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1. 发明专利

CA2332523A1 DISTRIBUTED FEEDBACK SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND MULTI-WAVELENGTH LASER ARRAY 未知
公开(公告)号：CA2332523A1
公开(公告)日：2001-07-28
申请号：CA2332523
申请日：2001-01-26
申请人： FURUKAWA ELECTRIC CO LTD
发明人： FUNABASHI MASAKI , IWAI NORIHIRO , KASUKAWA AKIHIKO
IPC分类号： H01S5/12 , H01S5/22 , H01S5/40 , H04J14/02
摘要： A distributed feedback semiconductor laser device including an active layer, a diffraction grating disposed in a vicinity of the active layer and having a substantially uniform space period and a distributed feedback function, and a functional layer disposed in a vicinity of the diffraction grating and the active layer and having a function of controlling a refractive index of the active layer, whereby the functional layer controls a lasing wavelength of the active layer. The functional layer of controlling the refractive index of the distributed feedback semiconductor laser device can generate a plurality of the lasing wavelengths different among one another and easily controllable.

2. 发明专利

DE10234152A1 未知
公开(公告)号：DE10234152A1
公开(公告)日：2003-02-13
申请号：DE10234152
申请日：2002-07-26
申请人： FURUKAWA ELECTRIC CO LTD
发明人： IWAI NORIHIRO , YOKOUCHI NORIYUKI
IPC分类号： H01S5/183
摘要： There is provided a surface emitting laser device of fundamental lateral mode oscillation that suppresses a resistor increase and that is favorable in reliability. A GaAs layer 16 having such a thickness as to exhibit a high reflection factor with respect to oscillation wavelength is formed on an upper DBR mirror. In addition, a groove having such a depth that the GaAs layer located directly under it has such a thickness as to exhibit a low reflection factor with respect to oscillation wavelength is formed on the GaAs layer in such a position as to stride an extension line of a boundary between an Al oxide layer and an AlAs layer. As a result, laser oscillation can be conducted only in a post region surrounded by the groove.

3. 发明专利

DE10019653A1 Surface emitting semiconductor laser device, especially for optical data transmission or optical communications, produced by alloying a gold film with a gold-germanium or gold-germanium-nickel film to form an n-side electrode 未知
公开(公告)号：DE10019653A1
公开(公告)日：2000-10-26
申请号：DE10019653
申请日：2000-04-21
申请人： FURUKAWA ELECTRIC CO LTD
发明人： YOKOUCHI NORIYUKI , IWAI NORIHIRO
IPC分类号： H01S5/00 , H01S5/042 , H01S5/183 , H01S5/02 , H01S5/125
摘要： Surface emitting semiconductor laser device production, comprises forming an n-side electrode (38) by alloying an Au film with an AuGeNi or AuGe film. Production of a surface emitting semiconductor laser device comprises successively forming a p-conducting distributed Bragg reflector (DBR), a laser emission active layer structure (18) and an n-conducting DBR (22) on the front face of a p-conducting semiconductor substrate (12), forming an n-side electrode (38) over the n-conducting DBR and forming a p-side electrode (40) on the substrate back face. The n-side electrode is formed by successively applying an Au film and an AuGeNi or AuGe film and forming an alloy with the Au film and the AuGeNi film or the AuGe film. Preferred Features: The alloy is formed by annealing the films.

4. 发明专利

DE112009003719T5 HALBLEITERLASERELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR 未知
公开(公告)号：DE112009003719T5
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：DE112009003719
申请日：2009-12-10
申请人： FURUKAWA ELECTRIC CO LTD
发明人： TAKAKI KEISHI , IWAI NORIHIRO , ISHII HIROTATSU , IMAI SUGURU , TANABE KINUKA , SHIMIZU HITOSHI
IPC分类号： H01S5/183
摘要： Ein Halbleiterlaserelement ist ausgestattet mit einer ersten und zweiten Elektrode, einem ersten und zweiten Reflexionsspiegel und einem Resonator, der zwischen dem ersten und zweiten Reflexionsspiegel angeordnet ist, und ist mit einer aktiven Schicht, einer Strombegrenzungsschicht mit einem ersten Bereich, in dem ein Strom fließt, und einem zweiten Bereich, in dem ein Stromfluss blockiert wird, einer ersten Halbleiterschicht, die auf der auf der Strombegrenzungsschicht auf der der aktiven Schicht entgegengesetzten Seite ausgebildet ist, und einer zweiten Halbleiterschicht versehen, die zwischen der ersten Halbleiterschicht und der Strombegrenzungsschicht ausgebildet ist. Die erste Halbleiterschicht hat auf der der Strombegrenzungsschicht entgegengesetzten Seite eine Fläche und ist mit einer ersten Zone, die dem ersten Bereich der Strombegrenzungsschicht zugewandt ist, und einer zweiten Zone versehen, die dem zweiten Bereich der Strombegrenzungsschicht zugewandt ist. Eine erste Elektrode ist in Kontakt mit zumindest einem Teil der einen Fläche der zweiten Zone der ersten Halbleiterschicht vorgesehen, und die erste Halbleiterschicht besitzt einen Diffusionsbereich, in dem die Komponente der ersten Elektrode oder zumindest ein Teil der Komponenten der ersten Elektrode in die erste Halbleiterschicht diffundiert. Die zweite Halbleiterschicht hat eine höhere Dotierungskonzentration als die erste Halbleiterschicht, ist in Kontakt mit dem Diffusionsbereich der ersten Halbleiterschicht und erstreckt sich von dem Bereich, in dem die zweite Halbleiterschicht mit dem Diffusionsbereich in Kontakt ist, zu der Position, an der die zweite Halbleiterschicht dem ersten Bereich der Strombegrenzungsschicht zugewandt ist.

5. 发明专利

DE112010000821T5 Zweidimensionales, oberflächenemittierendes Laser-Anordnungselement, oberflächenemittierende Lasereinrichtung und Lichtquelle 未知
公开(公告)号：DE112010000821T5
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：DE112010000821
申请日：2010-01-20
申请人： FURUKAWA ELECTRIC CO LTD
发明人： ISHII HIROTATSU , SHIMIZU HITOSHI , IWAI NORIHIRO , TAKAKI KEISHI
IPC分类号： H01S5/42
摘要： Enthalten sind mehrere oberflächenemittierende Laserelemente, die jeweils enthalten, ein Substrat; einen unteren Spiegel mit vielschichtigem reflektierenden Film und einen oberen Spiegel mit vielschichtigem reflektivem Film, die auf dem Substrat ausgebildet sind und aus einer periodischen Struktur einer Schicht mit hohem Brechungsindex und einer Schicht mit niedrigem Brechungsindex ausgebildet sind; eine aktive Schicht, die zwischen dem unteren Spiegel mit mehrschichtigem reflektivem Film und dem oberen Spiegel mit mehrschichtigem reflektivem Film zur Verfügung gestellt ist; eine untere Kontaktschicht, die zwischen der aktiven Schicht und dem unteren Spiegel mit vielschichtigem reflektivem Film angeordnet ist, und die zu einer äußeren peripheren Seite des oberen Spiegels mit vielschichtigem reflektivem Film erstreckt ist; eine untere Elektrode, die auf einer Oberfläche eines Abschnitts ausgebildet ist, wohin die untere Kontaktschicht erstreckt ist; und eine obere Elektrode zum Injizieren eines Stromes in die aktive Schicht, wobei die oberflächenemittierenden Laserelemente elektrisch in Serie bzw. in Reihe aneinander angeschlossen sind, um eine seriell angeschlossene Elementanordnung auszubilden. Dies ermöglicht die Bereitstellung eines zweidimensionalen oberflächenemittierenden Laserarrayelements, das dazu in der Lage ist, eine hohe Energiewandlungseffizienz mit einer einfachen Struktur und der Fähigkeit zu einer hohen Integration und eine oberflächenemittierende Lasereinrichtung und eine Lichtquelle, die diese verwendet, zu erzielen.

6. 发明专利

FR2742592B1 未知
公开(公告)号：FR2742592B1
公开(公告)日：1999-02-05
申请号：FR9615347
申请日：1996-12-13
申请人： FURUKAWA ELECTRIC CO LTD
发明人： IWAI NORIHIRO , KASUKAWA AKIHIKO
IPC分类号： H01S5/00 , H01S5/02 , H01S5/06 , H01S5/223 , H01S5/32 , H01S5/323 , H01S3/18
摘要： This invention gives birth to a semiconductor laser device which is equipped with a semiconductor substrate, a laser active layer with a first bandgap energy overlying the preceding semiconductor substrate, and a p-type cladding layer and an n-type cladding layer between which the preceding active layer is interposed. In addition, the referenced p-type cladding layer has a second bandgap energy exceeding 1.35 eV and remaining greater than the first bandgap energy. Direct bonding technique is adopted for fabricating the semiconductor laser device in question in place of epitaxial growth technique, because the cladding layer and active layer differ in lattice constant.

7. 发明专利

CA2382860A1 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE HAVING A HIGH CHARACTERISTIC TEMPERATURE 未知
公开(公告)号：CA2382860A1
公开(公告)日：2002-10-25
申请号：CA2382860
申请日：2002-04-22
申请人： FURUKAWA ELECTRIC CO LTD
发明人： SHIMIZU HITOSHI , KUMADA KOUJI , IWAI NORIHIRO
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/183 , H01S5/20 , H01S5/32 , H01S5/323 , H01S5/34 , H01S5/30
摘要： A semiconductor laser device includes a resonant cavity formed on a GaAs substrate, the resonant cavity including a quantum well (QW) active layer structure having a GaInNAs(Sb) well layer and a pair of barrier layers. The QW structu re has a conduction band offset energy (.DELTA.Ec) equal to or higher than 350 mini- electron-volts (meV) between the well layer and the barrier layers, and each of the barrier layers a tensile strain equal to or lower than 2.5%.

8. 发明专利

DE10214568A1 未知
公开(公告)号：DE10214568A1
公开(公告)日：2002-10-10
申请号：DE10214568
申请日：2002-04-02
申请人： FURUKAWA ELECTRIC CO LTD
发明人： IWAI NORIHIRO
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/04 , H01S5/183 , H01S5/42 , H01S5/40 , H01S3/0941 , H01S5/343
摘要： A surface emitting semiconductor laser device includes a GaAs substrate, and first and second laser sections consecutively and monolithically formed on the GaAs substrate. The second laser section has an active layer structure having a bandgap wavelength longer than the bandgap wavelength of the active layer structure of the first laser section. The second laser section is pumped by a first laser emitted by the first laser section to emit second laser.

9. 发明专利

CA2355429A1 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE 未知
公开(公告)号：CA2355429A1
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CA2355429
申请日：2001-08-16
申请人： FURUKAWA ELECTRIC CO LTD
发明人： FUNABASHI MASAKI , IWAI NORIHIRO
IPC分类号： H01S5/028 , H01S5/10 , H01S5/12 , H01S5/22 , H01S5/227 , H01S5/34 , H01S5/30
摘要： The semiconductor laser device the n-InP cladding layer, SCH-MQW active layer, p-InP cladding layer, and p-GaInAsP optical waveguide layer are respectively formed into a tapered shape on the n-InP substrate . The combination of oscillation parameters of the tapered shape, the grating pitch of a diffraction grating, an optical waveguide including an active layer, and the length of a resonator are adjusted so that laser beam including two or more oscillating longitudinal modes are output.

10. 发明专利

FR2742592A1 Long wavelength semiconductor laser device 未知
公开(公告)号：FR2742592A1
公开(公告)日：1997-06-20
申请号：FR9615347
申请日：1996-12-13
申请人： FURUKAWA ELECTRIC CO LTD
发明人： IWAI NORIHIRO , KASUKAWA AKIHIKO
IPC分类号： H01S5/00 , H01S5/02 , H01S5/06 , H01S5/223 , H01S5/32 , H01S5/323 , H01S3/18
摘要： The device includes an n type indium phosphite substrate (11) and a multilayer structure which includes an amplifier (12) and a quantum well active layer (13). An indium phosphite adhesive layer is covered by a confinement layer (18) made of p type InGaP. A contact GaAs contact layer (17) is then formed. An insulating layer (19) covers the whole structure. Electrodes (20,21) are formed on top of the structure and on the back surface of the substrate.

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