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    • 8. 发明公开
    • 저전력 고주파 증폭기
    • 低功耗高频放大器
    • KR1020170119387A
    • 2017-10-27
    • KR1020160047332
    • 2016-04-19
    • 한국전자통신연구원
    • 공선우박봉혁이문식이희동
    • H03F1/02H03F1/22H03F1/30
    • 이하, 저전력고주파증폭기가개시된다. 실시예에따른저전력고주파증폭기는 1 트랜지스터; 제2 트랜지스터; 제1 트랜지스터의드레인과제2 트랜지스터의소스에연결되는제1 인덕터; 제1 트랜지스터의게이트와제2 트랜지스터의소스에연결되는제2 인덕터; 및제2 트랜지스터의게이트에연결되는제3 인덕터를포함하고, 제1 트랜지스터의게이트는입력단과연결되고제2 트랜지스터의드레인은출력단과연결되며제1 트랜지스터의소스는그라운드로연결될수 있다.
    • 在下文中,公开了一种低功率高频放大器。 根据实施例的低功率高频放大器包括一个晶体管; 第二晶体管; 第一晶体管的漏极;第一电感器,连接到第二晶体管的源极; 连接到第一晶体管的栅极和第二晶体管的源极的第二电感器; 连接到第二mitje晶体管的栅极的第三电感器的栅极,所述第一晶体管被耦合到所述输入级和所述第二晶体管的所述漏极连接到所述第一晶体管的输出源极可以连接到地。