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1. 发明授权

KR100241342B1 사이드로브가 제어된 격자도움 수직결합형 광필터 및 그의 제조 방법 失效
标题翻译：具有良好抑制特征的光栅辅助垂直耦合光耦滤波器及其实现方法
公开(公告)号：KR100241342B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970039416
申请日：1997-08-19
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 박찬용 , 이승원 , 김덕봉 , 오광룡 , 김홍만
IPC分类号： H01L31/0232
CPC分类号： G02B6/12002 , G02B6/12007 , G02B2006/12107 , G02B2006/12147
摘要： 본 발명은 파장 선택 가변 반도체 광필터에서 선택영역 성장법을 적용하여 도파로 사이의 광결합 효율을 가중화함으로써 광필터의 특성을 저해하는 사이드로브(sidelobe)가 제어된 광필터와 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 선택영역 성장법에 있어서 성장이 이루어지지 않는 유전체 박막 마스크의 폭을 조절함으로써 성장층의 두께를 선택적으로 조절할 수 있고, 이 현상을 두 도파로 사이의 거리 조절에 활용함으로써 파장 선택 가변 반도체 광필터의 두 도파로 사이의 거리를 조절할 수 있으며, 따라서 두 도파로 사이의 광결합효율을 공간적으로 바꿀 수 있게 된다. 두 도파로 사이의 거리가 삼각함수의 한 주기에 해당되도록 임의로 조절한다면 사이드로브 특성이 크게 향상되기 때문에 본 발명을 적용하면 특성이 매우 우수한 반도체 광필터를 제작할 수 있다.

2. 发明授权

KR100241326B1 고출력 반도체 레이저에서의 활성층 구조 失效
标题翻译：高功率半导体激光器主动层结构
公开(公告)号：KR100241326B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019950041335
申请日：1995-11-14
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 오대곤 , 주흥로 , 김홍만 , 편광의
IPC分类号： H01S5/30
摘要： 본 발명은 고출력 반도체 레이저에서의 활성층 구조에 관한 것으로서, 종래 기술의 InGaAs 다중 양자우물 구조에서는 광출력 특성이 좋지 않았던 문제점을 해결하기 위해 (InAs)
m (GaAs)
m 단주기 초격자 박막구조를 활성층의 양자우물로 사용한 활성층을 제공함으로써 내부 스트레인이 종래의 방법에 비해 수 %로 매우 크며 초격자 박막의 구조적 특성으로부터 소자의 광학적 특성, 특히 고출력 특성이 향상될 수가 있는 것이다.

3. 发明授权

KR100228395B1 반절연 인듐갈륨비소 회절격자를 이용한 복소 결합된 분포 궤환형 레이저 소자 失效
标题翻译： DFB激光器件
公开(公告)号：KR100228395B1
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：KR1019960069761
申请日：1996-12-21
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 오대곤 , 김홍만 , 박종대
IPC分类号： H01S5/12
摘要： 본 발명은 초고속 장거리 광통신의 광원으로서 기존의 굴절률 결합형에 이득 결합을 추가한 복소 결합형 분포 궤환형 반도체 레이저에 있어서 이득 결합의 분율을 증가시키기 위하여 광 흡수와 전류 차단의 이중효과가 있는 반절연 인듐갈륨비소를 회절격자로 사용하므로써 레이저의 광 특성을 증대시키는 것이다. 발명의 구성은 단일 모드 광원용 분포 궤환형 반도체 레이저에 있어서 반절연 인듐갈륨비소를 회절격자로 사용하는 것과 이 회절격자를 n형 인듐인 기판 사용시 n형 인듐인 버퍼층에 삽입시키므로써 본 회절격자가 p형 반도체와 접합시 야기될 수 있는 정공 주입효과를 배제 시키는 방법, 그리고 회절격자 두께의 자유로운 조절을 위하여, p형 인듐인 기판 사용시 공정상의 제한을 가지지 않도록 활성층 윗쪽에 본 회절격자를 위치시키는 소자 설계 등을 특징으로 한다.

4. 发明授权

KR100175444B1 홈 위에 다리를 갖는 반도체 장치의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100175444B1
公开(公告)日：1999-04-01
申请号：KR1019950052686
申请日：1995-12-20
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 이상환 , 주관종 , 송민규 , 김홍만
IPC分类号： H01L21/312
摘要： 본 발명은 반도체웨이퍼상에 깊이가 수 내지 수백 미크론에 이르는 깊은 홈이나 분지 형태의 패턴이 있을 경우에 스핀코팅에 의한 균일한 포토레지스트의 도포가 어려운 문제점을 해소하는데 그 목적이 있는 것으로, 깊은 홈이나 분지를 형성하기 위한 식각 패턴을 형성한 단계에서 식각패턴 위에 내부식성 물질로 이루어진 다리 형태의 뚜껑을 먼저 형성시키고 다리 측면과 상판에 형성된 적은 틈새를 통하여 깊은 홈이라 분지를 에칭하여, 에칭 이후에 다리가 홈이나 분지를 덮고 있게 함으로써 깊은 홈이나 분지로 인한 포토레지스트의 도포 작업시 포토레지스트의 불균일한 도포와 가장자리에서의 벗겨짐 현상 등을 제거하는 이점이 있다.

5. 发明公开

KR1019990017960A 격자도움수직결합형파장가변광필터 失效
标题翻译：光栅辅助垂直耦合可调光滤波器
公开(公告)号：KR1019990017960A
公开(公告)日：1999-03-15
申请号：KR1019970041044
申请日：1997-08-26
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 박찬용 , 김덕봉 , 오광룡 , 김홍만
IPC分类号： G02B5/20 , G02B6/00
摘要： 본 발명은 격자의 방향을 도파로의 방향과 어긋나게 하여 두 도파로 사이의 광결합 효율을 가중화함으로써 광필터의 특성을 저해하는 사이드로브를 제어하는 격자도움 수직결합형 파장가변 광필터에 관한 것이다. 본 발명에 의한 격자도움 수직결합형 파장가변 광필터는 두 도파로와 격자층을 갖는데 두 도파로 사이의 광결합은 격자층에서 발생하며, 따라서 격자가 두 도파로 사이의 평면적 공간상으로 중앙에 위치하지 않고 옆으로 빗나간 상태가 될 경우 두 도파로 사이의 광결합효율이 감소하게 되는 원리를 이용하여 광결합효율을 공간적으로 제어할 수 있고 사이드로브 특성이 크게 향상되기 때문에 본 발명을 적용하면 특성이 매우 우수한 반도체 광필터를 제작할 수 있다.

6. 发明公开

KR1019980050914A 광소자와 광섬유와의 광결합 장치 失效
标题翻译：光学元件和光纤之间的光耦合器件
公开(公告)号：KR1019980050914A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960069762
申请日：1996-12-21
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 박기성 , 김홍만
IPC分类号： G02B6/42
摘要： 본 발명은 플립칩 본딩(Flip chip bonding)과 실리콘 V-홈을 이용한 광소자와 광섬유와의 광결합 장치에 있어서, 종래의 수동 정렬 방식에서 발생하는 정렬 오차에 따른 광결합 효율의 감소를 해결하고 최적의 광결합 효율을 얻기 위하여 광섬유가 위치하는 넓은 V-홈과 이 V-홈 내에 두 개의 광섬유 고정축을 두고 별도의 V-홈이 파진 실리콘 덮개로 두 고정축 사이의 소정의 위치에서 광섬유를 눌러 광섬유에 미소한 휨, 즉 마이크로 벤딩(micro-bending)을 유도하고 이로써 광섬유 끝단의 위치를 실리콘 덮개의 위치에 따라 조절하므로써 광소자와 광섬유와의 광결합 효율이 최대가 되는 위치를 찾아 광섬유를 고정시키는 광결합 장치를 제공한다.

7. 发明公开

KR1019970054558A 수직형 경사구조의 출력단을 갖는 광변조기 집적소자의 제조방법 失效
标题翻译：用于制造具有垂直倾斜输出级的光调制器集成装置的方法
公开(公告)号：KR1019970054558A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950053687
申请日：1995-12-21
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 이승원 , 김정수 , 남은수 , 박종대 , 김홍만
IPC分类号： H01L31/00
摘要： 본 발명은 선택적 유기금속성장을 이용하여 테이퍼(taper) 구조의 출력단을 갖는 광결합효율이 향상된 광변조기 집적소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 그 특징은 광변조기 집적소자에 있어서, 선택적 MOVPE 결정성장과 조절식각을 이요하여 수직형 테이퍼 광 모드 변환기가 접적화된 InGaAsP MQW 흡수층의 단위 광 변조 소자로된 데에 있고, 그 다른 특징은 광변조기 집적소자에 있어서, 선택적 MOVPE 결정성장과 조절식각을 이용하여 수직형 테이퍼 광 모드 변환기를, 광변조기가 집적된 DFB 레이져에 추가로 집적화한 데에 있으므로, 본 발명은 광모드 변환기가 없는 경우에 비하여 무반사 박막 제작 조건을 상당히 완화시켜 무반사 박막 공정의 신뢰성과 재현성을 높일 뿐만 아니라 결국 광변조기 집적 DFB 레이져 소자자체의 성능을 향상시킨다는 효과가 있 다.

8. 发明授权

KR100119224B1 부분 고도핑형 고속 광스위치 제조방법 失效
标题翻译：部分高掺杂高速光开关的制造方法
公开(公告)号：KR100119224B1
公开(公告)日：1997-07-30
申请号：KR1019930027341
申请日：1993-12-11
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 오광룡 , 한덕영 , 김홍만
IPC分类号： H01L31/08 , H01L31/10

9. 发明授权

KR100116437B1 광검출기가 집적된 반도체 광스위치 제조방법 失效
标题翻译：制造与光电探测器集成的半导体光开关的方法
公开(公告)号：KR100116437B1
公开(公告)日：1997-06-16
申请号：KR1019930018146
申请日：1993-09-09
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 박기성 , 오광룡 , 박종대 , 김홍만
IPC分类号： H01L29/86 , H01L29/8605

10. 发明授权

KR1019970006608B1 자기정합(Self-aligend) 구조를 이용한 전반사형 광스위치의 제조방법 失效
标题翻译：制造光电开关的方法
公开(公告)号：KR1019970006608B1
公开(公告)日：1997-04-29
申请号：KR1019930027342
申请日：1993-12-11
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 박종대 , 박기성 , 오광룡 , 오대곤 , 김홍만
IPC分类号： H01L31/10 , H01L33/00
摘要： A method for fabricating an optical switch is described that performs an etching process using a self-aligned mask prior to a selective re-growing process. The method includes the steps of forming an n+-InP buffer region 3, n-InGaAsP light pass path layer 4, undoped InP layer 10 and a semi-insulated InP layer 11, depositing SiNx layer 12, forming a pattern for the part where current is applied, performing an etching until the boundary between the undoped InP layer 10 and light pass path layer 4 is exposed, forming a p+-InP layer 13 and p+-InGaAs ohmic contact layer 14 and thus forming n-ohmic layer 1, etching the SiNx layer 12 and then performing a selective etching until the boundary between the light pass path layer 4 and semi-insulated InP layer 11 is exposed, and forming an n-ohmic metal layer 1. Thereby, it is possible to make a total reflection surface, and improve a switching efficiency and ohmic characteristic.
摘要翻译：描述了一种用于制造光开关的方法，其在选择性再生长处理之前使用自对准掩模进行蚀刻处理。该方法包括以下步骤：形成n + -InP缓冲区3，n-InGaAsP光通路层4，未掺杂InP层10和半绝缘InP层11，沉积SiNx层12，形成电流进行蚀刻，直到未掺杂的InP层10和光通过层4之间的边界露出，形成p + -InP层13和p + -InGaAs欧姆接触层14，从而形成n欧姆层1，蚀刻然后进行选择性蚀刻，直到曝光光通路层4和半绝缘InP层11之间的边界，并形成n欧姆金属层1.由此，可以形成全反射面，提高开关效率和欧姆特性。

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