雜的基於二維規則之途徑。
简体摘要：本发明揭示的概念包括用于借由产生对应于图案之影像场图像而产生待形成于基板表面上之图案的辅助特征之方法、进程产品及设备。自影像场图像提取特性，且根据步骤中提取之特性而产生图案之辅助特征。可相对于影像场图像之轮廓的主轴线来定向辅助特征。同时，辅助特征可为多边形且设置其尺寸以环绕轮廓或相对于轮廓内部来设置其尺寸。另外，可根据自影像场图像中识别之极值置放辅助特征。利用影像场图像，可排除用于产生辅助特征之习知且复杂的基于二维守则之途径。

8. 发明专利

TW200306615A 利用雙極照射執行受控制之閘收縮之方法與裝置 METHOD AND APPARATUS FOR PERFORMAING RULE-BASED GATE SHRINK UTILIZING DIPOLE ILLUMINATION 失效
简体标题：利用双极照射运行受控制之闸收缩之方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR PERFORMAING RULE-BASED GATE SHRINK UTILIZING DIPOLE ILLUMINATION
公开(公告)号：TW200306615A
公开(公告)日：2003-11-16
申请号：TW092106630
申请日：2003-03-25
申请人： ASML遮蓋器具公司 ASML MASKTOOLS B.V.
发明人：敦富史帝芬徐 DUAN-FU STEPHEN HSU , 諾爾可可倫 NOEL CORCORAN , 陳方珍 JANG FUNG CHEN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F7/701 , G03F1/36 , G03F1/70 , G03F7/70425 , G03F7/70433
摘要：本發明係揭示一種在基板上印刷一閘極圖樣之方法，其包括下列步驟：識別在該圖樣中至少一區域，其中該閘極特徵其中之一覆蓋主動區域其中之一；在該等閘極特徵其中之一覆蓋該等主動區域其中之一的位置，減少該等閘極特徵其中之一的寬度尺寸；分解該等閘極特徵為一垂直成分光罩和一水平成分光罩;以及利用雙極照射，照射該垂直成分光罩和水平成分光罩。
简体摘要：本发明系揭示一种在基板上印刷一闸极图样之方法，其包括下列步骤：识别在该图样中至少一区域，其中该闸极特征其中之一覆盖主动区域其中之一；在该等闸极特征其中之一覆盖该等主动区域其中之一的位置，减少该等闸极特征其中之一的宽度尺寸；分解该等闸极特征为一垂直成分光罩和一水平成分光罩;以及利用双极照射，照射该垂直成分光罩和水平成分光罩。

9. 发明专利

TWI382282B 實施用於圖案分解特徵的以模型為基礎的光學近似校正（ＯＰＣ）之方法與裝置失效
简体标题：实施用于图案分解特征的以模型为基础的光学近似校正（ＯＰＣ）之方法与设备
公开(公告)号：TWI382282B
公开(公告)日：2013-01-11
申请号：TW096134260
申请日：2007-09-13
申请人： ASML遮蓋器具公司 , ASML MASKTOOLS B.V.
发明人：敦福斯帝芬徐 , HSU, DUAN-FU STEPHEN , 朴俊求 , PARK, JUNG CHUL , 道格拉斯凡丹布洛凱 , VAN DEN BROEKE, DOUGLAS , 陳姜逢 , CHEN, JANG FUNG
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G06T7/0004 , G03F1/36 , G03F1/70 , G03F7/70466 , G03F7/70475

10. 发明专利

TWI305299B 用於產生模擬複數個曝光工具之成像性能之模式的方法、電腦程式產品及裝置 METHOD, COMPUTER PROGRAM PRODUCT, AND APPARARUS FOR GENERATING MODELS FOR SIMULATING THE IMAGING PERFORMANCE OF A PLURALITY OF EXPOSURE TOOLS 有权
简体标题：用于产生仿真复数个曝光工具之成像性能之模式的方法、电脑进程产品及设备 METHOD, COMPUTER PROGRAM PRODUCT, AND APPARARUS FOR GENERATING MODELS FOR SIMULATING THE IMAGING PERFORMANCE OF A PLURALITY OF EXPOSURE TOOLS
公开(公告)号：TWI305299B
公开(公告)日：2009-01-11
申请号：TW094102910
申请日：2005-01-31
申请人： ASML遮蓋器具公司 ASML MASKTOOLS B.V.
发明人：克龍席 SHI, XUELONG , 詹方陳 CHEN, JANG FUNG
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/705 , G03F1/36 , G03F1/68 , G03F1/70 , G03F7/70441 , G03F7/70516 , G03F7/70525
摘要：本發明揭示一種用於產生模擬複數個曝光工具之成像性能之模式的方法。該方法包括以下步驟:產生一用於第一曝光工具的校準模式,其能夠估計一欲藉由用於一給定微影程序之該第一曝光工具產生的影像,其中該校準模式包括一第一組基本函數;產生第二曝光工具之一模式,其能夠估計一欲藉由用於該給定程序之該第二曝光工具產生的影像,其中該模式包括一第二組基本函數;以及將該第二組基本函數表示為該第一組基本函數的線性組合以產生對應於該第二曝光工具的一等效模式函數,其中該等效模式函數產生一模擬影像,其對應於由用於該微影程序之該第二曝光工具所產生之該影像。
简体摘要：本发明揭示一种用于产生仿真复数个曝光工具之成像性能之模式的方法。该方法包括以下步骤:产生一用于第一曝光工具的校准模式,其能够估计一欲借由用于一给定微影进程之该第一曝光工具产生的影像,其中该校准模式包括一第一组基本函数;产生第二曝光工具之一模式,其能够估计一欲借由用于该给定进程之该第二曝光工具产生的影像,其中该模式包括一第二组基本函数;以及将该第二组基本函数表示为该第一组基本函数的线性组合以产生对应于该第二曝光工具的一等效模式函数,其中该等效模式函数产生一仿真影像,其对应于由用于该微影进程之该第二曝光工具所产生之该影像。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式