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1. 发明专利

JP2003229544A MAGNETIC STORAGE 审中-公开
公开(公告)号：JP2003229544A
公开(公告)日：2003-08-15
申请号：JP2002026931
申请日：2002-02-04
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP , INOMATA KOICHIRO
发明人： OSANAGA TAKASHI , KUROIWA TAKEHARU , TAKADA YUTAKA , INOMATA KOICHIRO
IPC分类号： G11C11/14 , G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic storage that can achieve a sufficiently high S/N ratio, a fine cell area, and low electric power consumption. SOLUTION: The magnetic storage has two tunnel magnetoresistance effect elements 1a and 1b that are laminated each other so that activation can be detected. The respective tunnel magnetic resistance effect elements 1a and 1b have sticking layers 11a and 11b where a magnetization direction is fixed, recording layers 13a and 13b where the magnetization direction is changed by injecting an electron that is subjected to spin polarization, and tunnel insulating layers 12a and 12b that are arranged between the sticking layers 11a and 11b and the recording layers 13a and 13b. COPYRIGHT: (C)2003,JPO

2. 发明专利

JP2003229543A MAGNETIC STORAGE 审中-公开
公开(公告)号：JP2003229543A
公开(公告)日：2003-08-15
申请号：JP2002026909
申请日：2002-02-04
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP , INOMATA KOICHIRO
发明人： OSANAGA TAKASHI , KUROIWA TAKEHARU , TAKADA YUTAKA , INOMATA KOICHIRO
IPC分类号： G11C11/14 , G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic storage that can cope with both a sufficient S/N ratio and a fine cell area. SOLUTION: The magnetic storage stores data due to tunnel magnetic resistance effect, and has at least two tunnel magnetic resistance effect elements 1a and 1b that are laminated so that actuation can be detected. The respective tunnel magnetoresistance effect elements 1a and 1b are laminated, for example, by sandwiching a word line 3. COPYRIGHT: (C)2003,JPO

3. 发明专利

JP2003229614A MAGNETIC MATERIAL, MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE USING SUCH MAGNETIC MATERIAL AND MAGNETIC DEVICE USING SUCH MAGNETO RESISTIVE EFFECT DEVICE 审中-公开
公开(公告)号：JP2003229614A
公开(公告)日：2003-08-15
申请号：JP2002028508
申请日：2002-02-05
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP , INOMATA KOICHIRO
发明人： KUROIWA TAKEHARU , OSANAGA TAKASHI , TAKADA YUTAKA , INOMATA KOICHIRO
IPC分类号： G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/20 , H01F10/32 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic material using a new half metal, to provide a magnetoresistance effect device in which a high tunnel magneto resistance effect can be obtained by producing the magnetoresistance effect device by using such a magnetic material, and further to provide a magnetic device using such a magneto resistance effect device. SOLUTION: The magnetoresistance effect device is provided with a fixed layer 3 composed of a ferromagnetic substance, an insulating layer 4 formed on that fixed layer, and a free layer 5 formed on that insulating layer and composed of a ferromagnetic substance. Any one of or both the fixed layer 3 and the free layer 5 are each composed of a metal oxide having a spinel structure expressed by M x Fe 3-x O 4 and (x) fulfills the condition of 0 COPYRIGHT: (C)2003,JPO

4. 发明专利

DE112011103782T5 Halbleiterelement, Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelemts 未知
公开(公告)号：DE112011103782T5
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：DE112011103782
申请日：2011-04-18
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： OHTSU KENJI , YAMADA AKIRA , KUROIWA TAKEHARU , TARUTANI MASAYOSHI , KUSUNOKI TAKU
IPC分类号： H01L21/58 , H01L21/28
摘要： Es wird ein Halbleiterelement mit einer Elektrode angegeben, wobei das Halbleiterelement und eine Metall-Nanopartikel aufweisende gesinterte Schicht in stabiler Weise für eine ausreichend lange Zeitdauer haftend miteinander verbunden sind, selbst wenn das Halbleiterelement bei einer hohen Temperatur, insbesondere einer Temperatur von 175°C oder mehr, betrieben wird. Das Halbleiterelement besitzt eine Elektrode, die folgendes aufweist: eine Nickel enthaltende Metallschicht (4), die auf einer Seite von mindestens einer Oberfläche des Halbleiterelement-Ausbildungsteils gebildet ist; eine Nickelbarrieren-Metallschicht (5), die an einer Außenseite der Nickel enthaltenden Metallschicht (4) gegenüber von der Seite zu dem Halbleiterelement-Ausbildungsteil hin gebildet ist; und eine Oberflächen-Metallschicht (6), die an einer Außenseite der Nickelbarrieren-Metallschicht (5) gegenüber von der Seite zu dem Halbleiterelement-Ausbildungsteil hin gebildet ist und mit der Metall-Nanopartikel gesinterten Schicht (9) zu verbinden ist; dabei enthält die Nickelbarrieren-Metallschicht (5) ein Metall zum Unterdrücken der Diffusion von Nickel in Richtung auf die Oberflächen-Metallschicht (6).

5. 发明专利

DE112011103782B4 Halbleiterelement, Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelements 未知
公开(公告)号：DE112011103782B4
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：DE112011103782
申请日：2011-04-18
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： OHTSU KENJI , KUSUNOKI TAKU , YAMADA AKIRA , KUROIWA TAKEHARU , TARUTANI MASAYOSHI
IPC分类号： H01L29/45 , H01L21/28 , H01L21/58 , H01L29/161 , H01L29/201
摘要： Halbleiterelement (1), das über eine Metall-Nanopartikel enthaltende gesinterte Schicht (9) an einer Montageplatte (15) anzubringen ist und eine Elektrode besitzt, wobei die Elektrode Folgendes aufweist:- eine Nickel enthaltende Metallschicht (4), die Nickel enthält und auf einer Seite mindestens einer Oberfläche eines Halbleiterelement-Ausbildungsteils des Halbleiterelements (1) gebildet ist;- eine Nickelbarrieren-Metallschicht (5), die an einer Außenseite der Nickel enthaltenden Metallschicht (4) gegenüber von der Seite zu dem Halbleiterelement-Ausbildungsteil hin gebildet ist; und- eine Oberflächen-Metallschicht (6), die an einer Außenseite der Nickelbarrieren-Metallschicht (5) gegenüber von der Seite zu dem Halbleiterelement-Ausbildungsteil hin gebildet ist und mit der Metall-Nanopartikel enthaltenden gesinterten Schicht (9) zu verbinden ist; wobei die Nickelbarrieren-Metallschicht (5) Kupfer enthält, das zum Unterdrücken einer Diffusion des Nickels in Richtung auf die Oberflächen-Metallschicht (6) dient.

6. 发明专利

DE102006035661B4 Magnetfelderfassungsvorrichtung und Verfahren zu deren Einstellung 未知
公开(公告)号：DE102006035661B4
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：DE102006035661
申请日：2006-07-31
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： FURUKAWA TAISUKE , KOBAYASHI HIROSHI , TAKENAGA TAKASHI , KUROIWA TAKEHARU , BEYSEN SADEH , TAKI MASAKAZU
IPC分类号： G01R33/09 , G11B5/00 , H01L43/08
摘要： Magnetfelderfassungsvorrichtung, die Folgendes umfasst: ein Magnetwiderstandseffektelement (2) mit einer ersten ferromagnetischen Schicht (12) und einer zweiten ferromagnetischen Schicht (16), die mit einer dazwischenliegenden ersten nichtmagnetischen Schicht (14, 15) aufeinandergesetzt sind; und eine Erfassungsschaltung (6), um ein externes Magnetfeld, das an das Magnetwiderstandseffektelement (2) angelegt wird, auf Grundlage des Widerstandswerts des Magnetwiderstandseffektelements (2) zu erfassen, wobei die Magnetisierungsrichtung der ersten ferromagnetischen Schicht (12) ungeachtet des externen Magnetfelds feststeht, sich die Magnetisierungsrichtung der zweiten ferromagnetischen Schicht (16) mit dem externen Magnetfeld ändert, sich das Magnetwiderstandseffektelement (2) im Widerstandswert in Übereinstimmung mit der Korrelation zwischen den Magnetisierungsrichtungen der ersten und zweiten ferromagnetischen Schicht ändert, die Magnetfelderfassungsvorrichtung darüber hinaus eine Vormagnetisiereinheit (4) umfasst, um ein Vormagnetisierungsfeld, das eine magnetische Feldkomponente senkrecht zur Magnetisierungsrichtung der ersten ferromagnetischen Schicht aufweist, an das Magnetwiderstandseffektelement anzulegen und eine Kennlinie des Widerstandswerts des Magnetwiderstandseffektelements (2) auf das externe Magnetfeld abzuändern, und die Erfassungsschaltung (6) konfiguriert ist, um das externe magnetische Feld zu detektieren, basierend auf dem Widerstandswert des Magnetwiderstandseffektelements (2) und einer Erfassungsempfindlichkeit in Abhängigkeit von dem Wert der magnetischen Feldkomponente senkrecht auf die Magnetisierungsrichtung der ersten ferromagnetischen Schicht.

7. 发明专利

DE102006024722A1 未知
公开(公告)号：DE102006024722A1
公开(公告)日：2007-04-12
申请号：DE102006024722
申请日：2006-05-26
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： FURUKAWA TAISUKE , KOBAYASHI HIROSHI , TAKENAGA TAKASHI , KUROIWA TAKEHARU , SADEH BEYSEN , TAKI MASAKAZU
IPC分类号： G01R33/09 , H01L43/08
摘要： A magnetic field detector includes: a magnet; a detecting magnetic resistance element having a layer structure containing a ferromagnetic layer, the resistance being changed when a direction of magnetization of the ferromagnetic layer is changed; and a reference magnetic resistance element having substantially the same layer structure as that of the detecting magnetic resistance element. A magnetic field, the magnetic intensity of which is higher than the saturation magnetic field, is impressed by the magnet in a direction which is sensed by the ferromagnetic layer of the reference magnetic resistance element.

8. 发明专利

DE112013006661B4 Verfahren zum Herstellen eines SIC-Epitaxialwafers 未知
公开(公告)号：DE112013006661B4
公开(公告)日：2023-01-19
申请号：DE112013006661
申请日：2013-12-26
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TOMITA NOBUYUKI , MITANI YOICHIRO , TANAKA TAKANORI , KAWABATA NAOYUKI , TOYODA YOSHIHIKO , KUROIWA TAKEHARU , HAMANO KENICHI , ONO AKIHITO , OCHI JUNJI , KAWAZU ZEMPEI
IPC分类号： H01L21/205 , C30B29/36
摘要： Verfahren zum Herstellen eines SiC-Epitaxialwafers, Folgendes umfassend:einen ersten Schritt des Bewirkens, indem ein Si-Zufuhrgas und ein C-Zufuhrgas als Rohmaterialgase zugeführt werden, dass ein erstes Epitaxialwachstum auf einem SiC-Massivsubstrat mit einer 4H-SiC (0001)-Ebene mit einem Versatzwinkel von weniger als 5° als einer Hauptfläche bei einer ersten Temperatur von 1480 °C oder höher und 1530 °C oder niedriger vonstatten geht;einen zweiten Schritt des Stoppens der Zufuhr des Si-Zufuhrgases und des C-Zufuhrgases während eines Zeitraums des Erhöhens der Temperatur des SiC-Massivsubstrats von der ersten Temperatur auf eine zweite Temperatur, die höher ist als die erste Temperatur; undeinen dritten Schritt des Bewirkens, indem das Si-Zufuhrgas und das C-Zufuhrgas zugeführt werden, dass ein zweites Epitaxialwachstum auf dem SiC-Massivsubstrat mit der im zweiten Schritt erhöhten Temperatur bei der zweiten Temperatur vonstatten geht,wobei der zweite Schritt in einer Atmosphäre aus einem Reduktionsgas erfolgt, dem ein Chlorgas zugesetzt wird.

9. 发明专利

DE112016005558B4 Siliciumcarbid-Halbleitereinheit 未知
公开(公告)号：DE112016005558B4
公开(公告)日：2023-01-12
申请号：DE112016005558
申请日：2016-09-29
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TANAKA RINA , FUKUI YUTAKA , SUGAWARA KATSUTOSHI , KUROIWA TAKEHARU , KAGAWA YASUHIRO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/161 , H01L29/739
摘要： Siliciumcarbid-Halbleitereinheit, die Folgendes aufweist:- eine Siliciumcarbid-Driftschicht (2) eines ersten Leitfähigkeitstyps, die an einer oberen Oberfläche eines Siliciumcarbid-Halbleitersubstrats (1) ausgebildet ist, das einen Versatzwinkel aufweist;- einen Körperbereich (5) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der an einer oberen Oberfläche der Siliciumcarbid-Driftschicht (2) ausgebildet ist;- einen Source-Bereich (3) des ersten Leitfähigkeitstyps, der teilweise an einer Oberflächenschicht des Körperbereichs (5) ausgebildet ist;- eine Mehrzahl von Gräben (7), die den Körperbereich (5) von einer oberen Oberfläche des Source-Bereichs (3) aus durchdringen und bis zu der Siliciumcarbid-Driftschicht (2) reichen;- eine Gate-Isolierschicht (9), die an einer Wandoberfläche im Inneren von jedem der Mehrzahl von Gräben (7) ausgebildet ist;- eine Gate-Elektrode (10), die so im Inneren von jedem der Mehrzahl von Gräben (7) ausgebildet ist, dass sie die Gate-Isolierschicht (9) bedeckt;- eine Source-Elektrode (11), die so ausgebildet ist, dass sie den Source-Bereich (3) bedeckt;- eine Drain-Elektrode (12), die auf der Seite einer unteren Oberfläche der Siliciumcarbid-Driftschicht (2) ausgebildet ist;- eine die Verarmung unterbindende Schicht (6, 6B) des ersten Leitfähigkeitstyps, die an einer unteren Oberfläche des Körperbereichs (5) ausgebildet ist und eine Störstellenkonzentration aufweist, die höher als jene der Siliciumcarbid-Driftschicht (2) ist, wobei- die die Verarmung unterbindende Schicht (6, 6B) so positioniert ist, dass sie in einer Draufsicht sandwichartig zwischen der Mehrzahl von Gräben (7) angeordnet ist, und- sich der Abstand zwischen der die Verarmung unterbindenden Schicht (6, 6B) und dem einen der Gräben (7) benachbart zu der die Verarmung unterbindenden Schicht (6, 6B) von dem Abstand zwischen der die Verarmung unterbindenden Schicht (6, 6B) und dem anderen der Gräben (7) benachbart zu der die Verarmung unterbindenden Schicht (6, 6B) in einer Richtung mit dem Versatzwinkel des Siliciumcarbid-Halbleitersubstrats (1) unterscheidet.

10. 发明专利

DE112011101625B4 Epitaktische Siliciumcarbid-Wafer und Herstellungsverfahren für diese, Siliciumcarbid-Massensubstrat für epitaktisches Wachstum und Herstellungsverfahren für dieses 未知
公开(公告)号：DE112011101625B4
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：DE112011101625
申请日：2011-03-18
申请人： MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人： TOMITA NOBUYUKI , HAMANO KENICHI , KUROIWA TAKEHARU , SUMITANI HIROAKI , TARUTANI MASAYOSHI , MITANI YOICHIRO , IMAIZUMI MASAYUKI , OHTSUKA KENICHI , FURUSHO TOMOAKI , SAWADA TAKAO , ABE YUJI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/42 , C30B25/18 , C30B29/36 , H01L29/161
摘要： Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Siliciumcarbid-Wafers, das Folgendes aufweist: – einen ersten Schritt des Temperns eines Siliciumcarbid-Massensubstrats, das um weniger als 5 Grad von einer Fläche aus geneigt ist, in einer Reduziergas enthaltenden Atmosphäre bei einer ersten Temperatur T1 über eine Behandlungszeit t; – einen zweiten Schritt des Senkens der Temperatur des Substrats in der Reduziergasatmosphäre; und – einen dritten Schritt des Durchführens eines epitaktischen Wachstums bei einer zweiten Temperatur T2 unter der Tempertemperatur T1 des ersten Schritts, wobei ein Gas zugeführt wird, das ein Siliciumatome beinhaltendes Gas und/oder ein Kohlenstoffatome beinhaltendes Gas enthält.

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