专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2004040668A2 FELDEFFEKTTRANSISTOR-ANORDNUNG UND SCHALTKREIS-ARRAY 审中-公开
标题翻译：场效应晶体管布置和电路阵列
公开(公告)号：WO2004040668A2
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：PCT/DE2003/003612
申请日：2003-10-30
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , GRAHAM, Andrew , HOFMANN, Franz , HÖNLEIN, Wolfgang , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
发明人： GRAHAM, Andrew , HOFMANN, Franz , HÖNLEIN, Wolfgang , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
IPC分类号： H01L51/20
CPC分类号： G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C2213/17 , H01L27/283 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/0512
摘要： Die Erfindung betrifft eine Feldeffekttransistor-Anordnung und ein Schaltkreis-Array. Die Feldeffekttransistor-Anordnung enthält ein Substrat, eine erste Verdrahtungsebene mit einem ersten Source-/Drain-Bereich auf dem Substrat und eine zweite Verdrahtungsebene mit einem zweiten Source-/Drain-Bereich über der ersten Verdrahtungsebene. Ferner enthält die Feldeffekttransistor-Anordnung mindestens ein vertikales Nanoelement als Kanal-Bereich, das zwischen den Verdrahtungsebenen angeordnet und mit beiden gekoppelt ist. Das Nanoelement ist zumindest teilweise von elektrisch leitfähigem Material als Gate-Bereich umgeben, wobei elektrisch isolierendes Material als Gate-isolierende Schicht zwischen dem Nanoelement und dem elektrisch leitfähigen Material vorgesehen ist.
摘要翻译：本发明涉及一种场效应晶体管装置和电路阵列。所述场效应晶体管器件包括衬底，其具有第一源的第一布线层中的基板和第二布线层上/漏极区与第二源极/漏极区域在所述第一布线电平。此外，场效应晶体管装置包括至少一个垂直nanoelement作为设置在布线层之间，并耦合到沟道区。纳米元件至少部分地由导电材料包围的栅极区域，所述电绝缘材料作为纳米元件和所述导电材料之间的栅绝缘层提供。

2. 发明申请

WO2004040666A1 VERTIKAL INTEGRIERTES BAUELEMENT, BAUELEMENT-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES VERTIKAL INTEGRIERTEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：垂直集成组件，部件布置和方法产生垂直集成组件
公开(公告)号：WO2004040666A1
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：PCT/DE2003/003587
申请日：2003-10-29
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , GRAHAM, Andrew , HOFMANN, Franz , HÖNLEIN, Wolfgang , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
发明人： GRAHAM, Andrew , HOFMANN, Franz , HÖNLEIN, Wolfgang , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
IPC分类号： H01L51/20
CPC分类号： H01L29/78642 , B82Y10/00 , H01L27/283 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/66439 , H01L29/66742 , H01L29/66787 , H01L29/775 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/0512
摘要： Die Erfindung betrifft ein vertikal integriertes Bauelement, eine Bauelement-Anordnung und ein Verfahren zum Herstellen eines vertikal integrierten Bauelements. Das vertikal integrierte Bauelement hat eine erste elektrisch leitfähige Schicht (101), eine teilweise aus dielektrischem Material ausgebildete Mittel-Schicht (102) auf der ersten elektrisch leitfähigen Schicht, eine zweite elektrisch leitfähige Schicht (103), auf der Mittel-Schicht und eine in ein in die Mittel-Schicht eingebrachtes Durchgangsloch integrierte Nanostruktur (104) mit einem ersten, mit der ersten elektrisch leitfähigen Schicht gekoppelten Endabschnitt und mit einem zweiten, mit der zweiten elektrisch leitfähigen Schicht gekoppelten Endabschnitt. Die Mittel-Schicht weist zwischen zwei benachbarten dielektrischen Teilschichten (102a, 102b) eine dritte elektrisch leitfähige Schicht (105) auf, deren Dicke geringer ist als die Dicke von zumindest einer der dielektrischen Teilschichten.
摘要翻译：本发明涉及一种垂直整合的部件，一个部件布置和用于制造垂直集成部件的方法。具有在第一导电层（101），由电介质材料中间层（102）的第一导电层上形成的部分的开口，所述中心层上的第二导电层（103）和一个垂直集成部件通孔集成纳米结构（104）具有耦合到所述第一导电层与第二端部以及与所述第二导电层的端部的第一输入引入到中间层。中间层具有两个相邻的电介质子层（102A，102B）的第三导电层（105），其厚度比电介质子层中的至少一个的厚度小之间。

3. 发明申请

WO2004040667A1 NICHTFLÜCHTIGE SPEICHERZELLE, SPEICHERZELLEN-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER NICHTFLÜCHTIGEN SPEICHERZELLE 审中-公开
标题翻译：非易失性存储器单元，存储器单元装置及其制造方法非挥发性记忆体单元
公开(公告)号：WO2004040667A1
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：PCT/DE2003/003588
申请日：2003-10-29
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , GRAHAM, Andrew , HOFMANN, Franz , HÖNLEIN, Wolfgang , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
发明人： GRAHAM, Andrew , HOFMANN, Franz , HÖNLEIN, Wolfgang , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
IPC分类号： H01L51/20
CPC分类号： H01L29/7888 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C2213/17 , H01L21/28282 , H01L21/84 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L27/1203 , H01L27/28 , H01L29/66833 , H01L29/792 , H01L29/7926 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/057
摘要： Die Erfindung betrifft eine nichtflüchtige Speicherzelle, eine Speicherzellen-Anordnung und ein Verfahren zum Herstellen einer nichtflüchtigen Speicherzelle. Die nichtflüchtige Speicherzelle enthält einen Vertikal-Feldeffekttransistor mit einem als Kanal-Bereich eingerichteten Nanoelement und eine das Nanoelement zumindest teilweise umgebende elektrisch isolierende Schicht als Ladungsspeicherschicht und als Gate-isolierende Schicht. Diese ist derart eingerichtet, dass elektrische Ladungsträger selektiv darin einbringbar oder daraus entfernbar sind, und dass die elektrische Leitfähigkeit des Nanoelements charakteristisch von in der elektrisch isolierenden Schicht eingebrachten elektrischen Ladungsträgern beinflussbar ist.
摘要翻译：本发明涉及一种非易失性存储器单元，存储器单元阵列和制造非易失性存储器单元的方法。非易失性存储器单元包括：具有沟道区的纵向场效应晶体管被设置为一个nanoelement和nanoelement至少部分地包围电绝缘层作为电荷存储层和所述栅绝缘层。这被构造成使得电荷载流子在其中被引入到或选择性地移除，并且所述nanoelement的电导率是引入到所述电绝缘层的电荷载流子beinflussbar的特征。

4. 发明申请

WO2004040644A2 SPEICHERZELLE, SPEICHERZELLEN-ANORDNUNG, STRUKTURIER-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER SPEICHERZELLE 审中-公开
标题翻译：存储器单元，存储器单元布置，结构布置和用于产生存储器单元的方法
公开(公告)号：WO2004040644A2
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：PCT/DE2003/003589
申请日：2003-10-29
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , GRAHAM, Andrew , HOFMANN, Franz , HÖNLEIN, Wolfgang , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
发明人： GRAHAM, Andrew , HOFMANN, Franz , HÖNLEIN, Wolfgang , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
IPC分类号： H01L21/8239
CPC分类号： G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C13/0033 , G11C2213/16 , H01L27/10841 , H01L27/10864 , H01L27/10876 , H01L27/283 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/0512 , H01L51/057
摘要： Die Erfindung betrifft eine Speicherzelle, eine Speicherzellen-Anordnung, eine Strukturier-Anordnung und ein Verfahren zum Herstellen einer Speicherzelle. Die Speicherzelle hat einen Vertikal-Schalt-Transistor und einen Speicher-Kondensator, wobei der Vertikal-Schalt-Transistor eine halbleitende Nanostruktur aufweist, die auf zumindest einem Teil des Speicher-Kondensators aufgewachsen ist.
摘要翻译：存储器单元，存储器单元布置，构造布置以及用于制造存储器单元的方法技术领域本发明涉及一种存储器单元，存储器单元具有垂直开关晶体管和存储电容器，垂直开关晶体管具有在至少部分存储电容器上生长的半导体纳米结构

5. 发明申请

WO2002092505A2 NANORÖHREN-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER NANORÖHREN-ANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：碳纳米管安排和方法制造纳米管安排
公开(公告)号：WO2002092505A2
公开(公告)日：2002-11-21
申请号：PCT/EP2002/005433
申请日：2002-05-16
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , GRAHAM, Andrew , HOFMANN, Franz , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang
发明人： GRAHAM, Andrew , HOFMANN, Franz , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang
IPC分类号： C01B31/02
CPC分类号： H01L51/0048 , B82Y10/00 , C01B32/05 , G01N27/127 , G11C13/025 , H01L51/0595
摘要： Die Erfindung betrifft eine Nanoröhren-Anordnung mit einem Substrat, einer Katalysatorschicht, die einen oder mehrere Teilbereiche aufweist, auf der Oberfläche des Substrats sowie mindestens einer parallel zur Oberfläche des Substrats auf der Oberfläche der Katalysatorschicht angeordneten Nanoröhre. Die Nanoröhren-Anordnung weist ferner eine elektrisch isolierende Schicht zwischen dem Substrat und den Nanoröhren mit einer derartigen Topographie auf, dass die mindestens eine Nanoröhre in ihren Endabschnitten auf der elektrisch isolierenden Schicht aufliegt und in ihren Mittenabschnitt frei liegt. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen einer Nanoröhren-Anordnung.
摘要翻译：本发明涉及一种纳米管装置，其包括催化剂层布置的纳米管的表面上的衬底，包括一个或多个子区域的催化剂层，在衬底的表面上和至少一个平行于衬底的表面上。纳米管组件还包括基板，并且具有使得所述至少一个纳米管搁在其端部上的电绝缘层上，并在其中间部分露出的形貌纳米管之间的电绝缘层。本发明还涉及一种用于制造纳米管阵列。

6. 发明申请

WO2003005369A2 MOLEKULARELEKTRONIK-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER MOLEKULARELEKTRONIK-ANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：分子电子器件及其制造方法分子电子器件
公开(公告)号：WO2003005369A2
公开(公告)日：2003-01-16
申请号：PCT/DE2002/002379
申请日：2002-07-01
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HARTWICH, Jessica , KRETZ, Johannes , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang
发明人： HARTWICH, Jessica , KRETZ, Johannes , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang
IPC分类号： G11C13/02
CPC分类号： G11C13/0019 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , H01L51/0048 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0093 , H01L51/0595
摘要： Die Erfindung betrifft eine Molekularelektronik-Anordnung mit einem Substrat, mindestens einer ersten Leiterbahn, die eine Oberfläche aufweist, und die in bzw. auf dem Substrat angeordnet ist, einem auf der Oberfläche der mindestens einen ersten Leiterbahn angeordneten Abstandshalter, der die Oberfläche der mindestens einen ersten Leiterbahn teilweise bedeckt, mindestens einer auf dem Abstandshalter angeordneten zweiten Leiterbahn, die eine Oberfläche aufweist, die der Oberfläche der mindestens einen ersten Leiterbahn flächig gegenüberliegt, wobei der Abstandshalter die Oberfläche der mindestens einen zweiten Leiterbahn teilweise bedeckt, und wobei mittels des Abstandshalters ein vorgegebener Abstand zwischen der mindestens einen ersten Leiterbahn und der mindestens einen zweiten Leiterbahn definiert ist, sowie zwischen einem freiliegenden Bereich der Oberfläche der mindestens einen ersten Leiterbahn und einem freiliegenden Bereich der Oberfläche der mindestens einen zweiten Leiterbahn angeordneten molekularelektronischen Molekülen, deren Länge im wesentlichen gleich dem Abstand zwischen der mindestens einen ersten Leiterbahn und der mindestens einen zweiten Leiterbahn ist. Ferner ist ein Verfahren zum Herstellen einer Molekularelektronik-Anordnung bereitgestellt.
摘要翻译：本发明涉及一种分子电子装置的至少一个第一互连配置间隔物的表面上具有基片，至少一个第一互连，其具有表面和被布置在衬底中或上，一个其中至少一个的表面上第一导体部分覆盖，设置在间隔件第二互连，其具有表面，该表面至少相对的第一配线面的表面，其中所述间隔，所述至少一个第二互连的表面部分地覆盖至少一个，并且其中，由所述间隔件的装置的预定所述至少一个第一互连和所述至少限定一个第二导体轨道之间的距离，以及之间的至少一个第一互连件的表面的暴露部分和所述至少一个第二表面的未覆盖区域导体线路设置的分子电子分子，其长度基本上等于所述至少一个第一互连和所述至少一个第二互连之间的距离。此外，提供了一种用于制造分子电子装置的方法。

7. 发明申请

WO2005060000A2 STEG-FELDEFFEKTTRANSISTOR-SPEICHERZELLE, STEG-FELDEFFEKTTRANSISTOR-SPEICHERZELLEN-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER STEG-FELDEFFEKTTRANSISTOR-SPEICHERZELLE 审中-公开
标题翻译： STEG场效应晶体管存储单元，STEG-FIELD用于生产BAR场效应晶体管存储单元效晶体管存储器单元装置及方法
公开(公告)号：WO2005060000A2
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：PCT/DE2004/002739
申请日：2004-12-14
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , SPECHT, Michael , STEINLESBERGER, Gernot
发明人： KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , SPECHT, Michael , STEINLESBERGER, Gernot
IPC分类号： H01L27/00
CPC分类号： H01L29/7923 , H01L21/845 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11568 , H01L27/1211 , H01L29/66795 , H01L29/66833 , H01L29/785
摘要： Eine Steg-Feldeffekttransistor-Speicherzelle enthält einen ersten und einen zweiten Source-/Drain-Bereich und einen dazwischen angeordneten Kanal-Bereich, welche Source-/Drain- und Kanal-Bereiche in einem Halbleiter-Steg gebildet sind. Die Speicherzelle enthält ferner eine Ladungsspeicherschicht, die zumindest teilweise auf dem Halbleiter-Steg angeordnet ist, und einen metallisch leitfähigen Gate-Bereich auf zumindest einem Teil der Ladungsspeicherschicht, die derart eingerichtet ist, dass mittels Anlegens vorgebbarer elektrischer Potentiale an die Steg-Feldeffekttransistor-Speicherzelle in die Ladungsspeicherschicht elektrische Ladungsträger selektiv einbringbar oder daraus entfernbar sind.
摘要翻译：鳍式场效应晶体管存储器单元包括第一和第二源/漏区和沟道区设置在其间，在半导体桥，其形成源极/漏极和沟道区。该存储单元还包括在至少一个被布置成使得所述电荷存储层的部分，其至少部分地布置在所述半导体桥的电荷存储层，以及金属栅极导电区域中的预先确定的通过施加电势到鳍式场效应晶体管存储器单元的装置被选择性地引入或在电荷存储层的电荷载流子除去。

8. 发明申请

WO2004059738A1 FIN-FELDEFFEKTTRANSISTOR-SPEICHERZELLE, FIN-FELDEFFEKTTRANSISTOR-SPEICHERZELLEN-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER FIN-FELDEFFEKTTRANSISTOR-SPEICHERZELLE 审中-公开
标题翻译：鳍式场效晶体管存储单元，其制造鳍式场效晶体管存储单元鳍式场效晶体管存储单元装置和方法
公开(公告)号：WO2004059738A1
公开(公告)日：2004-07-15
申请号：PCT/EP2003/014473
申请日：2003-12-18
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , DREESKORNFELD, Lars , HARTWICH, Jessica , HOFMANN, Franz , KRETZ, Johannes , SPECHT, Michael
发明人： DREESKORNFELD, Lars , HARTWICH, Jessica , HOFMANN, Franz , KRETZ, Johannes , SPECHT, Michael
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L29/42384 , H01L21/28282 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L29/66795 , H01L29/66833 , H01L29/785 , H01L29/792
摘要： Die Erfindung betrifft eine Fin-Feldeffekttransistor-Speicherzelle (200), eine Fin-Feldeffekttransistor-Speicherzellen-Anordnung und ein Verfahren zum Herstellen einer Fin-Feldeffekttransistor-Speicherzelle. Die Fin-Feldeffekttransistor-Speicherzelle enthält einen ersten (201) und einen zweiten (202) Source-/Drain-Bereich sowie einen Gate-Bereich. Ferner weist die Speicherzelle eine den Kanal-Bereich aufweisende Halbleiter-Finne (204) zwischen dem ersten und dem zweiten Source-/Drain-Bereich auf. Darüber hinaus ist eine Ladungsspeicherschicht (207, 208) bereitgestellt, die zumindest teilweise auf dem Gate-Bereich angeordnet ist. Ein Wortleitungs-Bereich (205, 206) ist auf zumindest einem Teil der Ladungsspeicherschicht angeordnet. Die Ladungsspeicherschicht ist derart eingerichtet, dass mittels Anlegens vorgebbarer elektrischer Potentiale an die Fin-Feldeffekttransistor-Speicherzelle in die Ladungsspeicherschicht elektrische Ladungsträger selektiv einbringbar oder daraus entfernbar sind.
摘要翻译：本发明涉及一种鳍式场效应晶体管存储器单元（200），鳍式场效应晶体管存储器单元装置和用于制造鳍式场效应晶体管存储器单元的方法。所述鳍式场效应晶体管存储器单元包括：第一（201）和第二（202）源极/漏极区和栅极区。此外，所述存储器单元包括具有第一和第二源极/漏极区域之间的半导体鳍片（204）的沟道区。此外，电荷存储层（207，208）被设置为至少部分地布置在所述栅极区。字线区域（205，206）设置在所述电荷存储层的至少一部分。电荷存储层被设置为使得，通过施加预定的电势被选择性地引入或可拆卸地连接到在所述电荷存储层的电荷载流子的鳍式场效应晶体管存储器单元的装置。

9. 发明申请

WO2003015182A2 STEG-FELDEFFEKTTRANSISTOR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STEG-FELDEFFEKTTRANSISTORS 审中-公开
标题翻译： STEG场效应晶体管和制造BAR-场效应晶体管的方法
公开(公告)号：WO2003015182A2
公开(公告)日：2003-02-20
申请号：PCT/DE2002/002760
申请日：2002-07-26
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HOFMANN, Franz , KRETZ, Johannes , ROESNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas
发明人： HOFMANN, Franz , KRETZ, Johannes , ROESNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/66795
摘要： Der Steg-Feldeffekttransistor weist ein Substrat, einen Steg über dem Substrat, sowie einen Drain-Bereich und einen Source-Bereich ausserhalb des Steges über dem Substrat auf. Der Steg dient als Kanal zwischen Source-Bereich und Drain-Bereich. Source- und Drain-Bereich werden erst nach dem Erzeugen des Gates gebildet.
摘要翻译：鳍状场效应晶体管包括：基板;所述基板上的脊，和一个漏区和脊到基板以外的源极区。脊用作源极区和漏极区之间的沟道。源极和漏极区域中的栅极的形成之后形成。

10. 发明公开

EP1556908A2 FELDEFFEKTTRANSISTOR-ANORDNUNG UND SCHALTKREIS-ARRAY 审中-公开
标题翻译：场效应晶体管布置和电路阵列
公开(公告)号：EP1556908A2
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：EP03776825.6
申请日：2003-10-30
申请人： Infineon Technologies AG
发明人： GRAHAM, Andrew , HOFMANN, Franz , HÖNLEIN, Wolfgang , KRETZ, Johannes , KREUPL, Franz , LANDGRAF, Erhard , LUYKEN, Richard, Johannes , RÖSNER, Wolfgang , SCHULZ, Thomas , SPECHT, Michael
IPC分类号： H01L51/20
CPC分类号： G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C2213/17 , H01L27/283 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/0512
摘要： The invention relates to a field effect transistor assembly and an integrated circuit array. The field effect transistor assembly contains a substrate, a first wiring plane with a first source/drain region on the substrate and a second wiring plane with a second source/drain region above the first wiring plane. The field effect transistor assembly also comprises at least one vertical nanoelement as a channel region, which is situated between and coupled to both wiring planes. The nanoelement is at least partially surrounded by electrically conductive material, forming a gate region, whereby electrically insulating material is provided between the nanoelement and the electrically conductive material to act as a gate insulating layer.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式