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1. 发明申请

WO2021165047A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDE VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER STRAHLUNGSEMITTIERENDEN VORRICHTUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2021165047A1
公开(公告)日：2021-08-26
申请号：PCT/EP2021/052634
申请日：2021-02-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BRICK, Peter , FLOCK, Klaus , MORITZ, Martin
IPC分类号： H01L25/075 , H01S5/42 , H01L33/58 , H01L27/15 , H01S5/026 , H01S5/183
摘要： Es wird eine strahlungsemittierende Vorrichtung mit einer Mehrzahl von Emittern (1) und einer Mehrzahl von optischen Elementen (2), wobei die Emitter entlang einer ersten Emitterrichtung (dE1) in einem ersten mittleren Emitterabstand (AE1) und entlang einer schräg oder senkrecht zur ersten Emitterrichtung verlaufenden zweiten Emitterrichtung (dE2) in einem zweiten mittleren Emitterabstand AE2 angeordnet sind, und wobei die optischen Elemente entlang einer ersten Optikrichtung (dO1) in einem ersten mittleren Optikabstand (AO1) und entlang einer schräg oder senkrecht zur ersten Optikrichtung verlaufenden zweiten Optikrichtung (dO2) in einem zweiten mittleren Optikabstand AO2 angeordnet sind, und wobei mindestens eine der folgenden vier Bedingungen erfüllt ist: (i) NE1 * AE1 * cos Ф = m2 * AO1, (ii) NE2 * AE2 * sin Ф = m4 * AO1, (iii) NE1 * AE1 * sin Ф = m1 * AO2 und (iv) NE2 * AE2 * cos Ф = m3 * AO2, wobei NE1 die Anzahl an Emittern entlang der ersten Emitterrichtung, NE2 die Anzahl an Emittern entlang der zweiten Emitterrichtung, Ф ein Winkel zwischen der ersten Emitterrichtung und der ersten Optikrichtung und m1, m2, m3 und m4 jeweils Faktoren sind. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Vorrichtung mit einer Mehrzahl von Emittern und einer Mehrzahl von optischen Elementen angegeben.

2. 发明申请

WO2020165292A1 LEUCHTVORRICHTUNG SOWIE INNENRAUMVERKLEIDUNG ODER VERKLEIDUNGSELEMENT MIT EINER LEUCHTVORRICHTUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2020165292A1
公开(公告)日：2020-08-20
申请号：PCT/EP2020/053664
申请日：2020-02-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BRANDL, Michael , BRICK, Peter , HILLER, Uli , STIGLER, Sebastian , WETTERER, Armin
IPC分类号： H01L33/50 , B60R13/02 , B60Q3/20 , B60Q3/60 , B60Q3/74 , F21S43/14 , F21S43/16 , F21S43/19 , F21S43/50
摘要： Die Erfindung betrifft eine Leuchtvorrichtung (1) mit einer Strahlungsquelle (2) und einem Konverterelement (4) sowie eine Innenraumverkleidung oder ein Verkleidungselement mit einer derartigen Leuchtvorrichtung (1). Die Leuchtvorrichtung (1) verfügt über wenigstens eine Strahlungsquelle (2) zur Emission von elektromagnetischer Strahlung und über ein Konverterelement (4), auf das die elektromagnetische Strahlung in einem ersten Oberflächenbereich auftrifft und das angeregt durch die aufgetroffene elektromagnetischen Strahlung in zumindest einem zweiten Oberflächenbereich, der sich zumindest teilweise vom ersten Oberflächenbereich unterscheidet, sichtbares Licht in eine Umgebung emittiert, wobei sich die Wellenlänge des in die Umgebung emittierten Lichts von der Wellenlänge der auf das Konverterelement (4) aufgetroffenen elektromagnetischen Strahlung unterscheidet. Das Konverterelement (4) weist wenigstens ein Leuchtelement (5) auf, das über eine Textilie und/oder einen Kunststoff mit wenigstens einem Konvertermaterial (6) verfügt, wobei das Konvertermaterial (6) aufgrund einer Anregung durch die elektromagnetische Strahlung mit einer ersten Wellenlänge sichtbares Licht mit einer sich von der ersten Wellenlänge unterscheidenden zweiten Wellenlänge emittiert.

3. 发明申请

WO2020127480A1 LASERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LASERVORRICHTUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2020127480A1
公开(公告)日：2020-06-25
申请号：PCT/EP2019/085946
申请日：2019-12-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SPERL, Matthias , HALBRITTER, Hubert , BRICK, Peter , SCHLOSSER, Philipp , SPRENGER, Dennis
IPC分类号： H01S5/183
摘要： Eine Laservorrichtung (10) umfasst einen Träger (11), ein auf dem Träger (11) angeordnetes optoelektronisches Bauelement (12), das dazu ausgebildet ist, Laserstrahlung zu emittieren, und ein optisches Element (14), das dazu ausgebildet ist, die von dem optoelektronischen Bauelement (12) emittierte Laserstrahlung zu formen,wobei das optische Element (14) eine erste, zumindest teilweise für die Laserstrahlung transparente Schicht (15) mit einem ersten Brechungsindex und eine zweite, zumindest teilweise für die Laserstrahlung transparente Schicht (16) mit einem zweiten Brechungsindex aufweist,wobei die erste Schicht (15) auf das optoelektronische Bauelement (12) aufgebracht ist und eine Oberfläche (24) mit einer eingeprägten Struktur aufweist, und wobei die zweite Schicht (16) auf die Oberfläche (24) mit der eingeprägten Struktur der ersten Schicht (15) aufgebracht ist.

4. 发明申请

WO2019145422A9 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND DESSEN VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2019145422A9
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：PCT/EP2019/051753
申请日：2019-01-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： GÖÖTZ, Britta , HIEN, Matthias , DOBNER, Andreas , BRICK, Peter , GOLDBACH, Matthias , HILLER, Uli , STIGLER, Sebastian
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/60
摘要： In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (100) eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Emissionsseite (10), wobei die Emissionsseite eine Mehrzahl von Emissionsfeldern (11, 12) umfasst. Der Halbleiterchip umfasst reflektierende Trennwände (20) auf der Emissionsseite im Bereich zwischen zwei benachbarten Emissionsfeldern. Ferner umfasst der Halbleiterchip Konversionselemente (31, 32) auf zumindest einigen Emissionsfeldern. Die Konversionselemente umfassen jeweils ein Matrixmaterial (40) mit darin eingebrachten ersten LeuchtstoffPartikeln (41). Die ersten Leuchtstoffpartikel sind in dem Matrixmaterial derart sedimentiert, dass der Massenanteil der ersten Leuchtstoffpartikel in einem der Halbleiterschichtenfolge zugewandten unteren Bereich eines Konversionselements größer ist als im restlichen Bereich des Konversionselements.

5. 发明申请

WO2019072525A1 OPTOELEKTRONISCHES MODUL UND ANZEIGEELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2019072525A1
公开(公告)日：2019-04-18
申请号：PCT/EP2018/075656
申请日：2018-09-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BRICK, Peter , HALBRITTER, Hubert , PERÄLÄ, Mikko , REILL, Joachim , SINGER, Frank
IPC分类号： H01L25/075 , H04N13/32 , H01L27/15 , H01L33/58
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/58 , H04N13/307
摘要： Es wird ein optoelektronisches Modul (10) angegeben mit: - einem Träger (11) mit einer Haupterstreckungsebene, - einem ersten Emissionsbereich (12) mit einer Vielzahl von Emittern erster Art (13), welche dazu ausgelegt sind im Betrieb des optoelektronischen Moduls (10) Licht mindestens eines vorgebbaren ersten Farbortes zu emittieren, - einem zweiten Emissionsbereich (14) mit einer Vielzahl von Emittern zweiter Art (15), welche dazu ausgelegt sind im Betrieb des optoelektronischen Moduls (10) Licht mindestens eines vorgebbaren zweiten Farbortes zu emittieren, und - einem dritten Emissionsbereich (16) mit einer Vielzahl von Emittern dritter Art (17), welche dazu ausgelegt sind im Betrieb des optoelektronischen Moduls (10) Licht mindestens eines vorgebbaren dritten Farbortes zu emittieren, wobei - die Emissionsbereiche (12, 14, 16) beabstandet zueinander auf dem Träger (11) angeordnet sind. Außerdem wird ein Anzeigeelement (20) mit einer Vielzahl optoelektronischer Module (10) angegeben.

6. 发明申请

WO2018233870A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2018233870A1
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：PCT/EP2018/000315
申请日：2018-06-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BRICK, Peter , WIESMANN, Christopher , STREPPEL, Ulrich , RACZ, David , KOELPER, Christopher , ROSSBACH, Georg
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/60 , H01L33/58 , H01L33/50
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement weist einen Träger mit einer Oberfläche auf. Über der Oberfläche des Trägers sind reflektierende Barrieren ausgebildet. Die reflektierenden Barrieren unterteilen die Oberfläche des Trägers in Bildpunkte. Jeder Bildpunkt weist jeweils mindestens einen auf der Oberfläche des Trägers angeordneten optoelektronischen Halbleiterchip auf. Der optoelektronische Halbleiterchip ist dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung zu emittieren.

7. 发明申请

WO2016005102A1 HINTERLEUCHTUNGSEINRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：逆光
公开(公告)号：WO2016005102A1
公开(公告)日：2016-01-14
申请号：PCT/EP2015/061980
申请日：2015-05-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： KIMME, Felix , KÖLPER, Christopher , BRICK, Peter
IPC分类号： G02F1/1335 , G02B5/12
CPC分类号： G02F1/133605 , G02B5/12 , G02B5/124 , G02B5/128 , G02B5/13 , G02B6/0055 , G02F1/133603 , G02F1/133608 , G02F1/133611
摘要： Die Erfindung betrifft eine Hinterleuchtungseinrichtung, aufweisend mehrere in einer Ebene angeordnete Halbleiter-Lichtquellen zur Erzeugung von Lichtstrahlung und eine seitlich der Halbleiter-Lichtquellen angeordnete Seitenwand. Die Seitenwand ist geneigt zuder durch die Halbleiter-Lichtquellen vorgegebenen Ebene. Des Weiteren ist die Seitenwand an einer Seite, welche mit Lichtstrahlung der Halbleiter-Lichtquellen bestrahlbar ist, retroreflektierend. Die Erfindung betrifft fernereine Vorrichtung aufweisend eine solche Hinterleuchtungseinrichtung.
摘要翻译：本发明涉及一种背光照明装置，其包括多个布置在平面中的半导体光源，用于产生光辐射和横向布置的半导体光源侧壁。侧壁是倾斜的Zuder由半导体光源平面预先确定的。此外，在一侧的侧壁被照射的半导体光源的光辐射，回射。本发明还涉及一种包括这种背光设备的装置。

8. 发明申请

WO2015144562A1 VERFAHREN ZUR KLASSENEINTEILUNG VON LICHT EMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND BILDSENSORANWENDUNG MIT EINEM BILDSENSOR UND EINEM HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：操作法，发光半导体组件分类和图像感应器应用随着图像传感器和半导体元件
公开(公告)号：WO2015144562A1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：PCT/EP2015/055808
申请日：2015-03-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： KIMME, Felix , BRICK, Peter
IPC分类号： G03B15/05 , H04N9/73 , H05B33/08 , H01L33/00
CPC分类号： B07C5/3416 , B07C2301/0008 , H01L31/147 , H01L33/00 , H04N5/2256
摘要： Es wird ein Verfahren zur Klasseneinteilung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements (301) für eine Bildsensoranwendung angegeben, wobei das Halbleiterbauelement (301) als Lichtquelle für einen Bildsensor (302) eingerichtet ist, mit den Schritten: - Bereitstellung des Licht emittierenden Halbleiterbauelements (301), - Ermitteln zumindest eines der folgenden Parameter des vom Licht emittierenden Halbleiterbauelement (301) im Betrieb mit einem Emissionsspektrum emittierten Lichts: R = ∫ q R (λ) ⋅ S (λ) d λ ⋅ t exp , G = ∫ q G (λ) ⋅ S (λ) d λ ⋅ t exp , B = ∫ q B (λ) ⋅ S (λ) d λ ⋅ t exp , wobei q R (λ), q G (λ) und q B (λ) spektrale Empfindlichkeiten eines roten, grünen und blauen Farbkanals des Bildsensors (302) sind, S (λ) das Emissionsspektrum des Licht emittierenden Halbleiterbauelements (301) ist, t exp eine Belichtungszeit ist und λ eine Wellenlänge bezeichnet, - Einteilung des Licht emittierenden Halbleiterbauelements (301) in eine Klasse aus einer Gruppe von Klassen, die durch verschiedene Wertebereiche zumindest eines Parameters charakterisiert sind, der von zumindest einem der Parameter R, G und B abhängt. Weiterhin wird eine Bildsensoranwendung angegeben.
摘要翻译：公开了一种用于发光的半导体器件（301），用于图像传感器应用，其中，所述半导体器件（301）作为光源用于图像传感器（302）布置，其包括以下步骤的分类方法： - 发射规定的光半导体装置（301），的 - 确定以下参数中的至少一个的从光在操作发光半导体器件（301）与发光光谱发出的光：R =∫qR（λ）⋅S（λ）dλ⋅吨EXP，G =∫q G（λ）⋅小号（λ）dλ⋅吨EXP，B =∫q B（λ）⋅S（λ）dλ⋅吨EXP，其中QR（λ），QG（λ）和QB（λ）为红色，绿色和蓝色色彩通道的光谱感光度所述图像传感器（302）的，S（λ）是发光的半导体器件（301）的发射光谱，TEXP的曝光时间和称为λA波长 - 发光半导体元件（301）划分成一类的基团的类为特征的不同范围的值的至少一个参数，该参数取决于所述参数的R的至少一个，G，和B. 此外，图像传感器的应用程序被指定。

9. 发明申请

WO2011131429A1 FLÄCHENLICHTLEITER, LEUCHTE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES FLÄCHENLICHTLEITERS 审中-公开
标题翻译： AREA导光板，用于生产面积上的光头灯和方法
公开(公告)号：WO2011131429A1
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：PCT/EP2011/053992
申请日：2011-03-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRICK, Peter , HILLER, Uli , KAISER, Stephan , KUHN, Gerhard , MARKYTAN, Ales , MUSCHAWECK, Julius , NEUGIRG, Christian
发明人： BRICK, Peter , HILLER, Uli , KAISER, Stephan , KUHN, Gerhard , MARKYTAN, Ales , MUSCHAWECK, Julius , NEUGIRG, Christian
IPC分类号： F21V8/00 , G02B6/00
CPC分类号： G02B6/006 , G02B6/0041 , G02B6/0065
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Flächenlichtleiters (1) weist dieser zumindest eine als Abstrahlfläche gestaltete Hauptseite (2) sowie mindestens einen ersten Bereich (11) und mindestens einen zweiten Bereich (22) auf. In Draufsicht auf die Hauptseite (1) gesehen sind der erste (11) und der zweite Bereich (22) benachbart angeordnet. Ein mittlerer Lichtauskoppelkoeffizient des zweiten Bereichs (22) ist um mindestens einen Faktor 2 von einem mittleren Lichtauskoppelkoeffizienten des ersten Bereichs (11) verschieden. Für den ersten (11) und den zweiten Bereich (22) beträgt, jeweils in einer Richtung senkrecht zu der Hauptseite (2) gesehen, ein Trübheitswert höchstens 0,15 und ein Transmissionskoeffizient mindestens 0,70.
摘要翻译：在此表面上的光导向装置（1）中的至少一个实施方案中具有至少一个构造为辐射主（2）和至少一个第一区域（11）和至少一个第二区域（22）。第一（11）和在主侧（1）俯视图所见的第二区域（22）相邻布置。 Lichtauskoppelkoeffizient第二区域（22）的介质是通过至少一个从第一区（11）的中间Lichtauskoppelkoeffizienten 2的倍数不同。对于第一个（11）和第二区域（22）在每种情况下在垂直的方向上看到的至多0.15的浊度值和至少0.70的透射系数的主面（2）。

10. 发明申请

WO2005048424A1 MONOLITHISCHER OPTISCH GEPUMPTER VCSEL MIT SEITLICH ANGEBRACHTEM KANTENEMITTER 审中-公开
标题翻译：带侧连接棱边发射单片光泵VCSEL
公开(公告)号：WO2005048424A1
公开(公告)日：2005-05-26
申请号：PCT/DE2004/002477
申请日：2004-11-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ALBRECHT, Tony , BRICK, Peter , LUTGEN, Stephan
发明人： ALBRECHT, Tony , BRICK, Peter , LUTGEN, Stephan
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/041 , H01S5/026 , H01S5/0425 , H01S5/14 , H01S5/183 , H01S5/209 , H01S5/4031 , H01S5/4056
摘要： Die Erfindung betrifft eine Halbleiterlaservorrichtung mit einem optisch gepumpten, oberflächenemittierenden Vertikalemitterbereich (2), der eine aktive strahlungserzeugende Vertikalemitterschicht (3) aufweist und mindestens eine monolithisch integrierte Pumpstrahlungsquelle (5) zum optischen Pumpen des Vertikalemitterbereichs (2), die eine aktive strahlungserzeugende Pumpschicht (6) aufweist. Erfindungsgemäß ist die Pumpschicht (6) der Vertikalemitterschicht (3) in vertikaler Richtung nachgeordnet und es ist eine leitende Schicht (13) zwischen der Vertikalemitterschicht (3) und der Pumpschicht (6) vorgesehen. Weiterhin ist auf der Seite der Halbleiterlaservorrichtung, die sich näher an der Pumpschicht (6) als an der leitenden Schicht (13) befindet, ein Kontakt (9) aufgebracht. Zwischen diesem Kontakt (9) und der leitenden Schicht (13) ist ein elektrisches Feld zur Erzeugung von Pumpstrahlung (7) durch Ladungsträgerinjektion anlegbar.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体激光装置与光泵浦表面发射（2）具有活性产生辐射的垂直发射层（3）垂直射极区和至少一个单片集成泵浦辐射源（5），用于光学泵浦所述垂直发射极区域（2），活性放射线产生泵层（6 ）了。根据本发明的垂直发射层（3）的泵层（6）在垂直方向的下游侧布置并且在垂直发射层（3）和泵层（6）之间的导电层（13）。此外，（9）接触是在半导体激光装置，其位于比所施加的导电层（13）更靠近所述泵层（6）的一侧。该接触（9）和导电层（13）之间的是用于通过载流子注入来产生泵浦辐射（7）可以被施加电场。

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