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1. 发明申请

WO2013183799A1 ＣＭＰ 장치 审中-公开
标题翻译： CMP设备
公开(公告)号：WO2013183799A1
公开(公告)日：2013-12-12
申请号：PCT/KR2012/004502
申请日：2012-06-07
申请人： 이화다이아몬드공업 주식회사 , 이세광 , 김연철 , 이주한 , 최재광 , 부재필
发明人： 이세광 , 김연철 , 이주한 , 최재광 , 부재필
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B49/186 , B24B37/005 , B24B49/18 , B24B53/017
摘要： 본 발명은 CMP 장치에 대한 것으로 보다 구체적으로는 컨디셔넝할 CMP 패드가 놓여진 정반과 일정 간격 이격되어 설치되는 스윙부, 스윙부와 수직한 방향으로 스윙부의 상단에 일단이 설치되어 스윙부를 기준으로 CMP 패드 상에서 회동하는 연결부, 연결부의 타단에 설치되어 회전하는 회전부, 회전부와 결합되어 회전하면서 CMP 패드를 컨디셔닝하는 CMP 패드 컨디셔너 및 연결부에 설치되며 진동을 감지하여 CMP 패드 컨디셔너의 진동가속도를 측정하는 진동가속도 측정부를 포함하여 측정된 진동가속도에 의해 CMP 패드의 마모량을 예측하고, CMP 컨디셔너가 설치된 상태 또는 구동되는 상태를 예측할 수 있는 CMP 장치에 관한 것이다.
摘要翻译： CMP装置技术领域本发明涉及一种CMP装置，更具体地说，涉及一种CMP装置，其特征在于，包括：摆放部，其从放置有CMP垫的表面板以固定的间隔设置，连接部，其一端相对于所述摆动部在垂直方向上设置在所述摆动部的上端，用于根据所述摆动部在所述CMP垫上旋转; 旋转部，设置在所述连接部的另一端，用于旋转; 耦合到所述旋转部分以在旋转时调节所述CMP垫的CMP垫调节器; 以及振动加速度测量部，其通过感测振动而设置在所述连接部上，用于测量所述CMP垫调节器的振动加速度，其中，通过所测量的振动加速度来预测所述CMP垫的磨损量，以及设置所述CMP调节器的状态或者可以预测CMP调节器操作的状态。

2. 发明申请

WO2012157936A2 CMP 패드 컨디셔너 및 상기 CMP 패드 컨디셔너 제조방법 审中-公开
标题翻译： CMP抛光调节器及其制造方法
公开(公告)号：WO2012157936A2
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：PCT/KR2012/003788
申请日：2012-05-15
申请人： 이화다이아몬드공업 주식회사 , 이세광 , 김연철 , 이주한 , 최재광 , 부재필
发明人： 이세광 , 김연철 , 이주한 , 최재광 , 부재필
CPC分类号： B24B53/017 , B24D18/00
摘要： 본 발명은 반도체 소자 제작공정의 일부인 화학적 기계적 연마(CMP) 공정에서 사용되는 CMP 패드용 컨디셔너에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 슬러리 종류와 컨디셔너의 압력 변화에도 연마 패드의 마모량 변화가 크지 않은 절삭팁 구조를 갖는 CMP 패드 컨디셔너 및 그 제조방법에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及用作制造半导体器件的工艺的一部分的CMP工艺中使用的化学机械抛光（CMP）焊盘的调节器。更具体地说，本发明涉及一种CMP垫调节器，即使当浆料的种类和调节器的压力变化时，切削刀片的结构也具有抛光垫的磨损的微不足道的变化。本发明还涉及一种用于制造CMP垫调节剂的方法。

3. 发明公开

KR1020170040176A CMP 패드 컨디셔너 有权
标题翻译： CMP垫调节器
公开(公告)号：KR1020170040176A
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：KR1020170044243
申请日：2017-04-05
申请人： 이화다이아몬드공업 주식회사 , 삼성전자주식회사
发明人： 이세광 , 김연철 , 이주한 , 최재광 , 부재필
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/02
摘要： 본발명은반도체소자제작공정의일부인화학적기계적연마(CMP) 공정에서사용되는 CMP 패드용컨디셔너에관한것으로, 보다구체적으로는슬러리종류와컨디셔너의압력변화에도연마패드의마모량변화가크지않은절삭팁구조를갖는 CMP 패드컨디셔너에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及用于化学机械抛光（CMP）过程中的CMP垫的调节器，其是半导体器件制造过程的一部分，更具体地，本发明涉及用于CMP垫的调节器，对CMP垫修整器。

4. 发明公开

KR1020150058127A CMP 패드 컨디셔너 无效
标题翻译： CMP PAD调节器
公开(公告)号：KR1020150058127A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：KR1020150065224
申请日：2015-05-11
申请人： 이화다이아몬드공업 주식회사 , 삼성전자주식회사
发明人： 이세광 , 김연철 , 이주한 , 최재광 , 부재필
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/02
摘要： 본발명은반도체소자제작공정의일부인화학적기계적연마(CMP) 공정에서사용되는 CMP 패드용컨디셔너에관한것으로, 보다구체적으로는슬러리종류와컨디셔너의압력변화에도연마패드의마모량변화가크지않은절삭팁구조를갖는 CMP 패드컨디셔너에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种在半导体制造工艺的CMP工艺中使用的化学机械抛光（CMP）垫调节器，更具体地，涉及一种配备有对抛光垫的侵蚀影响较小的切割段的CMP垫调节器，而不管浆料类型和调理压力。

5. 发明授权

KR101272122B1 ＣＭＰ 장치 有权
标题翻译：化学机械抛光装置
公开(公告)号：KR101272122B1
公开(公告)日：2013-06-07
申请号：KR1020110053386
申请日：2011-06-02
申请人： 이화다이아몬드공업 주식회사 , 삼성전자주식회사
发明人： 이세광 , 김연철 , 이주한 , 최재광 , 부재필
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본 발명은 CMP 장치에 대한 것으로 보다 구체적으로는 컨디셔넝할 CMP 패드가 놓여진 정반과 일정 간격 이격되어 설치되는 스윙부, 스윙부와 수직한 방향으로 스윙부의 상단에 일단이 설치되어 스윙부를 기준으로 CMP 패드 상에서 회동하는 연결부, 연결부의 타단에 설치되어 회전하는 회전부, 회전부와 결합되어 회전하면서 CMP 패드를 컨디셔닝하는 CMP 패드 컨디셔너 및 연결부에 설치되며 진동을 감지하여 CMP 패드 컨디셔너의 진동가속도를 측정하는 진동가속도 측정부를 포함하여 측정된 진동가속도에 의해 CMP 패드의 마모량을 예측하고, CMP 컨디셔너가 설치된 상태 또는 구동되는 상태를 예측할 수 있는 CMP 장치에 관한 것이다.

6. 发明公开

KR1020120134803A ＣＭＰ 패드 컨디셔너 有权
标题翻译： CMP PAD调节器
公开(公告)号：KR1020120134803A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：KR1020110053969
申请日：2011-06-03
申请人： 이화다이아몬드공업 주식회사
发明人： 이세광 , 김연철 , 이주한 , 이종재 , 이상미 , 최재광 , 부재필
IPC分类号： H01L21/304
摘要： PURPOSE: A CMP(Chemical Mechanical Polishing) pad conditioner is provided to constantly maintain the abrasion loss of a pad by equalizing the friction area of an unevenness. CONSTITUTION: Unevennesses(20) are formed on a substrate(10). The unevenness has a reinforcing part(21) protruded from the substrate. The unevenness includes a tip part(23) protruded from the reinforcing part. The circumference of the reinforcing part is formed larger than the circumference of the tip part. The reinforcing part has a circumference surface to be gradually reduced to the lower end of the tip part from the substrate.
摘要翻译：目的：提供CMP（化学机械抛光）垫调节剂，以通过均衡不均匀的摩擦面积来恒定地保持垫的磨损损失。构成：在衬底（10）上形成不均匀（20）。该凹凸具有从基板突出的加强部（21）。该凹凸包括从加强部突出的前端部（23）。加强部的周长形成为比前端部的周长大。加强部具有从基板逐渐减小到前端部的下端的圆周面。

7. 发明公开

KR1020120134472A ＣＭＰ 장치 有权
标题翻译：化学机械抛光装置
公开(公告)号：KR1020120134472A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：KR1020110053386
申请日：2011-06-02
申请人： 이화다이아몬드공업 주식회사 , 삼성전자주식회사
发明人： 이세광 , 김연철 , 이주한 , 최재광 , 부재필
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B53/017 , B24B37/04 , B24B49/006
摘要： PURPOSE: A chemical mechanical polishing(CMP) device is provided to predict erosion rate of a pad by measuring the vibration acceleration of a pad conditioner conditioning a CMP pad. CONSTITUTION: A swing(130) is separated from a table(110) in a regular distance. The table includes a CMP pad(120) to be conditioned. A connector(140) is rotated on the CMP pad around the swing. A rotation unit is rotated by being installed on the other end of the connector. A CMP pad conditioner conditions the CMP pad during rotation by being combined with the rotation unit.
摘要翻译：目的：提供化学机械抛光（CMP）装置，通过测量调节CMP垫的垫调节器的振动加速度来预测垫的侵蚀速率。构成：摆动（130）以规则的距离与工作台（110）分离。该表包括待调节的CMP垫（120）。连接器（140）围绕摆动在CMP垫上旋转。旋转单元通过安装在连接器的另一端而旋转。 CMP垫调节器通过与旋转单元组合来旋转期间对CMP垫进行调节。

8. 发明授权

KR101144981B1 ＣＭＰ 패드 컨디셔너 및 상기 ＣＭＰ 패드 컨디셔너 제조방법 有权
标题翻译： CMP抛光调节器及其制造方法
公开(公告)号：KR101144981B1
公开(公告)日：2012-05-11
申请号：KR1020110046305
申请日：2011-05-17
申请人： 이화다이아몬드공업 주식회사 , 삼성전자주식회사
发明人： 이세광 , 김연철 , 이주한 , 최재광 , 부재필
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B53/017 , B24D18/00
摘要： PURPOSE: A chemical mechanical polishing pad conditioner and a manufacturing method thereof are provided to maximize lifetime of the conditioner by controlling the rate of wear of a cutting tip and to expand the time in which a pad illumination is maintained. CONSTITUTION: A plurality of cutting tips is separately formed on a substrate. The plurality of cutting tips is projected from the substrate toward upper side. The upper side of the cutting tip is parallel to the substrate. The cutting tip comprises a protrusion part and a cutting part. The cutting part is extended from the protrusion part. An area of the upper side of the cutting tip is 25um^2-10000um^2. Pad illumination is maintained to 2 to 10um in the conditioning process.
摘要翻译：目的：提供一种化学机械抛光垫调节剂及其制造方法，通过控制切割头的磨损速度和扩大保持衬垫照明的时间来最大化护发素的寿命。构成：在基板上分开形成多个切割尖端。多个切割尖端从基板向上侧突出。切割尖端的上侧平行于基底。切割尖端包括突出部分和切割部分。切割部从突出部延伸。切割尖端上侧的区域为25um ^ 2-10000um ^ 2。在调理过程中，垫照度保持在2到10um。

9. 发明授权

KR101144168B1 ＣＭＰ 패드 컨디셔너 제조방법 有权
标题翻译： CMP PAD调节器的制造方法
公开(公告)号：KR101144168B1
公开(公告)日：2012-05-10
申请号：KR1020110053354
申请日：2011-06-02
申请人： 이화다이아몬드공업 주식회사
发明人： 이세광 , 김연철 , 이주한 , 이종재 , 부재필 , 최재광
IPC分类号： H01L21/304 , B24B53/12
摘要： PURPOSE: A method for a chemical mechanical polishing pad conditioner is provided to prevent a delamination phenomenon of a diamond thin film layer and a collapse phenomenon of pattern while accomplishing enlargement of the chemical mechanical polishing pad conditioner. CONSTITUTION: A pattern is formed on a substrate(S01). The size of length and width of the pattern is less than 30micrometers x 30micrometers. The substrate is pre-processed with pretreatment solution for 60 to 70 second(S02). The pretreatment solution contains sulfuric acid of 20 weight% to 30 weight%. A diamond thin film layer is formed on the pattern of the pre-processed substrate(S03). The diamond thin film layer is evaporated on the processed substrate by a CVD(Chemical Vapor Deposition) method.
摘要翻译：目的：提供化学机械抛光垫调节剂的方法，以防止金刚石薄膜层的分层现象和图案的塌陷现象，同时实现化学机械抛光垫调节剂的扩大。构成：在基板上形成图案（S01）。图案的长度和宽度尺寸小于30微米×30微米。基板用预处理溶液预处理60至70秒（S02）。预处理液含有20重量％〜30重量％的硫酸。在预处理基板的图案上形成金刚石薄膜层（S03）。金刚石薄膜层通过CVD（化学气相沉积）方法在处理过的衬底上蒸发。

10. 发明授权

KR101808150B1 CMP 패드 컨디셔너 有权
公开(公告)号：KR101808150B1
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：KR1020170044243
申请日：2017-04-05
申请人： 이화다이아몬드공업 주식회사 , 삼성전자주식회사
发明人： 이세광 , 김연철 , 이주한 , 최재광 , 부재필
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/02
摘要： 본발명은반도체소자제작공정의일부인화학적기계적연마(CMP) 공정에서사용되는 CMP 패드용컨디셔너에관한것으로, 보다구체적으로는슬러리종류와컨디셔너의압력변화에도연마패드의마모량변화가크지않은절삭팁구조를갖는 CMP 패드컨디셔너에관한것이다.

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