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1. 发明公开

KR1020030036127A 삼차원 디바이스 집적 방법, 집적 디바이스 및 결합된 구조체 有权
标题翻译： 삼차원디바이스집적방법，집적디바이스및결합된구체체체
公开(公告)号：KR1020030036127A
公开(公告)日：2003-05-09
申请号：KR1020027004171
申请日：2000-09-29
申请人： 집트로닉스, 인크.
发明人： 엔쿠이스트폴엠.
IPC分类号： H01L25/00
CPC分类号： H01L24/08 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L21/76898 , H01L21/8221 , H01L23/13 , H01L23/36 , H01L23/481 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/24 , H01L24/26 , H01L24/27 , H01L24/30 , H01L24/48 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/167 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L27/14634 , H01L2221/6835 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2223/6677 , H01L2224/0807 , H01L2224/08123 , H01L2224/1134 , H01L2224/16 , H01L2224/24011 , H01L2224/24225 , H01L2224/24226 , H01L2224/24227 , H01L2224/3005 , H01L2224/30104 , H01L2224/305 , H01L2224/48091 , H01L2224/48101 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/80896 , H01L2224/81894 , H01L2224/8303 , H01L2224/83092 , H01L2224/83099 , H01L2224/8319 , H01L2224/83193 , H01L2224/83345 , H01L2224/83359 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2224/83896 , H01L2224/83912 , H01L2224/83948 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06589 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/05442 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/13062 , H01L2924/13063 , H01L2924/13064 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , Y10S148/012 , Y10S438/977 , H01L2224/13099 , H01L2924/01049 , H01L2924/01031 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/8203 , H01L2224/821 , H01L2224/80001 , H01L2224/82
摘要： 본 발명은 디바이스 집적 방법 및 집적 디바이스에 관한 것이다. 본 방법은 제1 및 제2 작업편 각각의 표면을 약 5 내지 10 옹스트롱의 표면 거칠기로 연마하는 단계를 포함한다. 제1 및 제2 작업편의 연마된 표면은 함께 결합된다. 제3 작업편의 표면은 그 표면 거칠기로 연마된다. 제3 작업편의 표면은 결합된 제1 및 제2 작업편에 결합된다. 제1, 제2 및 제3 작업편은 각각 한 표면 상에 형성된, 양호하게는 웨이퍼 형태인 얇은 재료를 갖는 반도체 디바이스일 수 있다. 얇은 재료는 원하는 표면 거칠기로 연마된 후에 함께 결합된다. 얇은 재료는 각각 그들이 형성된 재료의 비 평면인 표면의 약 1 내지 10 배의 두께를 가질 수 있다. 몇몇 디바이스가 함께 결합될 수 있고, 디바이스들은 상이한 형태의 디바이스들 또는 상이한 기술일 수 있다.
摘要翻译：一种设备集成方法和集成设备。该方法可以包括以下步骤：将具有衬底的半导体器件直接接合到元件; 以及在键合之后移除部分衬底以暴露半导体器件的剩余部分。该元件可以包括用于热扩散，阻抗匹配或RF隔离的基板，天线以及由无源元件组成的匹配网络中的一个。第二热扩散基板可以结合到半导体器件的其余部分。可以通过第一或第二基板进行互连。该方法还可以包括将多个半导体器件接合到元件，并且该元件可以具有凹陷，半导体器件布置在该凹陷中。具有多个接触结构的导体阵列可以形成在半导体器件的暴露表面上，通孔可以穿过半导体器件形成到器件区域，并且互连可以形成在所述器件区域和所述接触结构之间。

2. 发明授权

KR101328367B1 삼차원 디바이스 집적 방법, 집적 디바이스 및 결합된 구조체 有权
标题翻译：三维装置集成方法集成装置和结合结构
公开(公告)号：KR101328367B1
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：KR1020027004171
申请日：2000-09-29
申请人： 집트로닉스, 인크.
发明人： 엔쿠이스트폴엠.
IPC分类号： H01L25/00
CPC分类号： H01L24/08 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L21/76898 , H01L21/8221 , H01L23/13 , H01L23/36 , H01L23/481 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/24 , H01L24/26 , H01L24/27 , H01L24/30 , H01L24/48 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/167 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L27/14634 , H01L2221/6835 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2223/6677 , H01L2224/0807 , H01L2224/08123 , H01L2224/1134 , H01L2224/16 , H01L2224/24011 , H01L2224/24225 , H01L2224/24226 , H01L2224/24227 , H01L2224/3005 , H01L2224/30104 , H01L2224/305 , H01L2224/48091 , H01L2224/48101 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/80896 , H01L2224/81894 , H01L2224/8303 , H01L2224/83092 , H01L2224/83099 , H01L2224/8319 , H01L2224/83193 , H01L2224/83345 , H01L2224/83359 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2224/83896 , H01L2224/83912 , H01L2224/83948 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06589 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/05442 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/13062 , H01L2924/13063 , H01L2924/13064 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , Y10S148/012 , Y10S438/977 , H01L2224/13099 , H01L2924/01049 , H01L2924/01031 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/8203 , H01L2224/821 , H01L2224/80001 , H01L2224/82
摘要： 본발명은디바이스집적방법및 집적디바이스에관한것이다. 본방법은제1 및제2 작업편각각의표면을약 5 내지 10 옹스트롱의표면거칠기로연마하는단계를포함한다. 제1 및제2 작업편의연마된표면은함께결합된다. 제3 작업편의표면은그 표면거칠기로연마된다. 제3 작업편의표면은결합된제1 및제2 작업편에결합된다. 제1, 제2 및제3 작업편은각각한 표면상에형성된, 양호하게는웨이퍼형태인얇은재료를갖는반도체디바이스일수 있다. 얇은재료는원하는표면거칠기로연마된후에함께결합된다. 얇은재료는각각그들이형성된재료의비 평면인표면의약 1 내지 10 배의두께를가질수 있다. 몇몇디바이스가함께결합될수 있고, 디바이스들은상이한형태의디바이스들또는상이한기술일수 있다.

3. 发明公开

KR1020110091812A 저온 결합 방법 및 결합된 구조 有权
标题翻译：低温结合和粘结结构的方法
公开(公告)号：KR1020110091812A
公开(公告)日：2011-08-12
申请号：KR1020117015751
申请日：2001-02-15
申请人： 집트로닉스, 인크.
发明人： 통,킨-이 , 파운틴,가이우스,길만,주니어. , 엔퀴스트,폴,엠.
IPC分类号： H01L21/3063
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/0206 , H01L21/2007 , H01L21/31105 , H01L21/31116 , H01L21/322 , H01L21/76251 , H01L24/26 , H01L24/75 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/085 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L2224/8301 , H01L2224/8303 , H01L2224/83031 , H01L2224/8309 , H01L2224/83099 , H01L2224/8319 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2224/83896 , H01L2224/83948 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01018 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/0106 , H01L2924/01061 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01084 , H01L2924/01093 , H01L2924/0132 , H01L2924/05442 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , Y10S148/012 , Y10S438/974 , Y10T156/10 , Y10T156/1043 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01049 , H01L2924/01031 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
摘要： 저온 또는 실온에서의 결합 방법은 세정 또는 에칭에 의한 표면 세정 및 활성화 단계를 포함한다. 상기 방법은 또한 계면 중합의 부산물을 제거하여 역 중합 반응을 방지함으로써, 실리콘, 질화규소 및 SiO
2 와 같은 재료를 실온에서 화학 결합시키는 단계를 포함할 수도 있다. 결합시킬 표면들은 고도의 평활도 및 평면도로 폴리싱한다(2). VSE 단계는 반응성 이온 에칭 또는 습식 에칭을 이용하여 결합시킬 표면들을 약하게 에칭시킬 수 있다(3). VSE 공정에 의해 표면 조도 및 평면도는 저하되지 않으며 높아질 수 있다. 에칭된 표면을 수산화암모늄 또는 플루오르화암모늄과 같은 용액에서 세정하여 표면 위의 원하는 결합 종의 형성을 촉진시킬 수 있다(4).

4. 发明公开

KR1020110081359A 반도체 디바이스 집적 방법 有权
标题翻译：用于集成半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020110081359A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：KR1020117015047
申请日：2000-09-29
申请人： 집트로닉스, 인크.
发明人： 엔쿠이스트폴엠.
IPC分类号： H01L25/00 , H01L23/12
CPC分类号： H01L24/08 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L21/76898 , H01L21/8221 , H01L23/13 , H01L23/36 , H01L23/481 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/24 , H01L24/26 , H01L24/27 , H01L24/30 , H01L24/48 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/167 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L27/14634 , H01L2221/6835 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2223/6677 , H01L2224/0807 , H01L2224/08123 , H01L2224/1134 , H01L2224/16 , H01L2224/24011 , H01L2224/24225 , H01L2224/24226 , H01L2224/24227 , H01L2224/3005 , H01L2224/30104 , H01L2224/305 , H01L2224/48091 , H01L2224/48101 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/80896 , H01L2224/81894 , H01L2224/8303 , H01L2224/83092 , H01L2224/83099 , H01L2224/8319 , H01L2224/83193 , H01L2224/83345 , H01L2224/83359 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2224/83896 , H01L2224/83912 , H01L2224/83948 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06589 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/05442 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/13062 , H01L2924/13063 , H01L2924/13064 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , Y10S148/012 , Y10S438/977 , H01L2224/13099 , H01L2924/01049 , H01L2924/01031 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/8203 , H01L2224/821 , H01L2224/80001 , H01L2224/82
摘要： 본 발명은 디바이스 집적 방법 및 집적 디바이스에 관한 것이다. 본 방법은 제1 및 제2 작업편 각각의 표면을 약 5 내지 10 옹스트롱의 표면 거칠기로 연마하는 단계를 포함한다. 제1 및 제2 작업편의 연마된 표면은 함께 결합된다. 제3 작업편의 표면은 그 표면 거칠기로 연마된다. 제3 작업편의 표면은 결합된 제1 및 제2 작업편에 결합된다. 제1, 제2 및 제3 작업편은 각각 한 표면 상에 형성된, 양호하게는 웨이퍼 형태인 얇은 재료를 갖는 반도체 디바이스일 수 있다. 얇은 재료는 원하는 표면 거칠기로 연마된 후에 함께 결합된다. 얇은 재료는 각각 그들이 형성된 재료의 비 평면인 표면의 약 1 내지 10 배의 두께를 가질 수 있다. 몇몇 디바이스가 함께 결합될 수 있고, 디바이스들은 상이한 형태의 디바이스들 또는 상이한 기술일 수 있다.

5. 发明公开

KR1020090077981A 저온 결합 방법 및 결합된 구조 无效
标题翻译：低温结合和粘结结构的方法
公开(公告)号：KR1020090077981A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：KR1020097011631
申请日：2001-02-15
申请人： 집트로닉스, 인크.
发明人： 통,킨-이 , 파운틴,가이우스,길만,주니어. , 엔퀴스트,폴,엠.
IPC分类号： H01L21/3063
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/0206 , H01L21/2007 , H01L21/31105 , H01L21/31116 , H01L21/322 , H01L21/76251 , H01L24/26 , H01L24/75 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/085 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L2224/8301 , H01L2224/8303 , H01L2224/83031 , H01L2224/8309 , H01L2224/83099 , H01L2224/8319 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2224/83896 , H01L2224/83948 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01018 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/0106 , H01L2924/01061 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01084 , H01L2924/01093 , H01L2924/0132 , H01L2924/05442 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , Y10S148/012 , Y10S438/974 , Y10T156/10 , Y10T156/1043 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01049 , H01L2924/01031 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
摘要： A method for bonding at low or room temperature includes steps of surface cleaning and activation by cleaning or etching. The method may also include removing by-products of interface polymerization to prevent a reverse polymerization reaction to allow room temperature chemical bonding of materials such as silicon, silicon nitride and SiO2. The surfaces to be bonded are polished to a high degree of smoothness and planarity (2). VSE may use reactive ion etching or wet etching to slighthly etch the surfaces being bonded (3). The surface roughness and planarity are not degraded and may be enhanced by the VSE process. The etched surfaces may be rinsed in solutions such as ammonium hydroxide or ammonium fluoride to promote the formation of desired bonding species on the surfaces (4).
摘要翻译：在低温或室温下接合的方法包括通过清洗或蚀刻进行表面清洁和活化的步骤。该方法还可以包括除去界面聚合的副产物以防止反向聚合反应，以允许诸如硅，氮化硅和SiO 2的材料的室温化学键合。要结合的表面被抛光到高度的平滑度和平坦度（2）。 VSE可以使用反应离子蚀刻或湿蚀刻来轻微蚀刻被结合的表面（3）。表面粗糙度和平面度不会降低，并且可以通过VSE工艺增强。蚀刻的表面可以在诸如氢氧化铵或氟化铵的溶液中漂洗以促进在表面（4）上形成所需的粘合物质。

6. 发明公开

KR1020020081328A 저온 결합 방법 및 결합된 구조 无效
标题翻译：低温接合和结合结构的方法
公开(公告)号：KR1020020081328A
公开(公告)日：2002-10-26
申请号：KR1020027010561
申请日：2001-02-15
申请人： 집트로닉스, 인크.
发明人： 통,킨-이 , 파운틴,가이우스,길만,주니어. , 엔퀴스트,폴,엠.
IPC分类号： H01L21/3063
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/0206 , H01L21/2007 , H01L21/31105 , H01L21/31116 , H01L21/322 , H01L21/76251 , H01L24/26 , H01L24/75 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/085 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L2224/8301 , H01L2224/8303 , H01L2224/83031 , H01L2224/8309 , H01L2224/83099 , H01L2224/8319 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2224/83896 , H01L2224/83948 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01018 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/0106 , H01L2924/01061 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01084 , H01L2924/01093 , H01L2924/0132 , H01L2924/05442 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , Y10S148/012 , Y10S438/974 , Y10T156/10 , Y10T156/1043 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01049 , H01L2924/01031 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
摘要： 저온또는실온에서의결합방법은세정또는에칭에의한표면세정및 활성화단계를포함한다. 상기방법은또한계면중합의부산물을제거하여역 중합반응을방지함으로써, 실리콘, 질화규소및 SiO와같은재료를실온에서화학결합시키는단계를포함할수도있다. 결합시킬표면들은고도의평활도및 평면도로폴리싱한다(2). VSE 단계는반응성이온에칭또는습식에칭을이용하여결합시킬표면들을약하게에칭시킬수 있다(3). VSE 공정에의해표면조도및 평면도는저하되지않으며높아질수 있다. 에칭된표면을수산화암모늄또는플루오르화암모늄과같은용액에서세정하여표면위의원하는결합종의형성을촉진시킬수 있다(4).
摘要翻译：在低温或室温下接合的方法包括通过清洗或蚀刻进行表面清洁和活化的步骤。一种蚀刻方法该方法还可以包括除去界面聚合的副产物，以防止反向聚合反应，以允许材料如硅，氮化硅和SiO 2的室温化学键合。要结合的表面被抛光到高度的平滑度和平坦度。 VSE可以使用反应离子蚀刻或湿蚀刻来稍微蚀刻被结合的表面。表面粗糙度和平面度不会降低，并且可以通过VSE工艺增强。蚀刻的表面可以在诸如氢氧化铵或氟化铵的溶液中冲洗以促进在表面上形成所需的粘结物质。

7. 发明授权

KR101329836B1 반도체 디바이스 집적 방법 有权
标题翻译：用于集成半导体器件的方法
公开(公告)号：KR101329836B1
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：KR1020117015047
申请日：2000-09-29
申请人： 집트로닉스, 인크.
发明人： 엔쿠이스트폴엠.
IPC分类号： H01L25/00 , H01L23/12
CPC分类号： H01L24/08 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L21/76898 , H01L21/8221 , H01L23/13 , H01L23/36 , H01L23/481 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/24 , H01L24/26 , H01L24/27 , H01L24/30 , H01L24/48 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/167 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L27/14634 , H01L2221/6835 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2223/6677 , H01L2224/0807 , H01L2224/08123 , H01L2224/1134 , H01L2224/16 , H01L2224/24011 , H01L2224/24225 , H01L2224/24226 , H01L2224/24227 , H01L2224/3005 , H01L2224/30104 , H01L2224/305 , H01L2224/48091 , H01L2224/48101 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/80896 , H01L2224/81894 , H01L2224/8303 , H01L2224/83092 , H01L2224/83099 , H01L2224/8319 , H01L2224/83193 , H01L2224/83345 , H01L2224/83359 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2224/83896 , H01L2224/83912 , H01L2224/83948 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06589 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/05442 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/13062 , H01L2924/13063 , H01L2924/13064 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , Y10S148/012 , Y10S438/977 , H01L2224/13099 , H01L2924/01049 , H01L2924/01031 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/8203 , H01L2224/821 , H01L2224/80001 , H01L2224/82
摘要： 본발명은디바이스집적방법및 집적디바이스에관한것이다. 본방법은제1 및제2 작업편각각의표면을약 5 내지 10 옹스트롱의표면거칠기로연마하는단계를포함한다. 제1 및제2 작업편의연마된표면은함께결합된다. 제3 작업편의표면은그 표면거칠기로연마된다. 제3 작업편의표면은결합된제1 및제2 작업편에결합된다. 제1, 제2 및제3 작업편은각각한 표면상에형성된, 양호하게는웨이퍼형태인얇은재료를갖는반도체디바이스일수 있다. 얇은재료는원하는표면거칠기로연마된후에함께결합된다. 얇은재료는각각그들이형성된재료의비 평면인표면의약 1 내지 10 배의두께를가질수 있다. 몇몇디바이스가함께결합될수 있고, 디바이스들은상이한형태의디바이스들또는상이한기술일수 있다.

8. 发明授权

KR101298859B1 저온 결합 방법 및 결합된 구조 有权
标题翻译：低温接合和结合结构的方法
公开(公告)号：KR101298859B1
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：KR1020117015751
申请日：2001-02-15
申请人： 집트로닉스, 인크.
发明人： 통,킨-이 , 파운틴,가이우스,길만,주니어. , 엔퀴스트,폴,엠.
IPC分类号： H01L21/3063
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/0206 , H01L21/2007 , H01L21/31105 , H01L21/31116 , H01L21/322 , H01L21/76251 , H01L24/26 , H01L24/75 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/085 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L2224/8301 , H01L2224/8303 , H01L2224/83031 , H01L2224/8309 , H01L2224/83099 , H01L2224/8319 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2224/83896 , H01L2224/83948 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01018 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/0106 , H01L2924/01061 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01084 , H01L2924/01093 , H01L2924/0132 , H01L2924/05442 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , Y10S148/012 , Y10S438/974 , Y10T156/10 , Y10T156/1043 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01049 , H01L2924/01031 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
摘要： 저온 또는 실온에서의 결합 방법은 세정 또는 에칭에 의한 표면 세정 및 활성화 단계를 포함한다. 상기 방법은 또한 계면 중합의 부산물을 제거하여 역 중합 반응을 방지함으로써, 실리콘, 질화규소 및 SiO
2 와 같은 재료를 실온에서 화학 결합시키는 단계를 포함할 수도 있다. 결합시킬 표면들은 고도의 평활도 및 평면도로 폴리싱한다(2). VSE 단계는 반응성 이온 에칭 또는 습식 에칭을 이용하여 결합시킬 표면들을 약하게 에칭시킬 수 있다(3). VSE 공정에 의해 표면 조도 및 평면도는 저하되지 않으며 높아질 수 있다. 에칭된 표면을 수산화암모늄 또는 플루오르화암모늄과 같은 용액에서 세정하여 표면 위의 원하는 결합 종의 형성을 촉진시킬 수 있다(4).

9. 发明授权

KR100916376B1 3차원 장치 집적 방법 및 집적 장치 有权
标题翻译：三维设备集成方法和集成设备
公开(公告)号：KR100916376B1
公开(公告)日：2009-09-07
申请号：KR1020027012459
申请日：2001-03-22
申请人： 집트로닉스, 인크.
发明人： 엔퀴스트,폴,엠.
IPC分类号： H01L21/50
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
摘要： 장치 집적 방법 및 집적 장치. 본 발명에 따른 방법은 기판(20)을 가진 반도체 장치(14)를 소자(10)에 직접 본딩하는 단계, 본딩 이후에 상기 반도체 장치의 나머지 부분을 노출시키기 위해 상기 기판의 일부를 제거하는 단계를 포함한다. 상기 소자는 열 확산, 임피던스 정합용 또는 RF 분리용으로 사용된 기판, 안테나, 및 수동 소자들로 구성되는 정합 회로망중 하나를 포함할 수 있다. 제2 열 확산 기판은 반도체 장치의 나머지 부분에 본딩될 수 있다. 배선(51)은 제1 또는 제2 기판을 통해 이루어질 수 있다. 본 방법은 또한 복수의 반도체 장치(165)를 소자(163)에 본딩시키는 단계를 포함할 수 있고, 소자는 반도체 장치가 배치되는 리세스(167)를 구비할 수 있다. 복수의 접촉 구조를 갖는 도전체 어레이(78)가 반도체 장치(77)의 노출된 표면상에 형성될 수 있고, 반도체 장치를 통해 장치 영역으로 바이어스가 형성될 수 있으며, 상기 장치 영역과 상기 접촉 구조 사이에 배선(81, 82, 83)이 형성될 수 있다.
집적 장치, 반도체 장치, 본딩

10. 发明公开

KR1020020097203A 3차원 장치 집적 방법 및 집적 장치 有权
标题翻译： 3D设备集成方法和集成设备
公开(公告)号：KR1020020097203A
公开(公告)日：2002-12-31
申请号：KR1020027012459
申请日：2001-03-22
申请人： 집트로닉스, 인크.
发明人： 엔퀴스트,폴,엠.
IPC分类号： H01L21/50
摘要： 장치 집적 방법 및 집적 장치. 본 발명에 따른 방법은 기판(20)을 가진 반도체 장치(14)를 소자(10)에 직접 본딩하는 단계, 본딩 이후에 상기 반도체 장치의 나머지 부분을 노출시키기 위해 상기 기판의 일부를 제거하는 단계를 포함한다. 상기 소자는 열 확산, 임피던스 정합용 또는 RF 분리용으로 사용된 기판, 안테나, 및 수동 소자들로 구성되는 정합 회로망중 하나를 포함할 수 있다. 제2 열 확산 기판은 반도체 장치의 나머지 부분에 본딩될 수 있다. 배선(51)은 제1 또는 제2 기판을 통해 이루어질 수 있다. 본 방법은 또한 복수의 반도체 장치(165)를 소자(163)에 본딩시키는 단계를 포함할 수 있고, 소자는 반도체 장치가 배치되는 리세스(167)를 구비할 수 있다. 복수의 접촉 구조를 갖는 도전체 어레이(78)가 반도체 장치(77)의 노출된 표면상에 형성될 수 있고, 반도체 장치를 통해 장치 영역으로 바이어스가 형성될 수 있으며, 상기 장치 영역과 상기 접촉 구조 사이에 배선(81, 82, 83)이 형성될 수 있다.

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