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1. 发明授权

KR100578104B1 코발트-질소 박막을 이용한 코발트 다이실리사이드에피층의 형성방법 失效
标题翻译：使用氮化钛膜制造外延钴 - 二硅化物层的方法
公开(公告)号：KR100578104B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020030092079
申请日：2003-12-16
申请人： 한국과학기술원
发明人： 안병태 , 김선일 , 이승렬 , 박종호
IPC分类号： H01L21/24 , B82Y30/00
CPC分类号： H01L29/665 , H01L21/28518
摘要： 본 발명은 코발트-질소 박막을 이용한 코발트 다이실리사이드 에피층의 형성방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 기가 디램(Giga DRAM)이나 기가 플래쉬 메모리(Giga flash memory) 등의 초고집적회로의 구성요소로 사용되는 수십 나노미터 크기의 모스 트랜지스터의 소스/드레인과 게이트 전극인 폴리실리콘에 실리사이드를 형성시키는 샐리사이드(salicide) 공정에서 코발트-질소 박막을 이용한 코발트 다이실리사이드(CoSi
2 ) 에피층의 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은 소스/드레인 및 게이트를 포함하는 실리콘 기판과 코발트 사이에 중간층을 형성하지 않고 코발트-질소 박막을 이용하여 실리콘 기판의 소스/드레인 및 게이트에 CoSi
2 에피층을 형성할 수 있는 코발트 다이실리사이드 형성방법 제공을 목적으로 한다.

2. 发明授权

KR100372752B1 황화카드뮴 막의 제조방법 및 장치 失效
标题翻译：制造硫化镉膜的方法和设备
公开(公告)号：KR100372752B1
公开(公告)日：2003-02-17
申请号：KR1020000026610
申请日：2000-05-18
申请人： 한국과학기술원
发明人： 안병태 , 박종호 , 윤재호 , 김보현
IPC分类号： H01L31/0256
摘要： 본 발명은 CBD(Chemical bath deposition)법을 이용하여 황화카드뮴(CdS) 박막을 제조함에 있어서, 카드뮴(Cd) 이온과 황(S) 이온이 용해되어 있는 용액을 가열시키는 열원을 기판의 상부에 설치함으로써 기판에서 Cd 이온과 S 이온이 반응하여 CdS 막을 형성하는 CdS막의 제조방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명은 용액에 함침되어 있는 기판 상부에 용액을 가열시키는 열원인 히터를 설치하여 기판이 가장 높은 온도를 갖도록 하고, 용액의 온도는 기판에서 멀어질수록 감소하게 함으로써 기판부근의 용액중에서 Cd 이온과 S 이온이 반응하여 CdS 입자의 생성을 억제하는 동시에 기판에서 Cd 이온과 S 이온이 반응하여 CdS 막이 생성되는 불균일 반응을 촉진하고 CdS막의 성장을 증가시키는 것을 목적으로 한다.

3. 发明授权

KR100345037B1 금속내부에 고용된 규소를 이용한 다결정 규소박막의제조방법 및 동 방법에의한 다결정 규소박막 失效
标题翻译：一种使用溶解在金属和多晶硅薄膜中的硅制造多晶硅薄膜的方法
公开(公告)号：KR100345037B1
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：KR1020000050117
申请日：2000-08-28
申请人： 한국과학기술원
发明人： 안병태 , 박종호 , 안진형
IPC分类号： H01L21/20
摘要： 본 발명은 금속내부에 고용된 규소를 이용한 다결정 규소박막의 제조방법 및 동 방법에 의해 제조된 규소박막에 관한 것이다.
발명의 금속내부에 고용된 규소를 이용한 다결정 규소박막의 제조방법은첨부한 도 1과 같이 유리기판 또는 실리콘 산화물 위에 금속내부에 규소(Si)가 고용된 금속을 통상의 스퍼터링 증착방법으로 증착한 후 열처리하는 단계와; 상기 열처리 후 냉각하는 단계와; 냉각 후 금속으로부터 석출된 단결정 규소만 유리기판 또는 실리콘 산화물 위에 남기고 선택적으로 금속을 제거하는 단계와; 유리기판 또는 실리콘 산화물 위의 단결정 규소는 통상의 플라즈마 증착방법 또는 저압화학기상법을 이용하여 비정질 규소로 증착하는 단계와; 상기 단계 후 비정질 규소를 열처리하는 단계로 구성된다.

4. 发明公开

KR1020020017043A 금속내부에 고용된 규소를 이용한 다결정 규소박막의제조방법 및 동 방법에의한 다결정 규소박막 失效
标题翻译：使用包含金属和多晶硅膜的硅制造聚硅氧烷膜的方法
公开(公告)号：KR1020020017043A
公开(公告)日：2002-03-07
申请号：KR1020000050117
申请日：2000-08-28
申请人： 한국과학기술원
发明人： 안병태 , 박종호 , 안진형
IPC分类号： H01L21/20
摘要： PURPOSE: A method for fabricating a polysilicon film using a silicon included in a metal and a polysilicon film thereof are provided to form a polysilicon film by separating a single crystalline silicon from a metal including silicon. CONSTITUTION: A metal including a silicon is deposited on a glass substrate or a silicon oxide by using a normal deposition method. A thermal process is performed. A cooling process is performed after the thermal process is performed. A single crystalline silicon is extracted from the metal including the silicon. The remaining metal except for the single crystalline silicon is removed therefrom. The single crystalline silicon as an amorphous silicon is deposited on the glass substrate or the silicon oxide. The thermal process for the amorphous silicon is performed. The metal including the silicon is mainly one of Al, Au, and Cu.
摘要翻译：目的：提供一种使用金属中包含的硅及其多晶硅膜制造多晶硅膜的方法，以通过从包含硅的金属分离单晶硅来形成多晶硅膜。构成：通过使用常规沉积方法将包含硅的金属沉积在玻璃基板或氧化硅上。进行热处理。在进行热处理后进行冷却处理。从包括硅的金属提取单晶硅。除去单晶硅以外的剩余金属。作为非晶硅的单晶硅沉积在玻璃衬底或氧化硅上。进行非晶硅的热处理。包括硅的金属主要是Al，Au和Cu中的一种。

5. 发明公开

KR1020010105017A 황화카드뮴 막의 제조방법 및 장치 失效
标题翻译：使用CBD方法和基板加热来制造硫酸锌薄膜的方法和装置
公开(公告)号：KR1020010105017A
公开(公告)日：2001-11-28
申请号：KR1020000026610
申请日：2000-05-18
申请人： 한국과학기술원
发明人： 안병태 , 박종호 , 윤재호 , 김보현
IPC分类号： H01L31/0256
摘要： 본 발명은 CBD(Chemical bath deposition)법을 이용하여 황화카드뮴(CdS) 박막을 제조함에 있어서, 카드뮴(Cd) 이온과 황(S) 이온이 용해되어 있는 용액을 가열시키는 열원을 기판의 상부에 설치함으로써 기판에서 Cd 이온과 S 이온이 반응하여 CdS 막을 형성하는 CdS막의 제조방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명은 용액에 함침되어 있는 기판 상부에 용액을 가열시키는 열원인 히터를 설치하여 기판이 가장 높은 온도를 갖도록 하고, 용액의 온도는 기판에서 멀어질수록 감소하게 함으로써 기판부근의 용액중에서 Cd 이온과 S 이온이 반응하여 CdS 입자의 생성을 억제하는 동시에 기판에서 Cd 이온과 S 이온이 반응하여 CdS 막이 생성되는 불균일 반응을 촉진하고 CdS막의 성장을 증가시키는 것을 목적으로 한다.

6. 发明授权

KR101980871B1 관통형 ＴＧＶ 금속 배선 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR101980871B1
公开(公告)日：2019-05-23
申请号：KR1020170083491
申请日：2017-06-30
申请人： 한국과학기술원
发明人： 백경욱 , 이한민 , 이세용 , 박종호
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/15 , H01L23/48 , H01L21/285

7. 发明公开

KR1020050060454A 코발트-질소 박막을 이용한 코발트 다이실리사이드에피층의 형성방법 失效
标题翻译：使用硝酸钴膜制备外源性钴 - 二甲酸酯层的方法
公开(公告)号：KR1020050060454A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：KR1020030092079
申请日：2003-12-16
申请人： 한국과학기술원
发明人： 안병태 , 김선일 , 이승렬 , 박종호
IPC分类号： H01L21/24 , B82Y30/00
CPC分类号： H01L29/665 , H01L21/28518
摘要： 본 발명은 코발트-질소 박막을 이용한 코발트 다이실리사이드 에피층의 형성방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 기가 디램(Giga DRAM)이나 기가 플래쉬 메모리(Giga flash memory) 등의 초고집적회로의 구성요소로 사용되는 수십 나노미터 크기의 모스 트랜지스터의 소스/드레인과 게이트 전극인 폴리실리콘에 실리사이드를 형성시키는 샐리사이드(salicide) 공정에서 코발트-질소 박막을 이용한 코발트 다이실리사이드(CoSi
2 ) 에피층의 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은 소스/드레인 및 게이트를 포함하는 실리콘 기판과 코발트 사이에 중간층을 형성하지 않고 코발트-질소 박막을 이용하여 실리콘 기판의 소스/드레인 및 게이트에 CoSi
2 에피층을 형성할 수 있는 코발트 다이실리사이드 형성방법 제공을 목적으로 한다.

8. 发明公开

KR1020020034754A 마이크로웨이브를 이용한 화학기상반응장치 失效
标题翻译：化学蒸气沉积装置使用微波炉
公开(公告)号：KR1020020034754A
公开(公告)日：2002-05-09
申请号：KR1020000065260
申请日：2000-11-03
申请人： 한국과학기술원
发明人： 안병태 , 박종호 , 안진형
IPC分类号： H01L21/205
摘要： PURPOSE: A chemical vapor deposition(CVD) apparatus using microwave is provided to solve a charging problem, stress problem or problem of a high etch rate, and to use a conventional process having a low deposition rate by accelerating a chemical deposition. CONSTITUTION: The CVD apparatus using microwave is composed of a microwave generating unit(100), a waveguide unit(200) and a heating unit(300) which are made as one body. The microwave generating unit includes a magnetron(110), a control unit(120) and a power supply unit(130). The waveguide unit includes a waveguide(210), an intercepting unit(220), a matching unit(230) and an indicator(240).
摘要翻译：目的：提供使用微波的化学气相沉积（CVD）装置来解决充电问题，应力问题或高蚀刻速率的问题，并且通过加速化学沉积来使用具有低沉积速率的常规方法。构成：使用微波的CVD装置由作为一体制成的微波发生单元（100），波导单元（200）和加热单元（300）组成。微波发生单元包括磁控管（110），控制单元（120）和电源单元（130）。波导单元包括波导（210），拦截单元（220），匹配单元（230）和指示器（240）。

9. 发明公开

KR1020160068089A 웨이크업 신호를 이용한 단말 장치 및 송수신기 활성화 방법 无效
标题翻译：使用唤醒无线电激活传输和终端的方法
公开(公告)号：KR1020160068089A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：KR1020140173164
申请日：2014-12-04
申请人： 재단법인 다차원 스마트 아이티 융합시스템 연구단 , 한국과학기술원
发明人： 이상국 , 최상길 , 박종호
IPC分类号： H04W52/02 , H04W88/02
CPC分类号： Y02D70/00 , H04W52/0203 , H04W52/0212 , H04W52/0225 , H04W88/02
摘要： CT 영상에기초하여합성맘모영상을재구성하는장치및 방법이개시된다. 영상재구성장치는, 피검사체를 CT(Computed Tomography) 촬영함에따라 CT 영상을생성하는영상생성부, 및상기 CT 영상을합성하여합성맘모영상(synthetic mammo view)을생성하는영상합성부를포함할수 있다.
摘要翻译：公开了一种基于计算机断层摄影（CT）图像重新配置合成乳房X线照相视图的装置和方法。图像重构装置包括：图像生成单元，其根据检查对象的CT记录生成CT图像; 以及图像合成单元，其通过合成CT图像来生成合成的乳房摄影。

10. 发明授权

KR100381915B1 마이크로웨이브를 이용한 화학기상반응장치 失效
标题翻译： 마이크로웨이브를이용한화학기상반응장치
公开(公告)号：KR100381915B1
公开(公告)日：2003-04-26
申请号：KR1020000065260
申请日：2000-11-03
申请人： 한국과학기술원
发明人： 안병태 , 박종호 , 안진형
IPC分类号： H01L21/205
摘要： PURPOSE: A chemical vapor deposition(CVD) apparatus using microwave is provided to solve a charging problem, stress problem or problem of a high etch rate, and to use a conventional process having a low deposition rate by accelerating a chemical deposition. CONSTITUTION: The CVD apparatus using microwave is composed of a microwave generating unit(100), a waveguide unit(200) and a heating unit(300) which are made as one body. The microwave generating unit includes a magnetron(110), a control unit(120) and a power supply unit(130). The waveguide unit includes a waveguide(210), an intercepting unit(220), a matching unit(230) and an indicator(240).
摘要翻译：目的：提供使用微波的化学气相沉积（CVD）设备以解决充电问题，应力问题或高蚀刻速率的问题，并且通过加速化学沉积使用具有低沉积速率的常规工艺。组成：使用微波的CVD设备由一体制成的微波发生单元（100），波导单元（200）和加热单元（300）组成。微波产生单元包括磁控管（110），控制单元（120）和电源单元（130）。波导单元包括波导（210），拦截单元（220），匹配单元（230）和指示器（240）。

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