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1. 发明专利

TWI313460B 用以利用非揮發性浮動閘極記憶體單元以模擬電氣可抹除可程式化唯讀記憶體之方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR EMULATING AN ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (EEPROM) USING NON-VOLATILE FLOATING GATE MEMORY CELLS 有权
简体标题：用以利用非挥发性浮动闸极内存单元以仿真电气可抹除可进程化唯读内存之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR EMULATING AN ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (EEPROM) USING NON-VOLATILE FLOATING GATE MEMORY CELLS
公开(公告)号：TWI313460B
公开(公告)日：2009-08-11
申请号：TW093100538
申请日：2004-01-09
申请人：伊姆辛美國有限公司 EMOSYN AMERICA, INC.
发明人：大衛蘇沃德 SOWARDS, DAVID , 特利弗比利斯 BLYTH, TREVOR , 珊尼C 哈默 HOLLMER, SHANE C.
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/0408 , G11C16/0425 , G11C16/08
摘要：本發明揭示一種基於非揮發性浮動閘極記憶體單元(譬如快閃記憶體單元(Flash cell))的模擬EEPROM(電氣可抹除可程式化唯讀記憶體)記憶體陣列,其中一小組位元群共用一共同源極線及多條共同列線,如此以使得該小組位元群可在程式及抹除模式期間充當一用以控制程式干擾及有效持續時間之問題的位元群。共同使用該共用源極線之該等位元構成模擬之EEPROM頁面,該頁面為無需干擾其他位元即可被抹除及重新程式化的最小單元。將該記憶體陣列實體上分成多個行群。一實施例使用四個記憶體陣列,每個陣列由32行及512個頁面列組成(所有四個陣列提供之頁面總數為1024個,其中每個頁面具有8個位元組或64個位元)。一全域列解碼器(global row decoder)對主要列進行解碼,且一頁面列驅動器及一頁面源極驅動器啓用構成一特定陣列的個別列及源極。基於待存取之位址及存取模式(抹除、程式或讀取),藉由一頁面列/源極供給解碼器對該等列驅動器及頁面源極驅動器進行解碼。
简体摘要：本发明揭示一种基于非挥发性浮动闸极内存单元(譬如闪存单元(Flash cell))的仿真EEPROM(电气可抹除可进程化唯读内存)内存数组,其中一小组比特群共享一共同源极线及多条共同列线,如此以使得该小组比特群可在进程及抹除模式期间充当一用以控制进程干扰及有效持续时间之问题的比特群。共同使用该共享源极线之该等比特构成仿真之EEPROM页面,该页面为无需干扰其他比特即可被抹除及重新进程化的最小单元。将该内存数组实体上分成多个行群。一实施例使用四个内存数组,每个数组由32行及512个页面列组成(所有四个数组提供之页面总数为1024个,其中每个页面具有8个字节或64个比特)。一全域列译码器(global row decoder)对主要列进行译码,且一页面列驱动器及一页面源极驱动器启用构成一特定数组的个别列及源极。基于待存取之位址及存取模式(抹除、进程或读取),借由一页面列/源极供给译码器对该等列驱动器及页面源极驱动器进行译码。

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