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    • 5. 发明申请
    • SENSORVORRICHTUNG ZUR MAGNETFELDMESSUNG MITTELS OPTISCHER MAGNETRESONANZMESSUNG
    • WO2022207480A1
    • 2022-10-06
    • PCT/EP2022/057882
    • 2022-03-25
    • ROBERT BOSCH GMBH
    • FUCHS, Tino
    • G01N24/00G01R33/26G01R33/32G01R33/381G01N24/006G01R33/323
    • Um eine Sensorvorrichtung zur Magnetfeldmessung mittels optischer Magnetresonanzmessung bereitzustellen, welche gegenüber bekannten Vorrichtungen eine verringerte Baugröße und reduzierte Herstellungskosten aufweist, wird eine Sensorvorrichtung (100) zur Magnetfeldmessung mittels optischer Magnetresonanzmessung (ODMR), umfassend einen Diamanten (10) mit einer Vielzahl von Farbzentren, insbesondere Stickstoff-Fehlstellen, einen Laseremitter (13), einen ersten Photodetektor (18) und eine Leiterplatte (11) vorgeschlagen, wobei der Laseremitter (13) zur Fluoreszenzanregung der Farbzentren in dem Diamanten (10) ausgebildet ist, wobei der erste Photodetektor (18) zum Empfangen einer Fluoreszenz-Strahlung der Farbzentren des Diamanten (10) ausgebildet ist, wobei ferner vorgesehen ist, dass die Leiterplatte (11) mehrere Schichten (15, 15a, 15b, 15c, 15d) umfassend mindestens eine innenliegende Schicht (15a) aufweist, dass der Laseremitter (13) auf einer Oberseite (12) der Leiterplatte (11) angeordnet ist, dass der erste Photodetektor (18) auf einer Unterseite (17) der Leiterplatte (11) angeordnet ist, dass der Diamant (10) im Inneren der Leiterplatte (11) in der Erstreckungsebene (16) der mindestens einen innenliegenden Schicht (15a) angeordnet ist, und dass mindestens eine der Schichten (15c) stromführende Strukturen (31) aufweist, welche ausgebildet sind, ein senkrecht zu den Schichten (15, 15a, 15b, 15c, 15d) der Leiterplatte (11) ausgerichtetes, homogenes und den Diamanten (10) durchsetzendes Magnetfeld zu erzeugen.
    • 10. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MIKROMECHANISCHEN STRUKTUREN MIT RELIEFARTIGEM SEITENWANDVERLAUF ODER EINSTELLBAREM NEIGUNGSWINKEL
    • 用释放侧壁程序或可调倾斜角生产微机械结构的方法
    • WO2009059868A2
    • 2009-05-14
    • PCT/EP2008/063703
    • 2008-10-13
    • ROBERT BOSCH GMBHLAERMER, FranzFUCHS, TinoLEINENBACH, Christina
    • LAERMER, FranzFUCHS, TinoLEINENBACH, Christina
    • B81C1/00
    • B81C1/00103B81B2203/0384B81C2201/0136
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Strukturen mit reliefartigem Seitenwandverlauf oder einstellbarem Neigungswinkel, wobei man die mikromechanischen Strukturen aus einer auf einem Silizium-Halbleitersubstrat (1, 10) vorhandenen oder abgeschiedenen SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) durch trockenchemisches Ätzen der SiGe-Mischhalbleiterschicht (3 a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) herausätzt, wobei man den Seitenwandverlauf der mikromechanischen Struktur durch Variieren des Germaniumanteils in der zu ätzenden SiGe-Mischhalbleiterschicht (3 a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) ausbildet, wobei in stärker zu ätzenden Bereichen ein höherer Germaniumanteil vorliegt, wobei man die Variation des Germaniumanteils in der SiGe- Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) durch ein Verfahren ausgewählt aus der Gruppe umfassend Abscheiden einer SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) mit variierendem Germaniumgehalt, Einbringen von Germanium in eine Silizium- Halbleiterschicht oder SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50), Einbringen von Silizium in eine Germaniumschicht oder SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) und/oder durch thermische Oxidation einer SiGe-Mischhalbleiterschicht (3a, 3b, 30, 30a, 30b, 50) einstellt.
    • 本发明涉及一种用于制造具有浮雕状侧壁轮廓或倾斜的角度可调,得到微机械结构由硅半导体基板(1,10)的微机械结构的现有或沉积SiGe混合半导体层(3A ,3B,30,30A,30B,50)通过干化学BEAR tzen SiGe混合半导体层(3A,3B,30,30A,30B,50)出来BEAR TZT通过改变锗比例,得到微机械结构的侧壁轮廓 的约AUML; tzenden SiGe混合半导体层(3A,3B,30,30A,30B,50)的形式,其中,STÄ rker承受tzenden一个H&ouml的领域;本herer锗含量,这是在硅锗中的锗比例的变化 - 混合半导体层(3A,3B,30,30A,30B,50),通过这样的方法&AUML选择;由包含SiGe混合半导体层(3A,3B,30,30A,30B,50),其具有变种的沉积组HLT iierendem锗含量,引入锗到硅半导体层或SiGe混合半导体层(3A,3B,30,30A,30B,50),硅的掺入锗层或SiGe混合半导体层(3A,3B,30,30A,30B, 50)和/或通过热氧化SiGe混合半导体层(3a,3b,30,30a,30b,50)