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1. 发明专利

JP2005010108A Automatic zero point correction device for pressure sensor, pressure control device and pressure type flow control device 有权
标题翻译：压力传感器自动零点校正装置，压力控制装置和压力型流量控制装置
公开(公告)号：JP2005010108A
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：JP2003177135
申请日：2003-06-20
申请人： Fujikin Inc , Tadahiro Omi , Tokyo Electron Ltd , 忠弘大見 , 東京エレクトロン株式会社 , 株式会社フジキン
发明人： OMI TADAHIRO , SUGIYAMA KAZUHIKO , HINO SHOICHI , TAKAHASHI EIJI , SAEGUSA SHIN , IKEDA SHINICHI , NISHINO KOJI , DOI RYOSUKE , UENOYAMA TOYOMI , SUGITA KATSUYUKI
IPC分类号： G01L19/02 , G01L19/00 , G01L19/04
CPC分类号： G01L19/02 , G01L9/065 , G01L19/0023 , G05D7/0635
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pressure sensor capable of detecting accurately the pressure regardless of its using period by correcting automatically the temporal zero point drift of the pressure sensor, and a pressure control device and a flow control device using it. SOLUTION: This pressure sensor using a semiconductor pressure-sensitive element for measuring liquid pressure is operated as follows: a sensor output voltage from the pressure sensor is outputted to the outside through an amplifier; the sensor output voltage is inputted into a temporal zero point drift correction means of the pressure sensor through a D/A converter; it is determined whether the sensor output voltage is larger than a set value or not by a sensor output determination means in the temporal zero point drift correction means; an operation condition of the pressure sensor is determined by an operation condition determination means in the temporal zero point drift correction means; and when the sensor output voltage is larger than the set value and the operation condition of the pressure sensor is under the operation condition set beforehand, a zero point correction voltage having the same voltage as the sensor output voltage and the reverse polarity thereto is inputted into an offset terminal of the amplifier through the D/A converter and the temporal zero point drift of the pressure sensor is deleted. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过自动校正压力传感器的时间零点漂移以及使用该压力传感器的压力控制装置和流量控制装置来精确地检测压力而不管其使用周期的压力传感器。解决方案：使用半导体压敏元件测量液体压力的压力传感器如下操作：来自压力传感器的传感器输出电压通过放大器输出到外部; 传感器输出电压通过D / A转换器输入压力传感器的时间零点漂移校正装置; 通过时间零点漂移校正装置中的传感器输出确定装置确定传感器输出电压是否大于设定值; 压力传感器的操作条件由时间零点漂移校正装置中的操作条件确定装置确定; 并且当传感器输出电压大于设定值并且压力传感器的操作条件处于预先设置的操作条件下时，将具有与传感器输出电压相同的电压和与其相反极性的零点校正电压输入到通过D / A转换器的放大器的偏移端子和压力传感器的时间零点漂移被删除。版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

2. 发明专利

JP2004264881A Flow control method of hydrogen fluoride gas, and flow control device for hydrogen fluoride gas used therefor 有权
公开(公告)号：JP2004264881A
公开(公告)日：2004-09-24
申请号：JP2003010162
申请日：2003-01-17
申请人： Fujikin Inc , Tadahiro Omi , Tokyo Electron Ltd , 忠弘大見 , 東京エレクトロン株式会社 , 株式会社フジキン
发明人： OMI TADAHIRO , SUGIYAMA KAZUHIKO , MIZUSAWA KANEYOSHI , TAKAHASHI EIJI , UNO TOMIO , NISHINO KOJI , DOI RYOSUKE , IKEDA SHINICHI , NAGASE MASAAKI
IPC分类号： G05D7/06
CPC分类号： H01L21/67023 , G05D7/0635 , Y10T137/6416 , Y10T137/6606 , Y10T137/7761
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To enable the precise flow control, with respect to a flow rate range of about 3-300 SCCM, of HF gas to be supplied to a vacuum chamber or the like by use of a pressure type flow control device. SOLUTION: In this flow control method of hydrogen fluoride gas using the pressure type flow control device, the flow rate of the gas passing through an orifice in the state where the ratio P 2 /P 1 of the gas pressure P 1 on the orifice upstream side gas and the gas pressure P 2 on the orifice downstream side is retained at a critical pressure ratio of gas or less is calculated as Q=KP 1 (wherein K is a constant). The hydrogen fluoride gas is passed through the orifice while heating the pressure type flow control device to a temperature of 40°C or higher. COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

3. 发明专利

JP2006031498A Flow control method of clustered fluid and flow control apparatus for clustered fluid to be used therefor 有权
标题翻译：用于其所使用的聚集流体的流体流量和流量控制装置的流量控制方法
公开(公告)号：JP2006031498A
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：JP2004210967
申请日：2004-07-20
申请人： Fujikin Inc , Tohoku Univ , Tokyo Electron Ltd , 国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , 株式会社フジキン
发明人： OMI TADAHIRO , SUGIYAMA KAZUHIKO , MIZUSAWA KANEYOSHI , TAKAHASHI EIJI , UNO TOMIO , NISHINO KOJI , DOI RYOSUKE , IKEDA SHINICHI , NAGASE MASAAKI
IPC分类号： G05D7/06
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To attain flow control with high precision of a clustered fluid such as a hydrogen fluoride gas to be supplied to a vacuum chamber or the like with respect to a flow rate range of 3-300SCCM by using a compression flow controller.
SOLUTION: The flow control method for the clustered fluid to use the compression flow controller which operates as Q=KP
1 (where K is a constant) a flow rate Q of a gas circulating through an orifice in a state that gas pressure P
1 on an orifice upstream side and gas pressure P
2 on an orifice downstream side are held equal to or below a critical pressure ratio of the gas. In the method, by warming the compression flow controller up to a temperature at 40°C or higher or adding a dilution gas to the clustered fluid to make it equal to or lower than partial pressure, association of molecules is dissociated and the clustered fluid put into a single molecular state is later circulated through the orifice.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：为了通过使用压缩方式相对于3-300SCCM的流量范围来获得要供应到真空室等的诸如氟化氢气体的聚集流体的高精度的流量控制流量控制器解决方案：聚集流体使用压缩流量控制器的流量控制方法，该压缩流量控制器作为Q = KP 1 （其中K是常数），循环通过孔口上游侧的气体压力P 1 的孔口和孔口下游侧的气体压力P 2 保持在等于或低于加油站。在该方法中，通过将压缩流量控制器加热至40℃以上的温度，或者向聚集流体添加稀释气体使其等于或低于分压，使分子的缔合解离，聚集的液体放置进入单一分子状态后来循环通过孔口。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

4. 发明专利

JP2015049569A ガス分流供給装置及びガス分流供給方法有权
标题翻译：气体供应装置和气体分配供应方法
公开(公告)号：JP2015049569A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：JP2013179237
申请日：2013-08-30
申请人：株式会社フジキン , Fujikin Inc , 東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd
发明人： SAWADA YOHEI , IKEDA NOBUKAZU , DOI RYOSUKE , NISHINO KOJI , TAKAHASHI EIJI , SASAKI NORIKAZU , SAWACHI JUN
IPC分类号： G05D7/06
CPC分类号： G05D7/0664 , G05D11/132 , Y10T137/0363 , Y10T137/2529 , Y10T137/2562 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761
摘要：【課題】ガス供給源から、複数の並列状に連結した熱式流量センサを設けたガス分流路へ、所定の流量比でガスを分流供給するガス分流供給システムの改良に関する。【解決手段】ガス供給源からのガスの流量制御装置と、流量制御装置からのガスを分流する並列接続の分流路と、各分流路Lに介設した熱式流量センサと、熱式流量センサの下流側に設けた電動弁と、各電動弁の制御コントローラ16a〜16dと、外部流量比指令値入力と共に流量センサから総流量を演算し、該総流量と流量比指令値とから各分流路Lの流量値を演算し各コントローラへ演算流量値を設定流量入力する流量比設定演算器RSCとを備え、流量比設定演算器から入力された設定流量値が最大となる何れか一の分流路Lを非制御状態としてその開度を一定値に保持すると共に、他の分流路の開度を設定開度に制御し、その後、各分流路の分流量をフィードバック制御する。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：为了改进一种气体分配供给系统，该气体分配供给系统以与预定流量比的气体相同的气体导流路径，设置有从气体供给源并联连接的多个热流量传感器。气体分配供给装置包括：来自气体供给源的气体的流量控制装置; 来自流量控制装置的气体通过其分流的并联连接的转向路径; 设置在各引导路径L中的热式流量传感器; 设置在热式流量传感器的下游侧的电动阀; 每个电动阀的控制控制器16a至16d; 以及用于输入外部流量比率指令值并从流量传感器计算总流量的流量比设定计算器RSC，并根据总流量和流量比率指令值计算每个转向路径的流量值并将计算出的流量值按设定的流量输入到每个控制器。利用从流量比设定计算部输入的设定流量值作为非控制状态的任何导流路径L变为最大值，将其开度维持在一定值，将其他分流路径的开度控制为一个设置开放，之后，每个转移路径的转移率被反馈控制。

5. 发明专利

JP2015012141A クリーニング方法及び処理装置有权
标题翻译：清洁方法和处理装置
公开(公告)号：JP2015012141A
公开(公告)日：2015-01-19
申请号：JP2013136577
申请日：2013-06-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd
发明人： TAKAHASHI EIJI , SASAKI NORIKAZU , SAWACHI JUN
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32862 , H01J37/32449 , H01J37/32853 , Y10T137/2574
摘要：【課題】分流制御が可能なガス供給機構を用いて効果的に処理装置をクリーニングする。【解決手段】ガス供給機構を有し、処理装置をクリーニングするクリーニング方法であって、前記ガス供給機構は、分流制御部と、前記分流制御部の上流側に連通する第1の流路と、前記第1の流路に設けられた第1のバルブと、前記分流制御部の下流側に連通する第2の流路と、前記第2の流路に設けられた第2のバルブと、前記第1の流路と前記第2の流路とを接続する迂回流路であって、前記第2の流路に接続され、前記迂回流路に設けられたバイパスバルブと、を有し、前記第1のバルブと前記第2のバルブを閉め、前記バイパスバルブを開けるバイパス開工程と、前記バイパス開工程後、前記迂回流路から前記処理装置にガスを導入し、該処理装置をクリーニングするクリーニング工程と、を含むことを特徴とするクリーニング方法が提供される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：在使用能够进行分流控制的气体供给机构的同时，有效地清洁处理装置。解决方案：公开了一种清洁方法，包括用于清洁处理装置的气体供给机构。气体供给机构包括：分路控制部; 与分流控制部的上游侧通信的第一通道; 设置在第一通道中的第一阀; 与分路控制部的下游侧通信的第二通道; 设置在所述第二通道中的第二阀; 以及设置在连接第一通道和第二通道并连接到第二通道的迂回通道中的旁通阀。清洗方法包括：关闭第一阀和第二阀并打开旁通阀的旁路开启步骤; 以及在旁通通路步骤之后将气体从迂回通道导入处理装置的清洗工序，并清洗处理装置。

6. 发明专利

JP2008192644A Method and equipment for treating substrate 有权
标题翻译：用于处理衬底的方法和设备
公开(公告)号：JP2008192644A
公开(公告)日：2008-08-21
申请号：JP2007022332
申请日：2007-01-31
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： TAKAHASHI EIJI , AMIKURA NORIHIKO
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/205 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67069 , H01L21/02071
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for treating a substrate in which the pressure in the treatment chamber can be controlled to a high pressure and gas in the treatment chamber can be exhausted at a high speed.
SOLUTION: A substrate treatment system 10 comprises a second process module 28 for performing chemical reaction treatment of a wafer W, and the second process module 28 has a treatment chamber 33, and an evacuation control system 37 for evacuating gas in the chamber 33 and controlling the pressure in the chamber 33. When chemical reaction treatment of a wafer W contained in the chamber 33 is performed, pressure in the chamber 33 is controlled by an APC valve 55 having a relatively small caliber, and hydrogen fluoride gas in the chamber 33 is evacuated by a dry pump 46 via exhaust pipe 53, by opening the APC valve 55 following the chemical reaction treatment of the wafer W. Furthermore evacuation is performed by a TMP 50 via an exhaust pipe 47 by closing the APC valve 55 and opening an isolate valve 51.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种处理基板的方法，其中处理室中的压力可以被控制到高压，并且处理室中的气体可以高速排出。解决方案：基板处理系统10包括用于对晶片W进行化学反应处理的第二处理模块28，并且第二处理模块28具有处理室33和用于在室中排出气体的抽空控制系统37 并且控制室33中的压力。当进行包含在室33中的晶片W的化学反应处理时，通过具有相对较小口径的APC阀55控制室33中的压力，并且在通过在晶片W的化学反应处理之后打开APC阀55，通过排气管53通过干式泵46将干燥泵46排空。另外，通过关闭APC阀55，通过排气管47进行抽真空，打开隔离阀51.版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

7. 发明公开

EP1585002A4 FLOW CONTROL METHOD FOR CLUSTERING FLUID AND FLOW CONTROL DEVICE FOR CLUSTERING FLUID 审中-公开
标题翻译： FLUSSSTEUERVERFAHREN ZUR FLUIDCLUSTERUNG UND FLUSSSTEUEREINRICHTUNG ZUR FLUIDCLUSTERUNG
公开(公告)号：EP1585002A4
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：EP04702837
申请日：2004-01-16
申请人： FUJIKIN KK , OHMI TADAHIRO , TOKYO ELECTRON LTD
发明人： OHMI TADAHIRO , SUGIYAMA KAZUHIKO , MIZUSAWA KENETU , TAKAHASHI EIJI , UNO TOMIO , NISHINO KOUJI , DOHI RYOUSUKE , IKEDA NOBUKAZU , NAGASE MASAAKI
IPC分类号： G05D7/06 , H01L21/00 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/67023 , G05D7/0635 , Y10T137/6416 , Y10T137/6606 , Y10T137/7761
摘要： A pressure-type flow control device is used to permit a high-accuracy control of the flow rate of a clustering fluid such as HF gas to be supplied to a vacuum chamber or the like within a flow rate range of about 3-300 SCCM. Specifically, a method of controlling the flow rate of a clustering fluid that uses a pressure-type flow control device where a flow rate Q of a gas flowing through an orifice is computed as Q=KP1 (K is constant) with a ratio P2/P1 between an orifice-upstream-side gas pressure P1 and a downstream-side gas pressure P2 kept up to the critical pressure ratio of the gas, wherein the pressure-type flow control device is heated to at least 40°C, or the clustering fluid is added with a dilute gas to be kept at up to a partial pressure, thereby allowing the clustering fluid, produced by dissociating the association of molecules and then keeping them in a monomolecular state, to flow through the orifice.
摘要翻译：使用压力式流量控制装置，可以在3×300SCCM的流量范围内对供应到真空室等的HF气体等聚集流体进行高精度流量控制。具体地说，本文公开了使用压力型流量控制装置来控制聚集流体的流量的方法，其中通过孔口的气体的流量Q被计算为K = KP1（其中K 是常数），气体处于孔口上游侧的气体压力P1与孔口下游侧的气体压力P2之间的比P2 / P1保持在不高于通过将上述压力式流量控制装置加热至高于40℃的温度，或者通过将稀释气体施加到聚集流体以使其低于分压使得聚簇流体被允许以单分子状态通过上述孔口。

8. 发明专利

JP2002296096A PROCESSING METHOD AND PROCESSING DEVICE 失效
公开(公告)号：JP2002296096A
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：JP2001100420
申请日：2001-03-30
申请人： TOKYO ELECTRON LTD
发明人： TAKAHASHI EIJI , MIZUSAWA KANEYOSHI , HIROSE JUN
IPC分类号： G01F1/00 , C23C16/52 , G01F1/42 , G01F11/28 , G01F15/04 , G01F25/00 , G05B23/02 , G05D7/06
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem in diagnosing the flow rate of a flow control device wherein flow diagnosis is required at the intermission of the processing of a body to be processed, such as, for example, the switching time of a lot, the starting time of a device or the like, by providing a process exclusive for the flow diagnosis, and a throughout is lowered. SOLUTION: In this processing device, when process gas is supplied into a chamber 30 at a prescribed flow rate and a wafer W is processes in the chamber 30, the flow rate of the process gas is diagnosed at every processing time of the wafer W by the process gas.

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