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1. 发明专利

TW200640037A 發光二極體結構及其製造方法 STRUCTURE OF LIGHT-EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：发光二极管结构及其制造方法 STRUCTURE OF LIGHT-EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200640037A
公开(公告)日：2006-11-16
申请号：TW094115424
申请日：2005-05-12
申请人：聯銓科技股份有限公司 EPITECH CORPORATION, LTD.
发明人：朱長信 CHU, CHANGHSING , 余國輝 YU, KUIHUI , 陳錫銘 CHEN, SHIMING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/642 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/641
摘要：一種發光二極體結構以及其製造方法，其中此一發光二極體結構至少包括：磊晶結構、粘著層、以及複式基材。粘著層係位於磊晶結構之一側。複式基材係藉由粘著層與磊晶結構相互結合。複式基材至少包括：圖案化矽層以及金屬層。其中圖案化矽層具有複數個貫穿開口；金屬層係覆蓋於該圖案化矽層之上，且有一部份包埋於該些個貫穿開口之內，並且與粘著層接觸。
简体摘要：一种发光二极管结构以及其制造方法，其中此一发光二极管结构至少包括：磊晶结构、粘着层、以及复式基材。粘着层系位于磊晶结构之一侧。复式基材系借由粘着层与磊晶结构相互结合。复式基材至少包括：图案化硅层以及金属层。其中图案化硅层具有复数个贯穿开口；金属层系覆盖于该图案化硅层之上，且有一部份包埋于该些个贯穿开口之内，并且与粘着层接触。

2. 发明专利

TW200607120A 可見光發光二極體之透明電極的製作方法 FABRICATION METHOD OF TRASPARAENT ELECTRODE ON VISIBLE LIGHT-EMITTING DIODE 审中-公开
简体标题：可见光发光二极管之透明电极的制作方法 FABRICATION METHOD OF TRASPARAENT ELECTRODE ON VISIBLE LIGHT-EMITTING DIODE
公开(公告)号：TW200607120A
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：TW093124113
申请日：2004-08-11
申请人：聯銓科技股份有限公司 EPITECH CORPORATION, LTD.
发明人：應澤亮 YING, TSELIANG , 陳錫銘 CHEN, SHI MING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/42 , Y10S438/956
摘要：一種可見光發光二極體(LED)之透明電極之製作方法，至少包括：提供一可見光發光二極體元件，包括一基板、一磊晶結構以及一金屬電極，其中金屬電極與磊晶結構分別位於基板的相異兩側，或相同一側。於磊晶結構之一表面上形成歐姆金屬層。之後，對歐姆金屬層進行一高溫退火處理。移除歐姆金屬層，以暴露出磊晶結構之表面。接著，於磊晶結構所暴露出之表面上形成一透明電極層。最後於透明電極層之上形成一金屬墊。
简体摘要：一种可见光发光二极管(LED)之透明电极之制作方法，至少包括：提供一可见光发光二极管组件，包括一基板、一磊晶结构以及一金属电极，其中金属电极与磊晶结构分别位于基板的相异两侧，或相同一侧。于磊晶结构之一表面上形成欧姆金属层。之后，对欧姆金属层进行一高温退火处理。移除欧姆金属层，以暴露出磊晶结构之表面。接着，于磊晶结构所暴露出之表面上形成一透明电极层。最后于透明电极层之上形成一金属垫。

3. 发明专利

TW200605382A 發光元件及其製造方法 LIGHTENING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：发光组件及其制造方法 LIGHTENING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200605382A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：TW093121797
申请日：2004-07-21
申请人：聯銓科技股份有限公司 EPITECH CORPORATION, LTD.
发明人：朱長信 CHU, CHANGHSING , 余國輝 YU, KUIHUI , 陳錫銘 CHEN, SHI MING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L2933/0016
摘要：本發明揭露一種發光元件及其製造方法，至少包括如下步驟。首先，依序形成第一電性半導體層、主動層以及第二電性半導體層之磊晶結構。其次，移除部分磊晶結構，以形成平台結構，再形成透明接觸層於其上，而平台結構上之第一電性半導體層、主動層、第二電性半導體層與透明接觸層則形成堆疊結構。然後，形成保護層覆蓋堆疊結構以及與之相鄰的第一電性半導體層之第一部分。再移除部分保護層，以暴露出部分透明接觸層，再形成第二電性電極於其上。最後，延伸第二電性電極至位於第一電性半導體層之第一部分上之保護層上，以形成保護環。
简体摘要：本发明揭露一种发光组件及其制造方法，至少包括如下步骤。首先，依序形成第一电性半导体层、主动层以及第二电性半导体层之磊晶结构。其次，移除部分磊晶结构，以形成平台结构，再形成透明接触层于其上，而平台结构上之第一电性半导体层、主动层、第二电性半导体层与透明接触层则形成堆栈结构。然后，形成保护层覆盖堆栈结构以及与之相邻的第一电性半导体层之第一部分。再移除部分保护层，以暴露出部分透明接触层，再形成第二电性电极于其上。最后，延伸第二电性电极至位于第一电性半导体层之第一部分上之保护层上，以形成保护环。

4. 发明专利

TWI244770B 發光二極體有权
简体标题：发光二极管
公开(公告)号：TWI244770B
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：TW091100631
申请日：2002-01-16
申请人：聯銓科技股份有限公司 EPITECH CORPORATION LTD. , 陳錫銘 CHEN, SHI MING
发明人：陳錫銘 CHEN, SHI MING , 汪信全
IPC分类号： H01L
摘要：一種高亮度發光二極體，本發明係揭露利用p型磷化鎵銦歐姆接觸層，或具有1018cm-3以上的n型或p型高摻雜濃度的短週期超晶格薄層做為氧化電極接觸層。利用上述以特殊材料構成的氧化電極接觸層，經適當調整其中銦成分的組成，可使吸光量減小且p型濃度大幅提高，而提高發光二極體的亮度並減小其順向電壓降。另外，本發明更揭露具有網狀或柱狀圖案的氧化電極接觸層，藉以暴露出部分的電流分散層，在不影響接觸電阻及順向電壓的情況下，使吸光的面積減少，進而提高發光二極體的光輸出強度。
简体摘要：一种高亮度发光二极管，本发明系揭露利用p型磷化镓铟欧姆接触层，或具有1018cm-3以上的n型或p型高掺杂浓度的短周期超晶格薄层做为氧化电极接触层。利用上述以特殊材料构成的氧化电极接触层，经适当调整其中铟成分的组成，可使吸光量减小且p型浓度大幅提高，而提高发光二极管的亮度并减小其顺向电压降。另外，本发明更揭露具有网状或柱状图案的氧化电极接触层，借以暴露出部分的电流分散层，在不影响接触电阻及顺向电压的情况下，使吸光的面积减少，进而提高发光二极管的光输出强度。

5. 发明专利

TW200515623A 發光元件及其製造方法 LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 失效
简体标题：发光组件及其制造方法 LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200515623A
公开(公告)日：2005-05-01
申请号：TW092130584
申请日：2003-10-31
申请人：聯銓科技股份有限公司 EPITECH CORPORATION LTD. , 陳錫銘 CHEN, SHI MING
发明人：魏世禎 WEI, SHIHCHEN , 薛永鑫 SHIE, YUNGHSIN , 李玟良 LI, WEN LIANG , 陳錫銘 CHEN, SHI MING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/155 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/04 , H01L33/12
摘要：一種發光元件及其製造方法，其係在基板與發光磊晶結構之未摻雜氮化鎵(GaN)之間形成氮化矽(SiN)／氮化鋁銦鎵(Al1-x-yInxGayN)(0≦x≦1，0≦y≦1，x＋y≦1)超晶格層來作為緩衝層，以降低緩衝層之缺陷(Dislocation)密度。其中，氮化矽／氮化鋁銦鎵(Al1-x-yInxGayN)(0≦x≦1，0≦y≦1，x＋y≦1)超晶格緩衝層中之氮化鋁銦鎵(Al1-x-yInxGayN)(0≦x≦1，0≦y≦1，x＋y≦1)可以為n型、p型或未摻雜。
简体摘要：一种发光组件及其制造方法，其系在基板与发光磊晶结构之未掺杂氮化镓(GaN)之间形成氮化硅(SiN)／氮化铝铟镓(Al1-x-yInxGayN)(0≦x≦1，0≦y≦1，x＋y≦1)超晶格层来作为缓冲层，以降低缓冲层之缺陷(Dislocation)密度。其中，氮化硅／氮化铝铟镓(Al1-x-yInxGayN)(0≦x≦1，0≦y≦1，x＋y≦1)超晶格缓冲层中之氮化铝铟镓(Al1-x-yInxGayN)(0≦x≦1，0≦y≦1，x＋y≦1)可以为n型、p型或未掺杂。

6. 发明专利

TW591811B 混色發光二極體有权
简体标题：混色发光二极管
公开(公告)号：TW591811B
公开(公告)日：2004-06-11
申请号：TW092103249
申请日：2003-02-17
申请人：聯銓科技股份有限公司 EPITECH CORPORATION LTD. , 陳錫銘 CHEN, SHI MING
发明人：陳錫銘 CHEN, SHI MING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0756 , H01L25/0753 , H01L2224/48091 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：一種混色發光二極體(Light Emitting Diode)。本發明之特徵為將可發出不同顏色之數個發光二極體晶片以晶片製造串聯且/或並聯以產生其它色光。例如，第一發光二極體晶片組可發出例如黃色光(或改變為紅橙色光)，而第二發光二極體晶片可發出例如藍色光(或改變為藍綠色光)，因而使本發明之混色發光二極體可發出例如白色光。此外，第一發光二極體晶片組可為光激發光二極體晶片，藉以使第二發光二極體晶片可被第一發光二極體晶片發出的光激發而發光，然後再與第二發光二極體晶片發出的光混合成其它色光。
简体摘要：一种混色发光二极管(Light Emitting Diode)。本发明之特征为将可发出不同颜色之数个发光二极管芯片以芯片制造串联且/或并联以产生其它色光。例如，第一发光二极管芯片组可发出例如黄色光(或改变为红橘子色光)，而第二发光二极管芯片可发出例如蓝色光(或改变为蓝绿色光)，因而使本发明之混色发光二极管可发出例如白色光。此外，第一发光二极管芯片组可为光激发光二极管芯片，借以使第二发光二极管芯片可被第一发光二极管芯片发出的光激发而发光，然后再与第二发光二极管芯片发出的光混合成其它色光。

7. 发明专利

TW200408144A 橫向電流阻障發光二極體及其製造方法 LATERAL CURRENT BLOCKING LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF MAKING THE SAME 审中-公开
简体标题：横向电流阻障发光二极管及其制造方法 LATERAL CURRENT BLOCKING LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF MAKING THE SAME
公开(公告)号：TW200408144A
公开(公告)日：2004-05-16
申请号：TW091133203
申请日：2002-11-12
申请人：聯銓科技股份有限公司 EPITECH CORPORATION, LTD.
发明人：陳錫銘 CHEN, SHI MING , 林俊良 LIN, CHUING LIANG , 陳文彬 CHEN, WEN BIN , 蘇炎坤 SU, YEN KUN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/145
摘要：一種橫向電流阻障發光二極體(LightEmittingDiode；LED)及其製造方法。本發明之結構與製造方法之特徵在於，利用蝕刻等技術在發光二極體之兩電極間形成凹槽，且此凹槽之深度至少達到主動層，藉以阻障兩電極間之橫向電流。運用本發明之橫向電流阻障發光二極體及其製造方法，可藉以增加電流經過主動層的機率，因而提高LED之亮度；以及可提高主動層產生的光子經由凹槽之側面逸出的機會，藉以增加主動層所產生的光子之輸出效率。
简体摘要：一种横向电流阻障发光二极管(LightEmittingDiode；LED)及其制造方法。本发明之结构与制造方法之特征在于，利用蚀刻等技术在发光二极管之两电极间形成凹槽，且此凹槽之深度至少达到主动层，借以阻障两电极间之横向电流。运用本发明之横向电流阻障发光二极管及其制造方法，可借以增加电流经过主动层的概率，因而提高LED之亮度；以及可提高主动层产生的光子经由凹槽之侧面逸出的机会，借以增加主动层所产生的光子之输出效率。

8. 发明专利

TW578319B 具抗反射層之發光二極體及其製造方法有权
简体标题：具抗反射层之发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TW578319B
公开(公告)日：2004-03-01
申请号：TW092101514
申请日：2003-01-23
申请人：聯銓科技股份有限公司 EPITECH CORPORATION, LTD.
发明人：陳錫銘 CHEN, SHI MING , 李玟良 LI, WEN LIANG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/44
摘要：一種具抗反射層之發光二極體及其製造方法。本發明之特徵為，於發光二極體的視窗層上形成抗反射層，藉以減少發光二極體所產生的光子在視窗層與空氣的接面處被全反射的機會。本發明中形成上述抗反射層之方法例如可為電漿增益化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；PECVD)、濺鍍(Sputtering)、熱蒸鍍(Thermal Evaporation)、或電子束蒸鍍(Electron-Beam Evaporation)。再者，上述抗反射層之折射係數(Refractive Index)介於3至1.5間，且此抗反射層之材質例如可為氮化矽(Si3N4)或硒化鋅(ZnSe)等。伍、(一)、本案代表圖為：第＿＿＿2＿＿＿＿圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：
110基板 120緩衝層
130第一電性侷限層 140主動層
150第二電性侷限層 160視窗層
170第二電性歐姆金屬電極
180第一電性歐姆金屬電極 190抗反射層
简体摘要：一种具抗反射层之发光二极管及其制造方法。本发明之特征为，于发光二极管的窗口层上形成抗反射层，借以减少发光二极管所产生的光子在窗口层与空气的接面处被全反射的机会。本发明中形成上述抗反射层之方法例如可为等离子增益化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；PECVD)、溅镀(Sputtering)、热蒸镀(Thermal Evaporation)、或电子束蒸镀(Electron-Beam Evaporation)。再者，上述抗反射层之折射系数(Refractive Index)介于3至1.5间，且此抗反射层之材质例如可为氮化硅(Si3N4)或硒化锌(ZnSe)等。伍、(一)、本案代表图为：第＿＿＿2＿＿＿＿图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明： 110基板 120缓冲层 130第一电性局限层 140主动层 150第二电性局限层 160窗口层 170第二电性欧姆金属电极 180第一电性欧姆金属电极 190抗反射层

9. 发明专利

TWI276230B 發光二極體之結構及其製造方法有权
简体标题：发光二极管之结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI276230B
公开(公告)日：2007-03-11
申请号：TW090130035
申请日：2001-12-04
申请人：聯銓科技股份有限公司 EPITECH CORPORATION, LTD. , 陳錫銘 CHEN, SHI MING
发明人：陳錫銘 CHEN, SHI MING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/0033
摘要：一種發光二極體之結構及其製造方法，該發光二極體之結構的製造方法至少包括：提供基板；於基板上依序形成緩衝層、第一夾層、主動層、第二夾層和視窗層；形成第一金屬電極於基板下；形成第二金屬電極於視窗層上，且第二金屬電極與視窗層之間形成蕭特基接觸(Schottky Contact)；形成第三金屬電極於第二金屬電極上，且第三金屬電極具有高熔點；形成第四金屬電極於第三金屬電極與視窗層上，且第四金屬電極與視窗層之間形成歐姆接觸(Ohmic Contact)；以及形成第五金屬電極於第四金屬電極上，且第五金屬電極與金屬線間具有良好的黏性(Adhesion)，且當上述之基板、緩衝層和第一夾層為n型或 p型導電型時，第二夾層和視窗層則具有與其相反的導電型。由於第二金屬電極與視窗層之間形成蕭特基接觸，可有效阻擋注入載子的前進，更由於第三金屬電極阻隔在第二金屬電極與第四金屬電極間，藉高熔點阻擋第四金屬電極的成份擴散到第二金屬電極，避免影響第二金屬電極與第二導電型視窗層所形成的蕭特基特性，因此可提升發光二極體的發光效率。
简体摘要：一种发光二极管之结构及其制造方法，该发光二极管之结构的制造方法至少包括：提供基板；于基板上依序形成缓冲层、第一夹层、主动层、第二夹层和窗口层；形成第一金属电极于基板下；形成第二金属电极于窗口层上，且第二金属电极与窗口层之间形成萧特基接触(Schottky Contact)；形成第三金属电极于第二金属电极上，且第三金属电极具有高熔点；形成第四金属电极于第三金属电极与窗口层上，且第四金属电极与窗口层之间形成欧姆接触(Ohmic Contact)；以及形成第五金属电极于第四金属电极上，且第五金属电极与金属线间具有良好的黏性(Adhesion)，且当上述之基板、缓冲层和第一夹层为n型或 p型导电型时，第二夹层和窗口层则具有与其相反的导电型。由于第二金属电极与窗口层之间形成萧特基接触，可有效阻挡注入载子的前进，更由于第三金属电极阻隔在第二金属电极与第四金属电极间，藉高熔点阻挡第四金属电极的成份扩散到第二金属电极，避免影响第二金属电极与第二导电型窗口层所形成的萧特基特性，因此可提升发光二极管的发光效率。

10. 发明专利

TW200527709A 發光二極體之封裝 A PACKAGING OF A LIGHT EMITTING DIODE 审中-公开
简体标题：发光二极管之封装 A PACKAGING OF A LIGHT EMITTING DIODE
公开(公告)号：TW200527709A
公开(公告)日：2005-08-16
申请号：TW093103570
申请日：2004-02-13
申请人：聯銓科技股份有限公司 EPITECH CORPORATION LTD. , 陳錫銘 CHEN, SHI MING
发明人：陳錫銘 CHEN, SHI MING
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭露一種發光二極體之封裝。在發光二極體之封裝結構的軸向設計一凹穴，以控制軸向光的光輸出大小，可達到均勻發光二極體之光輸出的目的。其中，此凹穴的形狀可以是一個上下底面積不同之圓柱體，或為一個具有弧度曲面之側面、上下底面積不同之圓柱體，或為一個倒圓錐體。
简体摘要：本发明揭露一种发光二极管之封装。在发光二极管之封装结构的轴向设计一凹穴，以控制轴向光的光输出大小，可达到均匀发光二极管之光输出的目的。其中，此凹穴的形状可以是一个上下底面积不同之圆柱体，或为一个具有弧度曲面之侧面、上下底面积不同之圆柱体，或为一个倒圆锥体。

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