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1. 发明申请

WO2013149678A1 ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 审中-公开
标题翻译：有机场效应晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2013149678A1
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：PCT/EP2012/061700
申请日：2012-06-19
申请人： NOVALED AG , TECHNISCHE UNIVERSITÄT DRESDEN , LÜSSEM, Björn , ZAKHIDOV, Alexander , KLEEMANN, Hans , LEO, Karl
发明人： LÜSSEM, Björn , ZAKHIDOV, Alexander , KLEEMANN, Hans , LEO, Karl
IPC分类号： H01L51/05 , H01L51/00
CPC分类号： H01L51/0562 , B82Y10/00 , H01L51/0002 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/0021 , H01L51/0046 , H01L51/0059 , H01L51/102 , H01L51/105
摘要： The invention relates an organic field effect transistor, comprising a first electrode (1) and a second electrode (2), the electrodes providing a source electrode and a drain electrode, an intrinsic organic semiconducting layer (3) in electrical contact with the first and second electrode (1, 2), a gate electrode (6), a gate insulator (5) provided between the gate electrode (6) and the intrinsic organic semiconducting layer (3), and a doped organic semiconducting layer (4) comprising an organic matrix material and an organic dopant, wherein the doped organic semiconducting layer (4) is provided between the gate insulator (5) and the intrinsic organic semiconducting layer (3), wherein a charge carrier channel between the first and second electrode (1, 2) is formed in the doped organic semiconducting layer (4). Further, the invention relates to a method for producing an organic field effect transistor.
摘要翻译：本发明涉及一种包括第一电极（1）和第二电极（2）的有机场效应晶体管，所述电极提供源电极和漏电极，本征有机半导体层（3）与第一和第二电极设置在栅电极（6）和本征有机半导体层（3）之间的第二电极（1,2），栅电极（6），栅极绝缘体（5）以及掺杂的有机半导体层（4）有机基质材料和有机掺杂剂，其中所述掺杂的有机半导体层（4）设置在所述栅极绝缘体（5）和所述本征有机半导体层（3）之间，其中所述第一和第二电极（1， 2）形成在掺杂的有机半导体层（4）中。此外，本发明涉及一种制造有机场效应晶体管的方法。

2. 发明申请

WO2013149947A1 A METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR AND AN ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：生产有机场效应晶体管和有机场效应晶体管的方法
公开(公告)号：WO2013149947A1
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：PCT/EP2013/056738
申请日：2013-03-28
申请人： NOVALED AG , TECHNISCHE UNIVERSITÄT DRESDEN
发明人： ZAKHIDOV, Alexander , LÜSSEM, Björn , LEO, Karl , KLEEMANN, Hans
IPC分类号： H01L51/00 , H01L51/05 , H01L51/10
CPC分类号： H01L51/057 , B82Y10/00 , H01L51/0002 , H01L51/0016 , H01L51/0018 , H01L51/0046 , H01L51/0055 , H01L51/102 , H01L51/105
摘要： A method for producing an organic field effect transistor is disclosed, the method comprising steps of providing a gate electrode (1) and a gate insulator (2) assigned to the gate electrode (1) for electrical insulation on a substrate, depositing a first organic semiconducting layer (3) on the gate insulator (2), generating a first electrode (4) and an electrode insulator (5) assigned to the first electrode (4) for electrical insulation on the first organic semiconducting layer (3), depositing a second organic semiconducting layer (6) on the first organic semiconducting layer (3) and the electrode insulator (5), and generating a second electrode (7) on the second organic semiconducting layer (6), wherein at least one of the step of generating the first electrode (4) and the electrode insulator (5) on the first organic semiconducting layer (3) and the step of generating the second electrode (7) on the second organic semiconducting layer (6) comprises a step of photo-lithographic structuring on the first and the second organic semiconducting layer (3, 6), respectively. Furthermore, an organic field effect transistor and an electronic switching device are provided.
摘要翻译：公开了一种用于制造有机场效应晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：提供分配给栅电极（1）的栅电极（1）和栅极绝缘体（2），用于在基板上进行电绝缘，沉积第一有机在所述栅极绝缘体（2）上的半导体层（3），产生分配给所述第一电极（4）以在所述第一有机半导体层（3）上进行电绝缘的第一电极（4）和电极绝缘体（5）在第一有机半导体层（3）和电极绝缘体（5）上的第二有机半导体层（6），以及在第二有机半导体层（6）上产生第二电极（7），其中至少一个步骤在第一有机半导体层（3）上产生第一电极（4）和电极绝缘体（5），并且在第二有机半导体层（6）上产生第二电极（7）的步骤包括光刻 structu 环在第一和第二有机半导体层（3,6）上。此外，提供有机场效应晶体管和电子开关器件。

3. 发明申请

WO2013110268A1 ANORDNUNG MIT MEHREREN ORGANISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN 审中-公开
标题翻译：随着对生产多种有机半导体组件和方法安排
公开(公告)号：WO2013110268A1
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：PCT/DE2013/100022
申请日：2013-01-23
申请人： NOVALED AG , TECHNISCHE UNIVERSITÄT DRESDEN
发明人： LESSMANN, Rudolf , KLEEMANN, Hans
IPC分类号： H01L51/05 , H01L27/28
CPC分类号： H01L51/0512 , H01L27/283 , H01L51/0508 , H01L51/0562
摘要： Die Erfindung betrifft eine Anordnung mit mehreren Halbleiterbauelementen (20, 30), mit einer Schichtanordnung (40) mit einem ersten und einem zweiten Halbleiterbauelement (20, 30), die jeweils in einer Elektrodenschicht (34) mit einer Drain- und einer Source-Elektrode (22, 23, 32, 33) und in einer weiteren Elektrodenschicht mit einer Gate-Elektrode (21, 31) sowie mit einem Schichtstapel zwischen der Elektrodenschicht (34) und der weiteren Elektrodenschicht (21, 31) gebildet sind. Weiterhin sind ein Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit einem ersten und einem zweiten Halbleiterbauelement (20, 30) in einer Schichtanordnung (40) sowie die Verwendung vorgeschlagen.
摘要翻译：本发明涉及一种装置，其具有多个半导体器件（20，30）的，在每种情况下具有漏极形成在电极层的层结构（40），具有第一和第二半导体器件（20，30）（34）和源极电极（22，23，32，33）和具有栅极电极（21，31）和具有电极层（34）和所述另外的电极层（21，31）之间的层堆叠另外的电极层而形成。此外，用于产生具有在一个层布置（40）的第一和第二半导体器件（20，30）的装置的方法以及用途提出。

4. 发明申请

WO2014154699A1 METHOD OF MANUFACTURING AN ORGANIC ELECTRONIC DEVICE AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE 审中-公开
标题翻译：有机电子器件和有机电子器件的制造方法
公开(公告)号：WO2014154699A1
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：PCT/EP2014/055976
申请日：2014-03-25
申请人： NOVALED GMBH , TECHNISCHE UNIVERSITÄT DRESDEN
发明人： KLEEMANN, Hans , ZAKHIDOV, Alexander , LÜSSEM, Björn , LEO, Karl
IPC分类号： H01L51/00 , H01L51/10
CPC分类号： H01L51/0018 , H01L51/0015 , H01L51/0016 , H01L51/0023 , H01L51/0512 , H01L51/102 , H01L51/44 , H01L51/56 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： The present disclosure relates to a method of manufacturing an organic electronic device, comprising providing a layered device structure, the layered device structure comprising a plurality of electrodes and an electronically active region being provided in electrical contact with at least one of the plurality of electrodes, said providing of the layered device structure comprising steps of providing an organic semiconducting layer,applying a structuring layer to the organic semiconducting layer, the structuring layer having a first region and a second region, the first region being covered by a layer material,applying a contact improving layer to the structuring layer by depositing at least one of an organic dopant material and an organic dopant-matrix material at least in the first region,depositing a layer material on the contact improving layer at least in the first region, and removing the structuring layer at least in the second region. Furthermore, an organic electronic device is provided.
摘要翻译：本公开涉及一种制造有机电子器件的方法，包括提供分层器件结构，所述分层器件结构包括多个电极和与所述多个电极中的至少一个电接触地设置的电子有源区，所述提供层状器件结构包括以下步骤：提供有机半导体层，将结构层施加到有机半导体层，所述结构层具有第一区域和第二区域，所述第一区域被层材料覆盖，至少在所述第一区域中沉积有机掺杂剂材料和有机掺杂剂 - 基体材料中的至少一种，至少在所述第一区域中将所述接触改善层沉积到所述接触改善层上，至少在第二区域中构造层。此外，提供了一种有机电子装置。

5. 发明申请

WO2020152061A1 ORGANISCHER DÜNNSCHICHT-TRANSISTOR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2020152061A1
公开(公告)日：2020-07-30
申请号：PCT/EP2020/051185
申请日：2020-01-17
申请人： TECHNISCHE UNIVERSITÄT DRESDEN
发明人： KLEEMANN, Hans , PARK, Seongae , VAHLAND, Jörn
IPC分类号： H01L51/00 , H01L51/10 , H01L51/05
摘要： Es wird ein Organischer Dünnschicht-Transistor (OTFT), insbesondere Dünnschicht-Feldeffekttransistor (OFET), vorgeschlagen, aufweisend eine Source-Elektrode, eine Drain-Elektrode, eine in Top-Gate-Anordnung angeordnete Gate-Elektrode und eine organische Halbleiterfunktionsschicht, wobei die Source-Elektrode, die Drain-Elektrode und die Gate-Elektrode in einem koplanaren Schichtaufbau angeordnet sind, wobei der organische Dünnschicht-Transistor eine Zwischenschicht zur kapazitiven Entkopplung der Gate-Elektrode von der Source-Elektrode und/oder von der Source-Elektrode aufweist.

6. 发明申请

WO2021069298A1 ELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINES ELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2021069298A1
公开(公告)日：2021-04-15
申请号：PCT/EP2020/077504
申请日：2020-10-01
申请人： TECHNISCHE UNIVERSITÄT DRESDEN
发明人： KLEEMANN, Hans , CUCCHI, Matteo , LEO, Karl , SCHOLZ, Veronika , TSENG, Hsin , LEE, Alexander
IPC分类号： H01L51/05
摘要： In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein elektronisches Bauelement (100) bereitgestellt. Das elektronische Bauelement (100) kann ein Substrat (102) aufweisen, wobei das Substrat (102) mindestens zwei Elektroden (104, 106) aufweisen kann, wobei die mindestens zwei Elektroden (104, 106) jeweils auf und/oder in dem Substrat (102) in einem Abstand voneinander angeordnet sind. Wenn das elektronische Bauelement (100) in einem ersten Betriebszustand ist, kann ein Elektrolytmaterial (108) zumindest in einem Raumbereich zwischen den mindestens zwei Elektroden (104, 106) angeordnet sein, wobei das Elektrolytmaterial (108) mindestens ein polymerisierbares Material aufweist. Wenn das elektronische Bauelement (100) in einem zweiten Betriebszustand ist, kann mindestens eine elektrische Verbindung (110) zwischen den mindestens zwei Elektroden (104, 106) hergestellt sein, wobei die mindestens eine elektrische Verbindung (110) aus einem elektrisch leitfähigen Polymer besteht. Das elektrisch leitfähige Polymer kann ein oder mehrere Faserstrukturen aufweisen, wobei die ein oder mehreren Faserstrukturen im körperlichen Kontakt mit den mindesten zwei Elektroden (104, 106) stehen.

7. 发明申请

WO2014173738A1 A METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR AND AN ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：生产有机场效应晶体管和有机场效应晶体管的方法
公开(公告)号：WO2014173738A1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：PCT/EP2014/057651
申请日：2014-04-15
申请人： NOVALED GMBH , TECHNISCHE UNIVERSITÄT DRESDEN
发明人： KLEEMANN, Hans , LÜSSEM, Björn , LEO, Karl , GÜNTHER, Alrun
IPC分类号： H01L51/05 , H01L51/10 , H01L51/52
CPC分类号： H01L51/057 , H01L51/0018 , H01L51/002 , H01L51/105 , H01L51/5296
摘要： The present disclosure relates to a method for producing an organic field effect transistor, the method comprising steps of providing a gate electrode (1) and a gate insulator (2) assigned to the gate electrode (1) for electrical insulation on a substrate, depositing a first organic semiconducting layer (3) on the gate insulator (2), generating a first electrode (4) and an electrode insulator (5) assigned to the first electrode (4) for electrical insulation, depositing a second organic semiconducting layer (6) on the first organic semiconducting layer (3) and the electrode insulator (5), and generating a second electrode (7), wherein the method further com- prises at least one of the following steps generating a first doping material layer (13) on the first organic semiconducting layer (3) prior to generating the first electrode (4) and the electrode insulator (5) such that the first electrode (4) with the electrode insulator (5) are generated at least partially on the first doping material layer (13), and generating a second doping material layer (14) on the second organic semiconducting layer (6) prior to generating the second electrode (7) such that the second electrode (7) is generated at least partially on the second doping material layer (14). Furthermore, an organic field effect transistor is provided.
摘要翻译：本公开涉及一种用于制造有机场效应晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：提供分配给栅电极（1）的栅电极（1）和栅极绝缘体（2），用于在基板上进行电绝缘，沉积在所述栅极绝缘体（2）上的第一有机半导体层（3），产生分配给所述第一电极（4）以用于电绝缘的第一电极（4）和电极绝缘体（5），沉积第二有机半导体层）在所述第一有机半导体层（3）和所述电极绝缘体（5）上，并且产生第二电极（7），其中所述方法还包括产生第一掺杂材料层（13）的至少一个以下步骤，在第一有机半导体层（3）之前，在产生第一电极（4）和电极绝缘体（5）之前，使得具有电极绝缘体（5）的第一电极（4）至少部分地在第一掺杂垫上产生并且在产生所述第二电极（7）之前在所述第二有机半导体层（6）上产生第二掺杂材料层（14），使得所述第二电极（7）至少部分地在所述第二有机半导体层掺杂材料层（14）。此外，提供有机场效应晶体管。

8. 发明申请

WO2021254769A1 ELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES ELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2021254769A1
公开(公告)日：2021-12-23
申请号：PCT/EP2021/064535
申请日：2021-05-31
申请人： TECHNISCHE UNIVERSITÄT DRESDEN
发明人： CUCCHI, Matteo , KLEEMANN, Hans , LEO, Karl
IPC分类号： H01L51/05 , G06N3/0635 , H01L51/0591
摘要： In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein elektronisches Bauelement (100) bereitgestellt. Das elektronische Bauelement (100) kann ein Substrat (102) aufweisen, wobei das Substrat (102) eine Vielzahl von Eingabe-Elektroden (106) und eine Vielzahl von Ausgabe-Elektroden (104) aufweist, die auf und/oder in dem Substrat (102) in einem Abstand voneinander angeordnet sind; und ein elektrisch leitfähiges Netzwerk aus einem oder mehreren elektrisch leitfähigen Polymeren aufweisen, wobei das elektrisch leitfähige Netzwerk eingerichtet ist, die Vielzahl von Eingabe-Elektroden mit der Vielzahl von Ausgabe-Elektroden elektrisch zu vernetzen.

9. 发明申请

WO2021214219A1 CONTROLLED ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME 审中-公开
公开(公告)号：WO2021214219A1
公开(公告)日：2021-10-28
申请号：PCT/EP2021/060531
申请日：2021-04-22
申请人： TECHNISCHE UNIVERSITÄT DRESDEN
发明人： SAWATZKI, Michael , KLEEMANN, Hans , LEO, Karl
IPC分类号： H01L51/05
摘要： In various embodiments, there is provided a controlled organic semiconductor device (100) comprising a crystalline first organic semiconductor layer (108) on or over a substrate (102), the crystalline first organic semiconductor layer (108) having a first conductivity type; and a crystalline second organic semiconductor layer (112) on or over the first organic semiconductor layer (108), the crystalline second organic semiconductor layer (112) having a second conductivity type, the first conductivity type being different from the second conductivity type.

10. 发明公开

EP3915156A1 ORGANISCHER DÜNNSCHICHT-TRANSISTOR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN 审中-公开
公开(公告)号：EP3915156A1
公开(公告)日：2021-12-01
申请号：EP20701710.4
申请日：2020-01-17
申请人： Technische Universität Dresden
发明人： KLEEMANN, Hans , PARK, Seongae , VAHLAND, Jörn
IPC分类号： H01L51/00 , H01L51/10 , H01L51/05

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