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1. 发明申请

WO2004044976A1 PROCEDE DE FORMATION D'UNE ZONE FRAGILE DANS UN SUBSTRAT PAR CO-IMPLANTATION 审中-公开
标题翻译：通过共同植入在基底中形成高纬度区的方法
公开(公告)号：WO2004044976A1
公开(公告)日：2004-05-27
申请号：PCT/FR2003/003256
申请日：2003-10-31
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , LAGAHE, Christelle , SOUSBIE, Nicolas , MICHAUD, Jean-François
发明人： ASPAR, Bernard , LAGAHE, Christelle , SOUSBIE, Nicolas , MICHAUD, Jean-François
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/26506
摘要： La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une couche mince, dans lequel on crée une zone fragile enterrée par implantation d'une espèce chimique dans un substrat (1), de manière à pouvoir ensuite déclencher une fracture du substrat (1) le long de cette zone fragile afin d'en détacher ladite couche mince (6). Selon l'invention, ledit procédé de fabrication comprend notamment les étapes suivantes : a) une implantation « principale » dans le substrat (1) à une profondeur « principale » (5) d'une espèce chimique « principale » (4) ; b) au moins une implantation « secondaire » dans le substrat (1), à une profondeur « secondaire » (3) différente de ladite profondeur principale (5), et à une concentration supérieure à la concentration de l'espèce principale (4), d'au moins une espèce chimique « secondaire » (2) d'efficacité moindre que l'espèce principale (4) à fragiliser le substrat (1) ; c) la migration d'au moins une partie de ladite espèce secondaire (2) jusqu'au voisinage de la profondeur principale (5) ; et d) le déclenchement d'une fracture le long de la profondeur principale (5). L'invention concerne également une couche mince obtenue à l'aide du procédé selon l'invention.
摘要翻译：本发明涉及一种制造薄膜的方法，其中包括通过在基材（1）中注入化学物质来形成嵌入的脆性区域，从而能够随后沿着所述基材（1）引起基材（1）的断裂脆性区，从而分离所述薄膜（6）。本发明的特征在于制造方法特别包括以下步骤：a）在主要化学物质（4）的主深度（5）处主要注入基片（1）中; b）在不同于所述主深度（5）的第二深度（3）处，在所述基底（1）中至少一次二次注入，并且处于比所述主物种（4）的浓度高的浓度至少一个次要化学物质（2）比主要物质（4）的效率低，用于脆化基质（1）; c）使所述第二种类（2）的至少一部分迁移到主深度（5）附近; 和d）沿着主深度（5）引发断裂。本发明还涉及通过本发明方法获得的薄膜。

2. 发明申请

WO2004064146A1 PROCEDE DE REALISATION D'UNE STRUCTURE CONTRAINTE DESTINEE A ETRE DISSOCIEE 审中-公开
标题翻译：制造受阻构造的方法
公开(公告)号：WO2004064146A1
公开(公告)日：2004-07-29
申请号：PCT/FR2003/003622
申请日：2003-12-08
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert , LAGAHE, Christelle
发明人： FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert , LAGAHE, Christelle
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/67092 , H01L21/304 , H01L21/76254
摘要： Procédé de réalisation d'une structure microélectronique complexe par assemblage de deux substrats (5, 6 ; 11, 13) par deux faces respectives de liaison, cette structure étant destinée à être dissociée au niveau d'une zone de séparation, caractérisé en ce que, avant assemblage, on crée une différence d'état de contraintes tangentielles entre les deux faces à assembler, cette différence étant choisie en sorte d'obtenir au sein de la structure assemblée un état de contraintes prédéterminé au moment de la dissociation.
摘要翻译：本发明涉及通过将两个基板（5,6; 11,13）组装通过两个相应的连接表面来制造复杂的微电子结构的方法，所述结构设计成在分离区分离。本发明的特征在于，其在组装之前包括在要组装的两个表面之间产生切向应力状态的差异，所述差异被选择为在组装结构中获得预定的应力状态的解离。

3. 发明授权

EP1570516B1 PROCEDE DE REALISATION D'UNE STRUCTURE CONTRAINTE DESTINEE A ETRE DISSOCIEE 有权
标题翻译：用于生产用于消化法满载安装结构
公开(公告)号：EP1570516B1
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：EP03815088.4
申请日：2003-12-08
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert , LAGAHE, Christelle
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/304 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/67092 , H01L21/304 , H01L21/76254
摘要： The invention concerns a method for making a complex microelectronic structure by assembling two substrates (5, 6; 11, 13) through two respective linking surfaces, said structure being designed to be dissociated at a separation zone. The invention is characterized in that it consists, prior to assembling, in producing a difference of state of tangential stresses between the two surfaces to be assembled, said difference being selected so as to obtain in the assembled structure a predetermined state of stresses at the time of dissociation.

4. 发明授权

EP1559138B1 PROCEDE DE FORMATION D'UNE ZONE FRAGILE DANS UN SUBSTRAT PAR CO-IMPLANTATION 有权转让
标题翻译：工艺用于在衬底BY KOIMPLANTATION一折带
公开(公告)号：EP1559138B1
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：EP03767871.1
申请日：2003-10-31
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： ASPAR, Bernard , LAGAHE, Christelle , SOUSBIE, Nicolas , MICHAUD, Jean-François
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/26506

5. 发明公开

EP1570516A1 PROCEDE DE REALISATION D'UNE STRUCTURE CONTRAINTE DESTINEE A ETRE DISSOCIEE 有权
标题翻译：用于生产用于消化法满载安装结构
公开(公告)号：EP1570516A1
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：EP03815088.4
申请日：2003-12-08
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert , LAGAHE, Christelle
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/304 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/67092 , H01L21/304 , H01L21/76254
摘要： The invention concerns a method for making a complex microelectronic structure by assembling two substrates (5, 6; 11, 13) through two respective linking surfaces, said structure being designed to be dissociated at a separation zone. The invention is characterized in that it consists, prior to assembling, in producing a difference of state of tangential stresses between the two surfaces to be assembled, said difference being selected so as to obtain in the assembled structure a predetermined state of stresses at the time of dissociation.

6. 发明公开

EP1559138A1 PROCEDE DE FORMATION D'UNE ZONE FRAGILE DANS UN SUBSTRAT PAR CO-IMPLANTATION 有权转让
标题翻译：工艺用于在衬底BY KOIMPLANTATION一折带
公开(公告)号：EP1559138A1
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：EP03767871.1
申请日：2003-10-31
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： ASPAR, Bernard , LAGAHE, Christelle , SOUSBIE, Nicolas , MICHAUD, Jean-François
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/26506
摘要： The invention concerns a method for making a thin film, which consists in creating a brittle zone embedded by implantation of a chemical species in a substrate (1), so as to be able subsequently to provoke a fracture of the substrate (1) along said brittle zone to separate therefrom said thin film (6). The invention is characterized in that the manufacturing method comprises in particular the following steps: a) a main implantation in the substrate (1) at a main depth (5) of a main chemical species (4); b) at least one secondary implantation in the substrate (1), at a secondary depth (3) different from said main depth (5), and at a concentration higher than the concentration of the main species (4), of at least a secondary chemical species (2) less efficient than the main species (4) for embrittling the substrate (1); c) causing at least part of said secondary species (2) to migrate up to the proximity of the main depth (5); and d) provoking a fracture along the main depth (5). The invention also concerns the thin film obtained by the inventive method.

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