专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2016131689A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERKÖRPERS 审中-公开
标题翻译：用于生产半导体主体
公开(公告)号：WO2016131689A1
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：PCT/EP2016/052809
申请日：2016-02-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： EBERHARD, Franz
IPC分类号： H01L21/74
CPC分类号： H01L33/382 , H01L21/743 , H01L33/0095 , H01L33/24 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01S5/0282 , H01S5/0425
摘要： Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers (1) mit einer mit einer Passivierungsschicht (8) versehenen Ausnehmung (10) angegeben mit den Schritten: Aufbringen einer strukturierten ersten Maskenschicht (5) und einer unstrukturierten zweiten Maskenschicht (6) auf dem Halbleiterkörper (1); Ausbilden von zumindest einer zweiten Maskenöffnung (60) in der zweiten Maskenschicht (6) und zumindest einer Ausnehmung (10) im Halbleiterkörper (1), wobei die Ausnehmung (10) mit der zweiten Maskenöffnung (60) von der ersten Maskenöffnung (50) aus gesehen eine Hinterschneidung (13) bildet; unstrukturiertes Aufbringen einer Passivierungsschicht (8) auf der zweiten Maskenschicht (6) und auf der Seitenfläche (11) und der Bodenfläche (12) der Ausnehmung (10); Entfernen der Passivierungsschicht (8) von der zweiten Maskenschicht (6) und der Bodenfläche (12) der Ausnehmung (10), wobei die Passivierungsschicht (8) auf der Seitenfläche (11) der Ausnehmung (10) verbleibt.
摘要翻译：一种用于制造半导体基体的过程是用于与制造半导体主体（1）具有钝化层的方法（8）设置有设置有台阶的凹部（10）：将图案化的第一屏蔽层（5）和非结构化第二掩模层（6）在半导体本体（1）; 至少在所述第二掩模层的第二掩模开口（60）（6）和在所述半导体主体（1），至少一个凹部（10），其中所述凹部（10）与从所述第二掩模孔（60），第一掩模开口（50）的可见形式的底切（13）; 非结构化施加第二掩模层上的钝化层（8）（6）和上侧表面（11）和凹部（10）的底表面（12）; 去除第二掩模层（6）和所述凹部（10）的底表面（12），其中，所述钝化层（8）保持在凹部（10）的侧表面（11）上的钝化层（8）。

2. 发明申请

WO2010125028A3 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER MIT EINEM REFLEKTIERENDEN SCHICHTSYSTEM 审中-公开
公开(公告)号：WO2010125028A3
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：PCT/EP2010/055546
申请日：2010-04-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WALTER, Robert , GROLIER, Vincent , SCHMAL, Michael , PERZLMAIER, Korbinian , EBERHARD, Franz
发明人： WALTER, Robert , GROLIER, Vincent , SCHMAL, Michael , PERZLMAIER, Korbinian , EBERHARD, Franz
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/0216 , G02B5/08
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper (1) mit einer aktiven Halbleiterschichtenfolge (10) und einem reflektierenden Schichtsystem (20) angegeben. Das reflektierende Schichtsystem (20) weist eine an die Halbleiterschichtenfolge (10) angrenzende erste strahlungsdurchlässige Schicht (21) und eine Metallschicht (23) an der von der Halbleiterschichtenfolge (10) abgewandten Seite der ersten strahlungsdurchlässigen Schicht (21) auf. Die erste strahlungsdurchlässige Schicht (21) enthält ein erstes dielektrisches Material. Zwischen der ersten strahlungsdurchlässigen Schicht (21) und der Metallschicht (23) ist eine zweite strahlungsdurchlässige Schicht (22) angeordnet, die ein haftverbesserndes Material enthält. Die Metallschicht (23) ist unmittelbar auf das haftverbessernde Material aufgebracht. Das haftverbessernde Material ist von dem ersten dielektrischen Material verschieden und derart ausgewählt, dass die Haftung der Metallschicht (23) im Vergleich zur Haftung auf dem ersten dielektrischen Material verbessert ist.

3. 发明申请

WO2011000659A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：辐射半导体部件
公开(公告)号：WO2011000659A1
公开(公告)日：2011-01-06
申请号：PCT/EP2010/057728
申请日：2010-06-02
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GRÖTSCH, Stefan , SABATHIL, Matthias , KOCUR, Simon , EBERHARD, Franz
发明人： GRÖTSCH, Stefan , SABATHIL, Matthias , KOCUR, Simon , EBERHARD, Franz
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/46
CPC分类号： H01L25/0756 , H01L33/10 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit - einem ersten, einem zweiten und einem dritten Halbleiterkörper (10, 20, 30) angegeben, die im Betrieb eine erste, zweite und dritte elektromagnetische Strahlung (11, 21, 31) in einem ersten, zweiten und dritten Wellenlängenbereich emittiert, - einem ersten Kantenfilter (41), der zwischen dem ersten Halbleiterkörper (10) und dem zweiten Hableiterkörper (20) angeordnet ist, und - einem Spiegel (50), der an der dem zweiten Halbeiterkörper (20) abgewandten Seite des ersten Halbleiterkörpers (10) angeordnet ist.
摘要翻译：它是一种发射辐射的半导体器件，包括： - 第一，第二和第三半导体主体（10，20，30）被指定，在操作期间的第一，第二和第三电磁辐射（11，21，31）在第一，第二和第三发射的，波长范围 - 在所述第一半导体本体（10）和所述第二Hableiterkörper之间的第一边缘过滤器（41）（20）被布置，以及 - 反射镜（50），所述第二半导体本体（20）的侧远离第一布置半导体主体（10）。

4. 发明申请

WO2005048423A1 OPTISCH GEPUMPTE HALBLEITERLASERVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：光泵半导体激光器件
公开(公告)号：WO2005048423A1
公开(公告)日：2005-05-26
申请号：PCT/DE2004/002476
申请日：2004-11-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHMID, Wolfgang , BRICK, Peter , LUTGEN, Stephan , ALBRECHT, Tony , EBERHARD, Franz
发明人： SCHMID, Wolfgang , BRICK, Peter , LUTGEN, Stephan , ALBRECHT, Tony , EBERHARD, Franz
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/183 , H01H13/705 , H01H13/86 , H01H2209/07 , H01H2223/008 , H01H2223/034 , H01H2239/032 , H01H2239/034 , H01H2239/038 , H01S3/094084 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/101 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/4031 , H01S5/4056
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine optisch gepumpte Halbleiterlaservorrichtung mit einem oberflächenemittierenden Vertikalemissionsbereich (1) und mindestens einer monolithisch integrierten Pumpstrahlungsquelle (2) zum optischen Pumpen des Vertikalemissionsbereichs (1). Die Halbleiterlaservorrichtung ist dadurch ausgezeichnet, dass die Pumpstrahlung in Form von Teilstrahlungsbündeln mit unterschiedlichen Strahlungsrichtungen in den Vertikalemissionsbereich (1) eintritt, so dass die Pumpstrahlung einen Überlapp mit der Grundmode des Vertikalemissionsbereichs (1) aufweist, der zur Anregung dieser Grundmode geeignet ist. Der Erfindung liegt zugrunde, dass bevorzugt die Grundmode des Vertikalemissionsbereichs (1) angeregt wird, wenn die räumliche Intensitätsverteilung der Pumpstrahlung dem Profil der Grundmode angepasst ist.
摘要翻译：本发明涉及一种具有表面发射垂直发射区域（1）和至少一个单片集成泵浦辐射源（2），用于光学泵浦所述垂直发射区域的光泵浦半导体激光装置（1）。的半导体激光装置通过以下事实区分，泵辐射在具有（1）中发生的垂直发射区域不同的辐射方向的部分辐射束的形式，使得泵辐射与垂直发射区域的基模的重叠（1），其是适用于该基本模式的激励。本发明是基于，优选地垂直发射区域的基模（1）被激励时，泵辐射的空间强度分布被适应于基本模式的轮廓。

5. 发明申请

WO2004062051A1 LASERDIODENBARREN MIT PARALLEL GESCHALTETER DIODE ZUR ELEKTRISCHEN ÜBERBRÜCKUNG DES LASERDIODENBARRENS IM FEHLERFALL 审中-公开
标题翻译：与并联二极管BARS开关二极管，电力弥合激光二极管锭ON ERROR
公开(公告)号：WO2004062051A1
公开(公告)日：2004-07-22
申请号：PCT/DE2003/003683
申请日：2003-11-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EBERHARD, Franz , HERRMANN, Gerhard , MARIC, Josip , SCHWIND, Michael , BEHRINGER, Martin , BEHRES, Alexander
发明人： EBERHARD, Franz , HERRMANN, Gerhard , MARIC, Josip , SCHWIND, Michael , BEHRINGER, Martin , BEHRES, Alexander
IPC分类号： H01S5/026
CPC分类号： H01S5/0261 , H01S5/0216 , H01S5/02272 , H01S5/042 , H01S5/0425 , H01S5/06825 , H01S5/4025
摘要： Es wird ein Laserdiodenbauelement mit einem Wörmesenke (3) und einem Kontakt (6) und mit einem Laserdiodenbarren (1) angegeben, an dem im Betrieb eine bestimmte Betriebsspannung anliegt und dem ein Überbrückungselement (2) parallelgeschaltet ist, das sich bei Anliegen der bestimmten Betriebsspannung am zugehörigen Laserdiodenbarren in einem stromsperrenden Zustand befindet und das in einen stromleitenden Zustand umschaltet, sobald der Spannungsabfall am Laserdiodenbarren die Betriebsspannung um einen vorgegebenen Spannungswert überschreitet. Weiterhin wird eine Schaltungsanordnung mit einer Mehrzahl von solchen Laserdiodenbauelementen angegeben, die in Reihe geschaltet sind.
摘要翻译：提供了一种激光二极管组件与Wörmesenke（3）和一个触点（6）和激光二极管条（1），抵接于操作一个给定的工作电压和一个桥接件（2）并联连接，即所确定的工作电压的施加是在相关联的激光二极管条断电状态和在电流导通状态，只要在整个激光二极管条的电压降超过一个预定电压值的工作电压的开关。此外，具有多个这样的激光二极管的电路结构是串联连接的指定的组件。

6. 发明申请

WO2020011931A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER SILBERHALTIGEN STROMAUFWEITUNGSSTRUKTUR UND OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2020011931A1
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：PCT/EP2019/068704
申请日：2019-07-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： KOPP, Fabian , MOLNAR, Attila , EBERHARD, Franz
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/46
摘要： Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) umfasst eine erste Halbleiterschicht (120) von einem ersten Leitfähigkeits- typ mit einer ersten Hauptoberfläche (127)und eine zweite Halbleiterschicht (130) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, die auf einer von der ersten Hauptoberfläche (127) der ersten Halbleiterschicht (120) abgewandten Seite angeordnet ist. Das optoelektronische Halbleiterbauelement (10) weist ferner auf der Seite der ersten Hauptoberfläche (127) je eine erste Stromaufweitungsstruktur (115), die mit der ersten Halbleiter- schicht (120) elektrisch leitend verbunden ist, und eine zwei- te Stromaufweitungsstruktur (135)auf, die mit der zweiten Halbleiterschicht (130) elektrisch leitend verbunden ist. Das optoelektronische Halbleiterbauelement enthält weiterhin eine dielektrische Spiegelschicht (140), die auf der Seite der ers- ten Hauptoberfläche (127) der ersten Halbleiterschicht (120) sowie an einer von der ersten Halbleiterschicht (120) abge- wandten Seite der ersten oder zweiten Stromaufweitungsstruktur (115, 135) angeordnet ist. Mindestens eine der ersten und zweiten Stromaufweitungsstrukturen (115, 135) enthält Silber.

7. 发明申请

WO2016131690A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERKÖRPERS 审中-公开
标题翻译：用于生产半导体主体
公开(公告)号：WO2016131690A1
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：PCT/EP2016/052817
申请日：2016-02-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： EBERHARD, Franz
IPC分类号： H01L33/00 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/2855 , H01L21/3086 , H01L21/31116 , H01L21/76831 , H01L21/76879 , H01L31/022408 , H01L31/022466 , H01L31/0304 , H01L31/1884 , H01L33/005 , H01L33/30 , H01L33/382 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01S5/2081 , H01S5/22 , H01S2301/176
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers (1) mit zumindest einer mit einer Kontaktschicht (7) versehenen Ausnehmung (10) mit den Schritten: Bereitstellen des Halbleiterkörpers (1), Aufbringen einer ersten Maskenschicht (5) und einer zweiten Maskenschicht (6) auf dem Halbleiterkörper (1), wobei die zweite Maskenschicht (6) unstrukturiert auf dem Halbleiterkörper (1) aufgebracht wird und die erste Maskenschicht (5) strukturiert mit zumindest einer ersten Maskenöffnung (50) auf der zweiten Maskenschicht (6) aufgebracht wird, Ausbilden von zumindest einer zweiten Maskenöffnung (60) in der zweiten Maskenschicht (6) und zumindest einer Ausnehmung (10) im Halbleiterkörper (1) im Bereich der zumindest einen ersten Maskenöffnung (50) der ersten Maskenschicht (5), wobei die Ausnehmung (10) eine Seitenfläche (11) und eine Bodenfläche (12) aufweist und die Ausnehmung (10) mit der zweiten Maskenöffnung (60) von der ersten Maskenöffnung (50) aus gesehen eine Hinterschneidung (13) bildet, Aufbringen einer Kontaktschicht (7) auf die erste Maskenschicht (5) und die Bodenfläche (12) der zumindest einen Ausnehmung (10) mittels eines gerichteten Abscheideverfahrens, Aufbringen einer Passivierungsschicht (8) auf der Seitenfläche (11) der zumindest einen Ausnehmung (10).
摘要翻译：一种用于制造半导体本体方法（1）具有至少一个与接触层（7）设置凹部（10），其包括以下步骤：提供半导体主体（1），沉积第一掩模层（5）和第二掩模层（6）所述半导体主体（1）上，其中所述第二掩模层（6）有刷（1）被施加在半导体本体和所述第一掩模层上（5）与（6）被施加第二掩模层上的至少一个第一掩模开口（50）的结构，形成在第二掩模层，在半导体主体上的至少一个第二掩模开口（60）（6）和至少一个凹部（10）（1）在所述第一掩模层（5）的至少一个第一掩模开口（50）的区域中，其特征在于，所述凹部（10）的侧表面（11）和底表面（12）和凹部（10）与所述第二掩模开口（60），所述从Hintersc看出第一掩模开口（50） hneidung（13），所述第一掩模层（5）和所述至少一个凹部（10），通过沉积工艺的方法的底表面（12）上施加接触层（7），施加的侧表面（11）上的钝化层（8）至少一个凹部（10）。

8. 发明申请

WO2011070047A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片及其制造方法光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2011070047A1
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：PCT/EP2010/069128
申请日：2010-12-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EBERHARD, Franz , SCHMID, Wolfgang
发明人： EBERHARD, Franz , SCHMID, Wolfgang
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Verschiedene Ausführungsformen des optoelektronischen Halbleiterchips weisen eine Strahlungsauskopplungsseite (102) und einen Kontaktanschluss auf. Auf der Strahlungsauskopplungsseite (102) ist ein metallisches Kontaktmaterial (210) aufgebracht. Der optoelektronische Halbleiterchip weist eine an dem Kontaktmaterial (210) aufgebrachte und mit dem Kontaktanschluss verbundene metallische leitfähige Verbindung (106) auf. Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：光电子半导体芯片的各种实施例具有一个辐射输出耦合侧（102）和一个接触端子。在辐射输出耦合侧（102），金属接触材料（210）被施加。光电子半导体芯片具有接触于施加到与连接到所述接触端子的金属导电连接（106）的材料（210）。提供了一种制造的光电子半导体芯片的方法。

9. 发明申请

WO2020165029A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT ABSCHNITTEN EINER LEITFÄHIGEN SCHICHT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2020165029A1
公开(公告)日：2020-08-20
申请号：PCT/EP2020/053076
申请日：2020-02-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： EBERHARD, Franz
IPC分类号： H01L33/38
摘要： Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) umfasst eine erste Halbleiterschicht (110) von einem ersten Leitfähigkeitstyp und eine zweite Halbleiterschicht (120) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, eine erste Kontaktstruktur (105), eine Kontaktschicht (109) und eine Trennschicht (108). Kontaktlöcher (123) sind in der Trennschicht (108) angeordnet. Das optoelektronische Halbleiterbauelement umfasst ferner Abschnitte (104) einer leitfähigen Schicht (107), die über einer von der Kontaktschicht (109) abgewandten Seite der Trennschicht (108) angeordnet sind. Dabei sind die Abschnitte (104) der leitfähigen Schicht (107) jeweils mit einem leitenden Material in den Kontaktlöchern (123) verbunden. Die erste Kontaktstruktur (105) ist über die Abschnitte (104) der leitfähigen Schicht (107) und das leitende Material in den Kontaktlöchern (123) mit der Kontaktschicht (109) verbunden. Eine Länge der Abschnitte (104) ist jeweils größer als eine größte Breite der Abschnitte (104), wobei die Länge einen kürzesten Abstand zwischen einem zugehörigen Kontaktloch und einem leitfähigen Material zwischen benachbarten Abschnitten (104) bezeichnet und die Breite senkrecht zur Länge gemessen ist.

10. 发明申请

WO2020148121A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
公开(公告)号：WO2020148121A1
公开(公告)日：2020-07-23
申请号：PCT/EP2020/050293
申请日：2020-01-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： EBERHARD, Franz
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/14 , H01L33/42
摘要： Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) umfasst eine erste Halbleiterschicht (110) von einem ersten Leitfähigkeitstyp und eine zweite Halbleiterschicht (120) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, wobei die erste und die zweite Halbleiterschicht (110, 120) übereinandergestapelt sind. Das optoelektronische Halbleiterbauelement (10) umfasst ferner eine erste Kontaktstruktur (105) und eine Kontaktschicht(109), die über einer von der zweiten Halbleiterschicht (120) abgewandten Seite der ersten Halbleiterschicht (110) angeordnet und mit der ersten Halbleiterschicht (110) verbunden ist. Das optoelektronische Halbleiterbauelement (10) enthält darüber hinaus eine Trennschicht(108), die über einer von der ersten Halbleiterschicht (110) abgewandten Seite der Kontaktschicht (109) angeordnet ist,und eine Stromaufweitungsschicht(107), die über einer von der Kontaktschicht (109) abgewandten Seite der Trennschicht (108) angeordnet ist. Dabei ist die erste Kontaktstruktur (105) über die Stromaufweitungsschicht (107) und die Trennschicht (108) mit der Kontaktschicht (109) verbunden. Ein Schichtstapel, der die Kontaktschicht(109), die Trennschicht(108)und die Stromaufweitungsschicht (107) enthält, weist eine anisotrope Leitfähigkeit auf. Die Trennschicht (108) liegt in einem Bereich zwischen Kontaktschicht (109) und Stromaufweitungsschicht (107) als durchgängige Schicht vor.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式