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1. 发明专利

TW200939404A 非揮發性記憶體與邏輯電路之整合方法 METHOD FOR INTEGRATING NVM CIRCUITRY WITH LOGIC CIRCUITRY 审中-公开
简体标题：非挥发性内存与逻辑电路之集成方法 METHOD FOR INTEGRATING NVM CIRCUITRY WITH LOGIC CIRCUITRY
公开(公告)号：TW200939404A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW097137798
申请日：2008-10-01
申请人：飛思卡爾半導體公司 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：高利珊卡L 琴德洛 CHINDALORE, GOWRISHANKAR L.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28273 , B82Y10/00 , H01L21/28282 , H01L27/11526 , H01L27/11534 , H01L27/11536 , H01L27/11543 , H01L27/11573 , H01L29/42328 , H01L29/42332 , H01L29/42344 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7881 , H01L29/792
摘要：本發明提供一種用於整合非揮發性記憶體(NVM)電路(18)與邏輯電路(20)之方法。該方法包含沈積一在一基板(12)之NVM區域與邏輯區域之上之第一閘極材料層(16)。該方法進一步包含沉積多個相鄰的包括彼此層疊之氮化物、氧化物和氮化物(ARC層)之犧牲層(22、24、26)。該多個相鄰的犧牲層(22、24、26)被用於圖案化在該NVM區域中之一記憶體電晶體之一選擇閘極(16)和一控制閘極(32),而且該多個相鄰的犧牲層(22、24、26)之一ARC層(22)被用於圖案化一在該邏輯區域(20)中之一邏輯電晶體之閘極(16)。
简体摘要：本发明提供一种用于集成非挥发性内存(NVM)电路(18)与逻辑电路(20)之方法。该方法包含沉积一在一基板(12)之NVM区域与逻辑区域之上之第一闸极材料层(16)。该方法进一步包含沉积多个相邻的包括彼此层叠之氮化物、氧化物和氮化物(ARC层)之牺牲层(22、24、26)。该多个相邻的牺牲层(22、24、26)被用于图案化在该NVM区域中之一内存晶体管之一选择闸极(16)和一控制闸极(32),而且该多个相邻的牺牲层(22、24、26)之一ARC层(22)被用于图案化一在该逻辑区域(20)中之一逻辑晶体管之闸极(16)。

2. 发明专利

TW200936999A 機動系統之爆震信號偵測 KNOCK SIGNAL DETECTION IN AUTOMOTIVE SYSTEMS 审中-公开
简体标题：机动系统之爆震信号侦测 KNOCK SIGNAL DETECTION IN AUTOMOTIVE SYSTEMS
公开(公告)号：TW200936999A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097138301
申请日：2008-10-03
申请人：飛思卡爾半導體公司 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：卡畢P 派德喜 PADHI, KABI P. , 派崔克W 曼特 MENTER, PATRICK W.
IPC分类号： G01L , G06F
CPC分类号： G01L23/225
摘要：在本發明之一機動系統(300)中,提供用於偵測一內燃機內之爆震事件的一爆震偵測機制,該等爆震事件係藉由一傳感器結構感測,例如非侵入式聲波加速計感測器(310),以產生藉由一信號處理結構(312、316、318、326)處理之感測器信號資訊,該信號處理結構從該感測器信號資訊擷取數位信號參數以識別該數位信號資訊內之一預定縱搖頻率(330)及任何短時能量增加(328),其共同用於提供引擎爆震行為之一肯定指示。當一短時傅立葉轉換(324)用於擷取該等數位信號參數時,可藉由適當地視窗化所轉換之該數位信號而改善時間頻率解析度。
简体摘要：在本发明之一机动系统(300)中,提供用于侦测一内燃机内之爆震事件的一爆震侦测机制,该等爆震事件系借由一传感器结构传感,例如非侵入式声波加速计传感器(310),以产生借由一信号处理结构(312、316、318、326)处理之传感器信号信息,该信号处理结构从该传感器信号信息截取数码信号参数以识别该数码信号信息内之一预定纵摇频率(330)及任何短时能量增加(328),其共同用于提供发动机爆震行为之一肯定指示。当一短时傅里叶转换(324)用于截取该等数码信号参数时,可借由适当地窗口化所转换之该数码信号而改善时间频率分辨率。

3. 发明专利

TW200933855A 電子總成製造方法 ELECTRONIC ASSEMBLY MANUFACTURING METHOD 审中-公开
简体标题：电子总成制造方法 ELECTRONIC ASSEMBLY MANUFACTURING METHOD
公开(公告)号：TW200933855A
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW097148059
申请日：2008-12-10
申请人：飛思卡爾半導體公司 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：威廉H 利朶 LYTLE, WILLIAM H. , 克雷格S 安林 AMRINE, CRAIG S.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/568 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2221/68318 , H01L2221/68345 , H01L2224/04105 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01021 , H01L2924/01033 , H01L2924/01073 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/3511 , Y10S269/903 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T156/1116 , H01L2924/00
摘要：本發明說明一種用於製造電子總成(52)之方法。以一塑膠矩陣(43)保持之電子晶粒(36)形成電子總成(52)之一部分完成面板(35)。該面板(35)係以黏著方式安裝於具有穿過其之多個孔(22)的一陶瓷載體(20)上。將導電內連線(38-1、38-2等)及其他層敷設於面板(50),使其等耦合至該晶粒(36)上之電接點及該面板(50)的外部電接點(39-1)。該面板(50)與該載體(20)經分離而且該面板經切割用以使該等製成電子總成(52)離型。聚矽氧係一較佳黏著劑(27),而且使用穿透該載體(20)中之該等孔(22)至該黏著劑(27)的一非極性溶劑(70)予以溶解。使用一轉移黏著劑夾層(24)優先施加該黏著劑(27),即,該轉移黏著劑夾層(24)係在可與該黏著劑(27)剝離之任一側上具有可移除塑膠薄片(25、26)之一黏著劑層(27)。此促進處理並適當地定位該黏著劑(27)於該載體(20)上,以有效率地以低成本製造該等總成(52)。
简体摘要：本发明说明一种用于制造电子总成(52)之方法。以一塑胶矩阵(43)保持之电子晶粒(36)形成电子总成(52)之一部分完成皮肤(35)。该皮肤(35)系以黏着方式安装于具有穿过其之多个孔(22)的一陶瓷载体(20)上。将导电内连接(38-1、38-2等)及其他层敷设于皮肤(50),使其等耦合至该晶粒(36)上之电接点及该皮肤(50)的外部电接点(39-1)。该皮肤(50)与该载体(20)经分离而且该皮肤经切割用以使该等制成电子总成(52)离型。聚硅氧系一较佳黏着剂(27),而且使用穿透该载体(20)中之该等孔(22)至该黏着剂(27)的一非极性溶剂(70)予以溶解。使用一转移黏着剂夹层(24)优先施加该黏着剂(27),即,该转移黏着剂夹层(24)系在可与该黏着剂(27)剥离之任一侧上具有可移除塑胶薄片(25、26)之一黏着剂层(27)。此促进处理并适当地定位该黏着剂(27)于该载体(20)上,以有效率地以低成本制造该等总成(52)。

4. 发明专利

TW200929631A 相位變化記憶體結構 PHASE CHANGE MEMORY STRUCTURES 审中-公开
简体标题：相位变化内存结构 PHASE CHANGE MEMORY STRUCTURES
公开(公告)号：TW200929631A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097131929
申请日：2008-08-21
申请人：飛思卡爾半導體公司 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：拉瑪琴倫慕瑞黎赫 MURALIDHAR, RAMACHANDRAN , 圖沙P 莫錢特 MERCHANT, TUSHAR P. , 拉傑許A 羅 RAO, RAJESH A.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/1675 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/148
摘要：本發明提供一種相變記憶體單元(1311),其具有一第一電極、一加熱器(1505)、一相變材料及一第二電極。該加熱器(1505)係在該第一電極之上,且該加熱器包含一柱。該相變材料(1701)圍繞該加熱器。該第二電極係電耦合至該相變材料。在一些實施例中,一種方法包括:在一基板上形成一電極層;沈積一第一層;在該第一層上提供奈米簇(1411);及蝕刻該第一層。該第一層包含由一加熱器材料及一相變材料組成之一群的一者。該第一層可使用奈米簇(1411)界定之圖案而蝕刻以自該第一層形成柱。
简体摘要：本发明提供一种相变内存单元(1311),其具有一第一电极、一加热器(1505)、一相变材料及一第二电极。该加热器(1505)系在该第一电极之上,且该加热器包含一柱。该相变材料(1701)围绕该加热器。该第二电极系电耦合至该相变材料。在一些实施例中,一种方法包括:在一基板上形成一电极层;沉积一第一层;在该第一层上提供奈米簇(1411);及蚀刻该第一层。该第一层包含由一加热器材料及一相变材料组成之一群的一者。该第一层可使用奈米簇(1411)界定之图案而蚀刻以自该第一层形成柱。

5. 发明专利

TW200929506A 積體電路晶粒封裝之電磁遮蔽結構 ELECTROMAGNETIC SHIELD FORMATION FOR INTEGRATED CIRCUIT DIE PACKAGE 审中-公开
简体标题：集成电路晶粒封装之电磁屏蔽结构 ELECTROMAGNETIC SHIELD FORMATION FOR INTEGRATED CIRCUIT DIE PACKAGE
公开(公告)号：TW200929506A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097137045
申请日：2008-09-25
申请人：飛思卡爾半導體公司 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：唐經邦 TANG, JINBANG , 戴洛菲爾 FREAR, DARREL , 林仲愷 LIN, JONG-KAI , 馬克A 曼格倫 MANGRUM, MARC A. , 羅伯E 布斯 BOOTH, ROBERT E. , 羅倫斯N 赫 HERR, LAWRENCE N. , 肯尼斯R 布奇 BURCH, KENNETH R.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2924/14 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：一種用於積體電路封裝器件的電磁遮蔽。該方法包括藉由在一囊封的結構中形成開口(401、403)來形成遮蔽結構。以圍繞至少一晶粒的導電材料來填充該等開口。該囊封的結構可包括複數個積體電路晶粒(169)。在該囊封的結構之一側上形成一成層的再分配結構。
简体摘要：一种用于集成电路封装器件的电磁屏蔽。该方法包括借由在一囊封的结构中形成开口(401、403)来形成屏蔽结构。以围绕至少一晶粒的导电材料来填充该等开口。该囊封的结构可包括复数个集成电路晶粒(169)。在该囊封的结构之一侧上形成一成层的再分配结构。

6. 发明专利

TW200923379A 具有減少電流洩漏之半導體裝置測試系統 SEMICONDUCTOR DEVICE TEST SYSTEM HAVING REDUCED CURRENT LEAKAGE 审中-公开
简体标题：具有减少电流泄漏之半导体设备测试系统 SEMICONDUCTOR DEVICE TEST SYSTEM HAVING REDUCED CURRENT LEAKAGE
公开(公告)号：TW200923379A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW097127998
申请日：2008-07-23
申请人：飛思卡爾半導體公司 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：布萊利P 史密斯 SMITH, BRADLEY P.
IPC分类号： G01R
CPC分类号： G01R31/3163 , G01R31/2601 , G01R31/2621
摘要：本發明提供一種測試電路(10),其使用一第一切換裝置(38、58)及一第二切換裝置(42、62)以測試一被測裝置(DUT)(30、50、90、92)。該被測裝置(DUT)具有一終端用以接收一測試信號(汲極力)。該第一切換裝置(38、58)具有一輸出終端以用於當該DUT被測試時將該測試信號(汲極力)耦合至該DUT(30、50、90、92)的該終端。該第一切換裝置(38、58)在該DUT未被測試時係為高阻抗。該第二切換裝置(42、62)在該DUT被測試時係為高阻抗,且在該DUT未被測試時將一偏壓控制信號(汲極洩漏)耦合至該第一切換裝置(38、58)的輸出終端。該偏壓控制信號實質上追蹤該測試信號。當其他DUT被測試時,自第一切換裝置的洩漏被大大減少,因為該偏壓控制信號導致跨該第一切換裝置有很小或根本沒有偏壓。
简体摘要：本发明提供一种测试电路(10),其使用一第一切换设备(38、58)及一第二切换设备(42、62)以测试一被测设备(DUT)(30、50、90、92)。该被测设备(DUT)具有一终端用以接收一测试信号(汲极力)。该第一切换设备(38、58)具有一输出终端以用于当该DUT被测试时将该测试信号(汲极力)耦合至该DUT(30、50、90、92)的该终端。该第一切换设备(38、58)在该DUT未被测试时系为高阻抗。该第二切换设备(42、62)在该DUT被测试时系为高阻抗,且在该DUT未被测试时将一偏压控制信号(汲极泄漏)耦合至该第一切换设备(38、58)的输出终端。该偏压控制信号实质上追踪该测试信号。当其他DUT被测试时,自第一切换设备的泄漏被大大减少,因为该偏压控制信号导致跨该第一切换设备有很小或根本没有偏压。

7. 发明专利

TWI309771B 用於控制一資料處理系統中作業參數及/或記憶體存取時序之管理方法及/或相關資料處理系統 MANAGING METHOD FOR CONTROLLING OPERATING PARAMETER AND/OR MEMORY ACCESS TIMING IN A DATA PROCESSING SYSTEM AND/OR RELEVANT DATA PROCESSING SYSTEM 有权
简体标题：用于控制一数据处理系统中作业参数及/或内存存取时序之管理方法及/或相关数据处理系统 MANAGING METHOD FOR CONTROLLING OPERATING PARAMETER AND/OR MEMORY ACCESS TIMING IN A DATA PROCESSING SYSTEM AND/OR RELEVANT DATA PROCESSING SYSTEM
公开(公告)号：TWI309771B
公开(公告)日：2009-05-11
申请号：TW092135578
申请日：2003-12-16
申请人：飛思卡爾半導體公司 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：威廉C 莫爾 MOYER, WILLIAM C. , 雷馬歇爾 MARSHALL, RAY
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G06F12/0292 , G06F12/0692 , Y02D10/13
摘要：本發明揭示一種資料處理系統(10)中之記憶體管理,係藉由使用一或多個時序位元(54)以指定一記憶體(18、19、34)之一時序參數而實現。為了在本發明一些具體實施例中實施此點,一記憶體陣列(32、33、42)係在處理器(12)之實體記憶體映圖(70)中進行多重映射,且與該多重映射關聯之位址位元(54)係用以直接控制該等記憶體陣列(32、33、42)之時序參數。此點允許欲基於逐個存取快速導出而不需要任何額外控制儲存開銷之靈活時序規格。
简体摘要：本发明揭示一种数据处理系统(10)中之内存管理,系借由使用一或多个时序比特(54)以指定一内存(18、19、34)之一时序参数而实现。为了在本发明一些具体实施例中实施此点,一内存数组(32、33、42)系在处理器(12)之物理内存映图(70)中进行多重映射,且与该多重映射关联之位址比特(54)系用以直接控制该等内存数组(32、33、42)之时序参数。此点允许欲基于逐个存取快速导出而不需要任何额外控制存储开销之灵活时序规格。

8. 发明专利

TW200917376A 使用原位磊晶生長形成的源極/汲極壓力層 SOURCE/DRAIN STRESSORS FORMED USING IN-SITU EPITAXIAL GROWTH 审中-公开
简体标题：使用原位磊晶生长形成的源极/汲极压力层 SOURCE/DRAIN STRESSORS FORMED USING IN-SITU EPITAXIAL GROWTH
公开(公告)号：TW200917376A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097122449
申请日：2008-06-16
申请人：飛思卡爾半導體公司 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：布萊恩A 溫斯提 WINSTEAD, BRIAN A. , 韋蕭P 崔維帝 TRIVEDI, VISHAL P. , 張達 ZHANG, DA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L29/165 , H01L29/517 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/78
摘要：本發明提供了一種用於形成一半導體裝置(10)的方法。該方法包括形成一半導體層(16)。該方法進一步包括在該半導體層(16)上形成一閘結構(22)。該方法進一步包括形成一高k(高電介質常數)側壁間隔層(24)相鄰於該閘結構。該方法進一步包括在該半導體層(16)中形成一凹槽(26,28),該凹槽對準於該高k側壁間隔層(24)。該方法進一步包括在該凹槽中形成一原位摻雜磊晶材料(30,32),該磊晶材料具有一與該半導體層(16)之晶格常數不同的自然晶格常數,以在半導體裝置(10)之一通道區域中建立應力。
简体摘要：本发明提供了一种用于形成一半导体设备(10)的方法。该方法包括形成一半导体层(16)。该方法进一步包括在该半导体层(16)上形成一闸结构(22)。该方法进一步包括形成一高k(高电介质常数)侧壁间隔层(24)相邻于该闸结构。该方法进一步包括在该半导体层(16)中形成一凹槽(26,28),该凹槽对准于该高k侧壁间隔层(24)。该方法进一步包括在该凹槽中形成一原位掺杂磊晶材料(30,32),该磊晶材料具有一与该半导体层(16)之晶格常数不同的自然晶格常数,以在半导体设备(10)之一信道区域中创建应力。

9. 发明专利

TWI307155B 瞬態偵測電路 TRANSIENT DETECTION CIRCUIT 有权
简体标题：瞬态侦测电路 TRANSIENT DETECTION CIRCUIT
公开(公告)号：TWI307155B
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW092125083
申请日：2003-09-10
申请人：飛思卡爾半導體公司 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：麥克史塔金哲 MICHAEL STOCKINGER , 詹姆斯W. 米勒 JAMES W. MILLER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0285 , H01L27/0251 , H01L2924/0002 , H03K17/223 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種可用於一靜電放電(ESD)箝位電路中的瞬態偵測電路(405)。該瞬態偵測電路包括一濾波電路及一反相電路(408)。該反相電路之電壓開關點具有一偏離其中一節點之恒定電壓偏移量。當一來自該濾波電路之已濾波電壓位準通過該反相電路之電壓開關點(指示一ESD事件)時,該反相電路提供一指示一ESD事件之信號。
简体摘要：本发明揭示一种可用于一静电放电(ESD)箝位电路中的瞬态侦测电路(405)。该瞬态侦测电路包括一滤波电路及一反相电路(408)。该反相电路之电压开关点具有一偏离其中一节点之恒定电压偏移量。当一来自该滤波电路之已滤波电压位准通过该反相电路之电压开关点(指示一ESD事件)时,该反相电路提供一指示一ESD事件之信号。

10. 发明专利

TW200908176A 功率型晶片上引線之球柵陣列封裝 POWER LEAD-ON-CHIP BALL GRID ARRAY PACKAGE 审中-公开
简体标题：功率型芯片上引线之球栅数组封装 POWER LEAD-ON-CHIP BALL GRID ARRAY PACKAGE
公开(公告)号：TW200908176A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097117315
申请日：2008-05-09
申请人：飛思卡爾半導體公司 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：詹姆斯P 强斯頓 JOHNSTON, JAMES P. , 李助忠 LEE, CHU CHUNG , 杜安N 川恩 TRAN, TU-ANH N. , 詹姆士W 米勒 MILLER, JAMES W. , 凱文J 海斯 HESS, KEVIN J.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/49816 , H01L23/3128 , H01L23/4951 , H01L23/49833 , H01L23/50 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L24/91 , H01L2224/24226 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48235 , H01L2224/48471 , H01L2224/49175 , H01L2224/49433 , H01L2224/4945 , H01L2224/85191 , H01L2224/85201 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15184 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012 , H01L2224/4554
摘要：形成一種封裝裝配件(30),例如一球柵陣列封裝,其藉由使用一囊封圖案化引線框架導體(59)橫跨一積體電路晶粒(52)之一內部區域分配功率,該導體(59)係佈置在該晶粒(52)上且接合至形成於一BGA載體基板(42)及該內部晶粒區域中的複數個接合墊(45),從而電耦合該內部晶粒區域至一外部提供之參考電壓。
简体摘要：形成一种封装装配件(30),例如一球栅数组封装,其借由使用一囊封图案化引线框架导体(59)横跨一集成电路晶粒(52)之一内部区域分配功率,该导体(59)系布置在该晶粒(52)上且接合至形成于一BGA载体基板(42)及该内部晶粒区域中的复数个接合垫(45),从而电耦合该内部晶粒区域至一外部提供之参考电压。

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