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1. 发明专利

KR20210033915A KR20210033915A - Electron generating apparatus and ionization gauge 审中-公开
公开(公告)号：KR20210033915A
公开(公告)日：2021-03-29
申请号：KR1020200118912A
申请日：2020-09-16
申请人： 캐논 아네르바 가부시키가이샤
发明人： 노리유키 사이토 , 규마 이이즈카 , 에리코 치다
IPC分类号： H01J29/48 , G01R31/24
CPC分类号： H01J29/487 , H01J1/02 , G01R31/245 , H01J2229/4803
摘要： 전자 발생 장치는, 필라멘트와, 상기 필라멘트로부터 전자가 방출되도록 상기 필라멘트에 전력을 공급하는 전원과, 제어부를 구비한다. 상기 제어부는, 상기 전원으로부터 상기 필라멘트에 공급되는 전력에 상관을 갖는 값을 반복해서 검출하고, 검출된 복수의 값을 이용하여, 상기 필라멘트의 상태가 알림 조건을 충족하는지 여부를 판단하여, 상기 상태가 상기 알림 조건을 충족하는 경우에 알림을 행한다.

2. 发明授权

KR102125603B1 스퍼터링 장치 및 기판 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR102125603B1
公开(公告)日：2020-06-22
申请号：KR1020177006252
申请日：2013-08-23
申请人： 캐논 아네르바 가부시키가이샤
发明人： 이시하라시게노리 , 도야히로유키 , 야스마츠야스시 , 나카자와도시카즈 , 나카무라에이지 , 스다신타로 , 이마이신 , 후지모토유우
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/50

3. 发明授权

KR102075446B1 자기 저항 효과 소자의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102075446B1
公开(公告)日：2020-02-10
申请号：KR1020187023280
申请日：2016-02-01
申请人： 캐논 아네르바 가부시키가이샤
发明人： 호소야히로유키 , 나가미네요시노리
IPC分类号： H01L43/12 , H01L43/10 , H01L43/08

4. 发明授权

KR101973879B1 기판 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR101973879B1
公开(公告)日：2019-04-29
申请号：KR1020177018315
申请日：2013-11-28
申请人： 캐논 아네르바 가부시키가이샤
发明人： 시마네요시미츠 , 우치노사토시 , 아키야마스스무 , 마츠오가즈아키 , 야마구치노부오
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/50 , C23C14/54 , H01J37/34 , H01J37/32

5. 发明授权

KR101800237B1 자기저항 효과 소자 有权
标题翻译：磁阻元件
公开(公告)号：KR101800237B1
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：KR1020167028980
申请日：2016-01-14
申请人： 캐논 아네르바 가부시키가이샤
发明人： 세이노다쿠야 , 니시무라가즈마사 , 이리사와다시카즈 , 시부이치사키
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/10 , G01R33/098 , G11C11/161 , H01F10/3236 , H01F10/3272 , H01F10/3286 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： 본발명에따른자기저항효과소자는배리어층(barrier layer); 상기배리어층의한쪽표면에형성된레퍼런스층(reference layer); 상기배리어층의다른쪽 표면에형성된프리층; 및상기레퍼런스층의상기배리어층과는반대측에배치된핀층(pinned layer)을포함한다. 상기핀층은 Ni, Co, Pt, Co, Ru, Co, Pt, Co, 및 Ni의순서로적층된구조를포함한다.
摘要翻译：根据本发明的磁阻元件包括阻挡层; 形成在阻挡层的一个表面上的参考层; 形成在阻挡层的另一个表面上的自由层; 并且设置在参考层的与阻挡层相对的一侧上的钉扎层。钉扎层依次包括Ni，Co，Pt，Co，Ru，Co，Pt，Co和Ni的堆叠结构。

6. 发明授权

KR101786868B1 제조방법 有权
标题翻译：制造方法
公开(公告)号：KR101786868B1
公开(公告)日：2017-10-18
申请号：KR1020157020006
申请日：2011-12-02
申请人： 캐논 아네르바 가부시키가이샤
发明人： 츠네카와코지
IPC分类号： H01L43/12
CPC分类号： C23C14/14 , C23C14/067 , C23C14/081 , C23C14/34 , C23C14/3407 , C23C14/345 , C23C14/3464 , C23C14/505 , C23C14/568 , C23C14/5806 , C23C14/5853 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/34 , C23C28/345 , H01F41/18 , H01J37/32899 , H01J37/3405 , H01J37/3411 , H01J37/3417 , H01L21/67207 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： 본발명은자화고정층을포함하는제 1 막, 자화자유층을포함하는제 2 막, 및적어도한 층의산화막, 질화막및 반도체막을포함하는제 3 막을포함하는자기저항소자로서다층박막을성장시키는제조방법으로서, 하나의스퍼터링음극을포함한제 1 스퍼터링증착챔버에제 3 막을형성하는단계와, 2 이상의스퍼터링음극들을포함하는제 2 스퍼터링증착챔버에적어도자화고정층을증착시키는단계및 2 이상의스퍼터링음극을포함한제 3 스퍼터링증착챔버에자화자유층을포함하는복수의박막을형성하는단계를포함한다.
摘要翻译：另外，本发明中生长的多层薄膜作为磁电阻装置，其包括包含所述第二膜第三膜制成，并且至少一层氧化物膜，氮化物膜和包括第一层的半导体膜，磁化自由层包括一磁化固定层的方法，包括在第二溅射沉积室沉积至少一个磁化固定层包括具有至少两种溅射阴极的步骤，用于在所述第一溅射沉积室中的第三膜和至少两个溅射阴极包括一个溅射阴极的步骤并且在第三溅射沉积室中形成包括磁化自由层的多个薄膜。

7. 发明公开

KR1020170064005A 스퍼터링 장치, 박막증착 방법 및 컨트롤 디바이스 审中-实审
标题翻译：溅射设备，薄膜沉积方法和控制装置
公开(公告)号：KR1020170064005A
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：KR1020177015053
申请日：2011-05-12
申请人： 캐논 아네르바 가부시키가이샤
发明人： 츠네카와코지 , 스에나가마사히로 , 곤노타케오
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/50 , G11B5/39
CPC分类号： H01J37/3476 , C23C14/3464 , C23C14/505 , C23C14/54 , C23C14/542 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , H01J37/32733 , H01J37/34 , H01J37/3429 , H01J37/3435 , H01J37/3473 , H01J2237/20214 , H01J2237/24578 , H01J2237/332 , C23C14/34 , G11B5/39
摘要： 본발명은요철구조전체에걸쳐, 심지어요철구조가형성되는기판에도요철구조의측면부에증착된박막의균일한막 두께를보장할수 있고평평한기판표면에균일한막 두께를갖는다층막을형성하는기능을갖는스퍼터링장치를제공한다. 본발명의일실시예에따른스퍼터링장치는회전가능하게기판(21)을유지하도록구성된기판홀더(22)와, 상기기판홀더(22) 맞은편위치에기판홀더면의법선에대하여경사지게배열된음극유닛(40)과, 기판홀더에보유된기판의회전위치를탐지하기위한위치센서(23)와, 탐지된회전위치에따라기판의회전속도를조절하기위한홀더회전컨트롤러(51)를포함한다. 홀더회전컨트롤러(51)는음극유닛(40)이요철구조의피처리표면의확장방향으로서제 1 방향으로측면에위치될때 기판의회전속도가음극유닛(40)이제 1 방향에수직하고기판의평면방향에나란한제 2 방향으로측면에위치해있을때 기판의회전속도보다더 낮도록회전속도를컨트롤한다.
摘要翻译：本发明具有在平面基板的表面上形成具有均匀厚度的多层膜的功能，能够确保沉积在凹凸结构的侧面上的薄膜的均匀膜厚度，和一个溅射设备。根据本发明的一个实施例的溅射装置是可旋转地基板21，被配置为支持eulyu和衬底保持器22的基板保持器22倾斜地配置，相对于正常的衬底保持器的表面的位置与阴极相反一侧单元40，用于检测保持在基板支架上的基板的旋转位置的位置传感器23以及用于根据检测到的旋转位置来调节基板的旋转速度的支架旋转控制器51。保持器旋转控制器51包括阴极单元40时铁球状枢轴速度是位于在所述第一方向为所述经处理的表面的延伸方向的一侧，当基板的负极单元40现在垂直于基板的平面方向上在第一方向上控制旋转速度，使得当对角线在第二方向上横向放置时，其低于基板的旋转速度。

8. 发明授权

KR101742556B1 반도체 장치의 제조 방법, 이온빔 에칭 장치 및 제어 장치 有权
公开(公告)号：KR101742556B1
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：KR1020167025795
申请日：2013-09-03
申请人： 캐논 아네르바 가부시키가이샤
发明人： 고다이라요시미츠 , 나카가와유키토 , 구리타모토조
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/304 , H01L21/3213 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/32339 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/3266 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/31055 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/3212 , H01L21/32136 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/7833
摘要： CMP 공정후의기판면 내에는막 두께분포가존재한다. 이막 두께분포는예를들면메탈게이트의게이트문턱값전압의불균일로되어, 소자특성의불균일의원인이된다. 본발명은이 CMP 공정후의막 두께분포를간편하게개선하는것을목적으로한다. CMP 공정후에이온빔에칭방법을이용해서, 기판(111) 면내의막 두께분포를보정한다. 구체적으로는이온빔에칭을행할때의플라스마발생실(102) 내에서의플라스마밀도를기판(111) 면내의중심부에대향하는위치와외주부에대향하는위치에서서로다르게함으로써, 기판(111) 면내의중심부와외주부의에칭레이트를서로다르게한다.

9. 发明公开

KR1020170052529A 이온 빔 에칭 방법 및 이온 빔 에칭 장치 审中-实审
标题翻译：离子束蚀刻方法和离子束蚀刻设备
公开(公告)号：KR1020170052529A
公开(公告)日：2017-05-12
申请号：KR1020167036137
申请日：2015-10-02
申请人： 캐논 아네르바 가부시키가이샤
发明人： 가미야야스시 , 아카사카히로시 , 사카모토기요타카
IPC分类号： H01J37/305 , H01J37/20 , H01J37/317 , G11B5/127
CPC分类号： G11B5/3163 , H01J37/3178 , H01J37/32422 , H01J2237/08
摘要： 장치의대형화를수반하지않고, 저입사각정지조건에서도고균일한 IBE 처리를실현할수 있는이온빔 에칭방법을제공한다. 이온빔 에칭방법은, 기판에대한개구부의위치를변경하는스텝과, 개구부를통과한이온빔으로기판을에칭하는스텝과, 이온빔이기판에입사되는위치의중심이이온원으로부터멀어짐에따라서, 경사각도를작게하는스텝을갖는다.
摘要翻译：本发明提供一种离子束蚀刻方法，即使在低入射角停止条件下也能够高度均匀地实现IBE处理，而不会增加装置的尺寸。离子束蚀刻方法，按照从离子源的位置的中心，这是入射离子束在已经穿过所述开口以改变开口相对的在基板上的位置的离子束的工序称为用基板的基板，所述倾斜角的步骤的距离它有减少的步骤。

10. 发明授权

KR101683414B1 스퍼터링 장치 有权
标题翻译：喷射装置
公开(公告)号：KR101683414B1
公开(公告)日：2016-12-06
申请号：KR1020157031183
申请日：2013-12-24
申请人： 캐논 아네르바 가부시키가이샤
发明人： 이시하라시게노리
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/50 , C23C14/56
CPC分类号： H01J37/3441 , C23C14/34 , C23C14/3464 , C23C14/352 , C23C14/564 , H01J37/3417 , H01J37/3435 , H01J37/3447
摘要： 스퍼터링장치는, 챔버와, 상기챔버중에서기판을보유지지하기위한기판홀더와, 타깃을보유지지하기위한타깃홀더와, 상기기판홀더와상기타깃홀더의사이에배치되고, 상기기판홀더측의제1 면및 상기제1 면의반대측인제2 면을갖는셔터와, 상기셔터의상기제2 면에대향하는부분을포함하는제3 면및 상기제3 면의반대측인제4 면을갖는제1 실드와, 상기셔터의단부및 상기제1 실드의단부에대향하는부분을포함하는제5 면을갖는제2 실드와, 상기셔터의상기제2 면과상기제1 실드의상기제3 면과의사이에형성되는제1 간극에연통되도록상기제1 실드의외측에배치된가스확산공간에가스를공급하는가스공급부를구비한다. 상기제2 실드는, 상기셔터의단부와의사이에제2 간극을구성하도록상기제5 면으로부터돌출된돌출부를포함한다.
摘要翻译：溅射装置包括：闸板，其具有在基板保持器的一侧上的第一表面和相对侧上的第二表面;第一屏蔽，具有包括面向第二表面的部分的第三表面和相对侧上的第四表面; 具有第五表面的第二屏蔽，所述第五表面包括面对所述闸门和所述第一屏蔽件的端部的部分，以及气体供应单元，其将空气供应到布置在所述第一屏蔽外部的空间中，以与所述闸板的第二表面之间的第一间隙连通和第一屏蔽的第三表面。第二屏蔽包括在第五表面上的突出部分，以在突出部分和快门的端部之间形成第二间隙。

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