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1. 发明申请

WO2008096656A1 ケイ素含有ポリマーおよびその合成方法、膜形成用組成物、ならびにシリカ系膜およびその形成方法审中-公开
标题翻译：含硅聚合物，其合成方法，成膜组合物，硅胶膜和形成硅胶膜的方法
公开(公告)号：WO2008096656A1
公开(公告)日：2008-08-14
申请号：PCT/JP2008/051492
申请日：2008-01-31
申请人： JSR株式会社 , 中川恭志 , 服部清太郎 , 徳重直久 , 野辺洋平 , 秋山将宏
发明人：中川恭志 , 服部清太郎 , 徳重直久 , 野辺洋平 , 秋山将宏
IPC分类号： C08G77/50 , C01B33/12 , C09D183/04 , C09D183/08 , C09D183/14 , C09D185/00 , H01L21/312 , H01L21/316
CPC分类号： C09D183/08 , C08G77/50 , C09D183/04 , C09D183/14 , H01L21/3121 , H01L21/316
摘要：　ケイ素含有ポリマーの合成方法は、（Ａ）加水分解性シランモノマーおよび（Ｂ）加水分解性ポリカルボシランから選ばれた少なくとも１種の加水分解性シラン化合物を含む第１の液を、水および触媒を含む第２の液に添加し、該加水分解性シラン化合物を加水分解縮合させる工程を含む。
摘要翻译：公开了一种合成含硅聚合物的方法，其包括将含有至少一种可水解硅烷单体（A）和可水解聚碳硅烷（B）的可水解硅烷化合物的第一液体添加到含水的第二液体的步骤，催化剂，从而引起可水解硅烷化合物的水解缩合。

2. 发明申请

WO2007055097A1 ポリカルボシランおよびその製造方法、塗布用シリカ系組成物、およびシリカ系膜审中-公开
标题翻译：聚碳酸酯，其制造方法，涂料用二氧化硅组合物和硅胶膜
公开(公告)号：WO2007055097A1
公开(公告)日：2007-05-18
申请号：PCT/JP2006/321148
申请日：2006-10-24
申请人： JSR株式会社 , 中川恭志 , 秋山将宏 , 古川剛 , 徳重直久
发明人：中川恭志 , 秋山将宏 , 古川剛 , 徳重直久
IPC分类号： C08G77/60 , C09D183/16
CPC分类号： C09D183/14 , C08G77/50 , C08G77/60 , C09D183/16
摘要：　ポリカルボシランは、ケイ素原子と炭素原子とが交互に連続してなる主鎖を有し、かつ、下記一般式（１）で表される構造単位、下記一般式（２）で表される構造単位、下記一般式（３）で表される構造単位、および下記一般式（４）で表される構造単位を含む。
摘要翻译：公开了一种具有主链的聚碳硅烷，其中硅原子和碳原子连续交替，同时含有下述通式（1）表示的结构单元，下述通式（2）表示的结构单元，结构单元由下述通式（3）表示的结构单元和由下述通式（4）表示的结构单元。

3. 发明申请

WO2008066060A1 ポリマーの製造方法、絶縁膜形成用組成物、ならびにシリカ系絶縁膜およびその製造方法审中-公开
标题翻译：制造聚合物的方法，用于形成绝缘膜的组合物和二氧化硅绝缘膜及其制备方法
公开(公告)号：WO2008066060A1
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：PCT/JP2007/072902
申请日：2007-11-28
申请人： JSR株式会社 , 野辺洋平 , 中川恭志 , 服部清太郎 , 秋山将宏
发明人：野辺洋平 , 中川恭志 , 服部清太郎 , 秋山将宏
IPC分类号： C08G77/50 , C09D183/14 , H01B3/46 , H01L21/316 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/3122 , C08G77/50 , C08G77/58 , C09D183/16 , H01B3/46 , H01L21/02126 , H01L21/02211 , H01L21/31612 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　ポリマーの製造方法は、（Ａ）下記一般式（１）で表される少なくとも１種のポリカルボシラン化合物と、（Ｂ）下記一般式（２）で表される加水分解性シラン化合物で表される化合物から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物とを、（Ｃ）金属キレート化合物および酸性触媒もしくはいずれか一方の存在下で反応させて中間体を得た後、該中間体を（Ｄ）塩基性触媒の存在下で処理する工程を含む。
摘要翻译：公开了一种聚合物的制造方法，其包括使（A）至少一种下述通式（1）表示的聚碳硅烷化合物与（B）至少一种选自水解性硅烷的硅烷化合物在（C）金属螯合物和酸性催化剂中的一种或两种的存在下，由下述通式（2）表示的化合物，然后在（D）碱性催化剂的存在下处理如此得到的中间体。

4. 发明申请

WO2007119554A1 ポリマーの製造方法、ポリマー、ポリマー膜形成用組成物、ポリマー膜の形成方法およびポリマー膜审中-公开
标题翻译：用于生产聚合物的方法，聚合物，用于形成聚合物膜的组合物，形成聚合物膜的方法和聚合物膜
公开(公告)号：WO2007119554A1
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：PCT/JP2007/056597
申请日：2007-03-28
申请人： JSR株式会社 , 中川恭志 , 野辺洋平 , 服部清太郎 , 秋山将宏
发明人：中川恭志 , 野辺洋平 , 服部清太郎 , 秋山将宏
IPC分类号： C08G77/48 , B05D7/24 , C09D5/25 , C09D183/04 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01L21/312 , C08K5/00 , C08L83/14
CPC分类号： C09D183/14 , C08G77/50 , C08L83/14 , H01L21/3121
摘要： Disclosed is a composition for forming a polymer film, which contains a polymer obtained by co-condensing (A) at least one hydrolyzable group-containing silane compound selected from the group consisting of compounds represented by the general formulae (1) and (2) below, and (B) at least one cyclic silane monomer selected from the group consisting of compounds represented by the general formula (3) below, and an organic solvent. [Chemical formula 1] (3) (In the formula, R 4 -R 7 may be the same as or different from one another and respectively represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxyl group, an acyloxy group, a sulfone group, a methanesulfone group, a trifluoromethanesulfone group or a monovalent hydrocarbon group; m represents an integer of 1-6; and n represents an integer of 1-10.)
摘要翻译：公开了一种用于形成聚合物膜的组合物，其包含通过使（A）至少一种选自由通式（1）和（2）表示的化合物组成的组中的至少一种可水解基团的硅烷化合物共缩合而获得的聚合物，和（B）至少一种选自下述通式（3）表示的化合物和有机溶剂的环状硅烷单体。 [化学式1]（3）（式中，R 4〜R 7可以相同或不同，分别表示氢原子，卤素原子，羟基，烷氧基，酰氧基，砜基，甲烷基，三氟甲烷基或一价烃基; m表示1〜6的整数，n表示1〜10的整数。）

5. 发明申请

WO2007139004A1 絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜およびその形成方法审中-公开
标题翻译：用于形成绝缘膜的组合物，其生产方法，二氧化硅基层绝缘膜和形成膜的方法
公开(公告)号：WO2007139004A1
公开(公告)日：2007-12-06
申请号：PCT/JP2007/060681
申请日：2007-05-25
申请人： JSR株式会社 , 中川恭志 , 野辺洋平 , 秋山将宏 , 小久保輝一
发明人：中川恭志 , 野辺洋平 , 秋山将宏 , 小久保輝一
IPC分类号： C09D183/14 , C08G77/50 , H01B3/46 , H01L21/312 , H01L21/316
CPC分类号： H01B3/46 , C08G77/50 , C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/3122 , H01L21/316
摘要： A composition for forming insulating films, which comprises both a condensate prepared by the condensation through hydrolysis of (A) at least one silane selected from the group consisting of compounds represented by the general formula (1) and compounds represented by the general formula (2) with (B) a carbosilane having a structure represented by the general formula (3) and an organic solvent: R 1
摘要翻译：一种用于形成绝缘膜的组合物，其包含通过水解（A）至少一种选自由通式（1）表示的化合物和由通式（2）表示的化合物的硅烷）与（B）具有由通式（3）表示的结构的碳硅烷和有机溶剂：R 1

6. 发明申请

WO2007088908A1 有機シリカ系膜およびその形成方法、半導体装置の絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびに配線構造体および半導体装置审中-公开
标题翻译：有机硅膜及其形成方法，用于形成半导体器件绝缘膜的组合物及其制造方法，接线结构和半导体器件
公开(公告)号：WO2007088908A1
公开(公告)日：2007-08-09
申请号：PCT/JP2007/051631
申请日：2007-01-31
申请人： JSR株式会社 , 中川恭志 , 山中達也 , 秋山将宏 , 小久保輝一 , 野辺洋平
发明人：中川恭志 , 山中達也 , 秋山将宏 , 小久保輝一 , 野辺洋平
IPC分类号： H01L21/312 , C09D183/04 , C09D183/14
CPC分类号： C09D183/04 , C08G77/60 , C09D183/14 , H01B3/46 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/3122 , H01L21/316 , C08L83/00
摘要：　半導体装置の絶縁膜形成用組成物は、炭素原子の含有率が１１～１７原子％である有機シリカゾルと、有機溶媒と、を含む半導体装置の絶縁膜形成用組成物であって、前記有機シリカゾルは、加水分解縮合物Ｐ１および加水分解縮合物Ｐ２を含み、前記加水分解縮合物Ｐ１は、（Ａ）加水分解性基含有シランモノマーおよび（Ｂ）加水分解性基を有するポリカルボシランを（Ｃ）塩基性触媒の存在下、加水分解縮合して得られ、前記加水分解縮合物Ｐ２は、（Ｄ）加水分解性基含有シランモノマーを加水分解縮合して得られた。
摘要翻译：公开了含有碳原子数为11〜17原子的有机硅溶胶和有机溶剂的半导体装置用绝缘膜的组合物。有机硅溶胶含有水解缩合产物P1和另一水解缩合产物P2。水解缩合产物P1是通过在碱性催化剂（C）的存在下使具有可水解基团的硅烷单体（A）和具有可水解基团的聚碳硅烷（B）水解缩合而得到的，而水解缩合产物P2 是通过水解和缩合含可水解基团的硅烷单体（D）获得的。

7. 发明申请

WO2005042247A1 積層体およびその形成方法、絶縁膜、半導体装置、ならびに膜形成用組成物审中-公开
标题翻译：层压体及其形成方法，绝缘膜，半导体器件及其成膜组合物
公开(公告)号：WO2005042247A1
公开(公告)日：2005-05-12
申请号：PCT/JP2004/016110
申请日：2004-10-29
申请人： JSR株式会社 , 秋山将宏 , 服部清太郎 , 黒澤孝彦 , 関口学 , 小久保輝一 , 三田倫広 , 山中達也 , 小尾正樹
发明人：秋山将宏 , 服部清太郎 , 黒澤孝彦 , 関口学 , 小久保輝一 , 三田倫広 , 山中達也 , 小尾正樹
IPC分类号： B32B27/00
CPC分类号： H01L21/02118 , C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/022 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L21/76801 , H01L21/76825 , H01L21/76828 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , Y10T428/1014 , Y10T428/31663
摘要：　低い比誘電率を有し、密着性に優れた積層体およびその形成方法、絶縁膜、半導体装置、ならびに膜形成用組成物を提供する。　本発明の積層体は、第１のシリカ系膜と、第２のシリカ系膜と、有機系膜とを含み、前記第２のシリカ系膜は、炭素−炭素二重結合または炭素−炭素三重結合を有する１価の有機基を有する。　本発明の積層体の形成方法は、基材の上に第１のシリカ系膜のための第１の塗膜を形成し、前記第１の塗膜の上に、第２のシリカ系膜のための炭素−炭素二重結合または炭素−炭素三重結合を有する１価の有機基を有する第２の塗膜を形成し、前記第２の塗膜の上に、前記有機系膜のための第３の塗膜を形成し、前記第１～第３の塗膜からなる積層膜を硬化すること、を含む。
摘要翻译：一种层压体，其包含第一二氧化硅基膜，第二二氧化硅基膜和有机膜，其中所述第二二氧化硅基膜具有含有碳 - 碳双键或碳 - 碳三键的一价有机基团 ; 一种形成上述层压体的方法，包括在基材上形成第一二氧化硅基膜的第一涂膜，形成具有含碳碳双键或碳 - 碳三元组的一价有机基团的第二涂膜在第一涂膜上形成第二二氧化硅基膜，在第二涂膜上形成用于有机膜的第三涂膜，然后固化包含上述第一至第三涂膜的层压膜; 绝缘膜; 半导体器件; 和用于形成膜的组合物。上述层叠体的介电常数低，膜之间的粘合性优异。

8. 发明申请

WO2005068540A1 絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜およびその形成方法审中-公开
标题翻译：用于形成绝缘膜的组合物，其制造方法，二氧化硅绝缘膜及其形成方法
公开(公告)号：WO2005068540A1
公开(公告)日：2005-07-28
申请号：PCT/JP2005/000374
申请日：2005-01-14
申请人： JSR株式会社 , 中川恭志 , 秋山将宏 , 黒澤孝彦 , 塩田淳
发明人：中川恭志 , 秋山将宏 , 黒澤孝彦 , 塩田淳
IPC分类号： C08G77/48
CPC分类号： C08G77/48 , C08G77/08 , C08G77/50 , C09D183/14 , H01B3/30 , H01L21/02126 , H01L21/0234 , H01L21/02348 , H01L21/02351 , H01L21/3121 , Y10T428/31663
摘要：　本発明の絶縁膜形成用組成物は、（Ｂ）ポリカルボシランおよび（Ｃ）塩基性触媒の存在下、（Ａ）加水分解性基含有シランモノマーを加水分解縮合して得られた加水分解縮合物と、有機溶媒と、を含む。
摘要翻译：公开了一种用于形成绝缘膜的组合物，其含有在聚碳硅烷（B）和碱性催化剂（C）的存在下含有可水解基团的硅烷单体（A）通过水解缩合获得的水解缩合产物，以及有机溶剂。

9. 发明申请

WO2005108516A1 絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜およびその形成方法审中-公开
标题翻译：用于形成绝缘膜的组合物，其制造方法，二氧化硅绝缘膜及其形成方法
公开(公告)号：WO2005108516A1
公开(公告)日：2005-11-17
申请号：PCT/JP2005/008222
申请日：2005-04-28
申请人： JSR株式会社 , 秋山将宏 , 中川恭志 , 黒澤孝彦 , 塩田淳
发明人：秋山将宏 , 中川恭志 , 黒澤孝彦 , 塩田淳
IPC分类号： C09D183/14
CPC分类号： C08L83/14 , C08G77/50 , C08G77/60 , C09D183/14 , H01B3/30 , H01L21/02126 , H01L21/0234 , H01L21/02348 , H01L21/02351 , H01L21/3121 , Y10T428/31663
摘要： Disclosed is a composition for forming an insulating film containing a hydrolysis-condensation product and an organic solvent which hydrolysis-condensation product is obtained through hydrolysis-condensation of a component (A), which is at least one silane compound selected from the group consisting of compounds represented by the general formulae (1)-(3) below, performed in the presence of a component (B), which is a polycarbosilane having a main chain with a structure expressed as -(Si-CH2)x- and a structure represented by the general formula (4) below, a structure represented by the general formula (5) below, a structure represented by the general formula (6) below and a structure represented by the general formula (7) below.
摘要翻译：公开了一种用于形成含有水解缩合产物和有机溶剂的绝缘膜的组合物，该水解缩合产物是通过水溶 - 缩合得到的组分（A）获得的，所述组分（A）是至少一种选自以下的硅烷化合物：在下述通式（1） - （3）表示的化合物在作为具有以 - （Si-CH 2）x - 表示的结构的主链的聚碳硅烷的组分（B）存在下进行，结构由下述通式（4）表示的结构，下述通式（5）表示的结构，下述通式（6）表示的结构和下述通式（7）表示的结构。

10. 发明申请

WO2005068538A1 ポリマーの製造方法、ポリマー、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、および絶縁膜审中-公开
标题翻译：用于生产聚合物的方法，聚合物，用于形成绝缘膜的组合物，用于生产绝缘膜的方法和绝缘膜
公开(公告)号：WO2005068538A1
公开(公告)日：2005-07-28
申请号：PCT/JP2005/000372
申请日：2005-01-14
申请人： JSR株式会社 , 中川恭志 , 秋山将宏 , 黒澤孝彦 , 塩田淳
发明人：中川恭志 , 秋山将宏 , 黒澤孝彦 , 塩田淳
IPC分类号： C08G77/48
CPC分类号： H01L21/02126 , C09D183/14 , H01B3/30 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3121 , H01L21/3122
摘要：　例えば半導体素子などにおける層間絶縁膜として好適に用いることができ、かつ、比誘電率が小さく、機械的強度や密着性に優れ、均一な膜質を有する膜を形成することができるポリマーの製造方法、ポリマー、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、および絶縁膜を提供する。　本発明のポリマーの製造方法は、（Ａ）ポリカルボシランの存在下、（Ｂ）加水分解性基含有シランモノマーを加水分解縮合することを含み、前記（Ａ）ポリカルボシランが、以下のポリマー（Ｉ）である。　（Ｉ）（ａ）下記一般式（１）で表される化合物と、（ｂ）下記一般式（２）で表される化合物および下記一般式（３）で表される化合物の群から選ばれた少なくとも１種とを、有機溶媒中でアルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方の存在下にて反応させて得られるポリマー（Ｉ）：　　Ｒ１ｋＣＸ４−ｋ　　　　・・・・・（１）　　Ｒ２ｋＳｉＹ４−ｋ　　　・・・・・（２）　　Ｒ３ｍＹ３−ｍＳｉＣＲ４ｎＸ３−ｎ　　　　　・・・・・（３）　（式中、Ｒ１～Ｒ４は同一または異なり、それぞれ１価の有機基または水素原子を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、Ｙはハロゲン原子またはアルコキシ基を示し、ｋは０～３の整数を示し、ｍおよびｎは同一または異なり、０～２の整数を示す。）
摘要翻译：公开了一种聚合物的制造方法，其能够形成可适用于半导体装置中的层间绝缘膜的膜，相对介电常数低，机械强度和粘合性优异，膜质均匀的膜。还公开了聚合物，用于形成绝缘膜的组合物，绝缘膜的制造方法和绝缘膜。具体公开了在聚碳硅烷（A），其中聚碳硅烷（A）为下述聚合物（I）的存在下，含有水解性基团的硅烷单体（B）的水解缩合的聚合物的制造方法。聚合物（I）通过使下述通式（1）表示的化合物（a），下述通式（2）表示的化合物（b）和下述通式（2）表示的化合物（c））在有机溶剂中，在碱金属和碱土金属中的至少一种的存在下，由下述通式（3）表示。 R 1 kCX 4-k（1）R 2 kSiY 4-k（2）R 3 mY 3-m SiCR 4 n X 3-n（3）（在式中，R 1 -R 4 可以相同或不同，分别表示一价有机基团或氢原子; X表示卤素原子; Y表示卤素原子或烷氧基; k表示0-3的整数，m和n可以是相同或不同，分别表示0-2的整数。）

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